Bas conducteur des véhicules à moteur For High Frequency de transistor MOSFET de GaN And du côté LMG1025QDEETQ1 et applications étroites d'impulsion

 LMG1025QDEETQ1 Gain latéral bas automobile et pilote MOSFET pour les applications à haute fréquence et à impulsions étroites

Définition du produit LMG1025QDEETQ1

Le LMG1025QDEETQ1 est un pilote FET GaN en mode d'amélioration de basse face à un seul canal et un pilote MOSFET de niveau logique pour les applications automobiles à haute fréquence de commutation.spécification de commutation rapide, et une petite distorsion d'impulsion se combinent pour améliorer considérablement les performances du LiDAR, ToF et du convertisseur de puissance.1La largeur d'impulsion de sortie de.25 ns permet des impulsions de diodes plus puissantes et plus sûres pour les yeux.2Le retard de propagation de 0,9 ns améliore considérablement le temps de réponse de la boucle de commande et donc les performances globales des convertisseurs de puissance.La sortie divisée permet de régler indépendamment la résistance et le timing de l'entraînement par des résistances externes entre OUTH, OUTL, et la porte FET.

Les spécifications du LMG1025QDEETQ1

Caractéristiques du LMG1025QDEETQ1

Qualifié AEC-Q100 niveau 1
1.25-ns largeur minimale typique de l'impulsion d'entrée
2.6-ns retard de propagation typique croissant
2.9-ns délai de propagation typique en chute
Déformation typique de l'impulsion de 300ps
Courant de traction 7A et de traction 5A indépendants
Temps de montée typique de 650 ps (charge de 220 pF)
Temps de chute typique de 850 pps (charge de 220 pF)
Un emballage QFN de 2 mm x 2 mm
Les entrées inversantes et non inversantes
UVLO et protection contre les surchauffeurs
Voltage d'alimentation à 5 V unique

Applications deLMG1025QDEETQ1

LIDAR automobile
Surveillance du conducteur
Sensor de détection des occupants du véhicule
Convertisseur CC/DC

Diagramme du système typique de LMG1025QDEETQ1

Configuration et fonctions des broches du LMG1025QDEETQ1

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Questions fréquentes
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