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Dispositif de puissance de fossé du transistor MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC de carbure de silicium

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Dispositif de puissance de fossé du transistor MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC de carbure de silicium

Dispositif de puissance de fossé du transistor MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC de carbure de silicium
Silicon Carbide MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC Trench Power Device
Dispositif de puissance de fossé du transistor MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC de carbure de silicium Dispositif de puissance de fossé du transistor MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC de carbure de silicium

Image Grand :  Dispositif de puissance de fossé du transistor MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC de carbure de silicium

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IMZA65R072M1H
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-247-4
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Dispositif de puissance de fossé du transistor MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC de carbure de silicium

Définition
Numéro de la pièce: IMZA65R072M1H Nombre de canaux: 1 canal
Vds - tension claque de Drain-source: 650V Id - Courant de drain continu: 28 A
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source: 5,7 V Pd - Dissipation de puissance: 96 W

Dispositif de puissance de fossé du transistor MOSFET IMZA65R072M1H 650V CoolSiC M1SiC de carbure de silicium

 

Description de produit d'IMZA65R072M1H

La technologie de transistor MOSFET d'IMZA65R072M1H CoolSiC™ accroît les caractéristiques physiques fortes du carbure de silicium, ajoutant les caractéristiques uniques qui augmentent la représentation, la robustesse, et la facilité d'utilisation du dispositif. Le transistor MOSFET 650V d'IMZA65R072M1H CoolSiC™ est construit sur un semi-conducteur de pointe de fossé, optimisé pour ne permettre aucun compromis en obtenant les les deux les plus basses pertes dans l'application et la fiabilité la plus élevée en fonction.
Le transistor MOSFET d'IMZA65R072M1H sic en paquet de la goupille TO247 4 réduit des effets parasites d'inductance de source sur le circuit porte permettant une commutation plus rapide et une efficacité accrue.

 

Spécifications d'IMZA65R072M1H

Numéro de la pièce IMZA65R072M1H Vidangez à la tension de source (Vdss) 650 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 28A (comité technique) Polarité de transistor N-canal
Le RDS sur - la résistance de Drain-source 94 mOhms Qg - charge de porte 22 OR
Dissipation de puissance (maximum) 96W (comité technique) Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)

 

Caractéristiques d'IMZA65R072M1H

  • Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents
  • CommutationrobustfastbodydiodewithlowQrr
  • Superiorgateoxidereliability
  • Bestthermalconductivityandbehavior
  • Andpulsecurrentdependencyontemperature de LowerRDS (dessus)
  • Increasedavalanchecapability
  • Compatiblewithstandarddrivers (âge de recommendeddrivingvol : 18V)
  • Kelvinsourceprovidesupto4timeslowerswitchinglosses

 

Avantages d'IMZA65R072M1H

  • Haute performance, fiabilité élevée et facilité d'utilisation
  • Permet l'efficacité de système élevée
  • Réduit le coût du système et la complexité
  • Permet la taille de système plus réduit
  • Travaux dans les topologies avec la commutation dure continue
  • Ajustement pour des opérations à hautes températures et dures
  • Permet des topologies bidirectionnelles

 

Applications potentielles d'IMZA65R072M1H

  • Serveur
  • Télécom
  • SMPS
  • Systèmes à énergie solaire
  • Stockage de l'énergie et formation de batterie
  • UPS
  • Remplissage d'EV
  • Commandes de moteur

 

Diagrammes d'IMZA65R072M1H

Dispositif de puissance de fossé du transistor MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC de carbure de silicium 0

 

Le paquet décrit IMZA65R072M1H

Dispositif de puissance de fossé du transistor MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC de carbure de silicium 1

 

FAQ
Q. Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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