LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver VQFN54 a intégré le demi pont Gan Driver

FET des conducteurs LMG3425R030RQZR GaN de porte avec le conducteur intégré et le mode idéal VQFN54 de diode

Description

Le FET de LMG342xR030 GaN avec le conducteur intégré et la protection permet à des concepteurs de réaliser de nouveaux niveaux de densité et d'efficacité de puissance dans des systèmes de l'électronique de puissance. Le LMG342xR030 intègre un conducteur de silicium qui permet le changement accélèrent à 150 V/ns. Résultats intégrés de polarisation de porte de la précision du TI dans une commutation plus élevée SOA comparé aux conducteurs discrets de porte de silicium. Cette intégration, combinée avec le paquet de faible induction du TI, fournit la commutation propre et la sonnerie minimale dans des topologies d'alimentation d'énergie de dur-commutation. La force réglable d'entraînement de porte permet le contrôle du taux de groupe de 20 V/ns à 150 V/ns, qui peuvent être employés activement pour commander l'IEM et pour optimiser la représentation de commutation. Le LMG3425R030 inclut le mode idéal de diode, qui réduit des pertes de troisième-quart de cercle en permettant le contrôle mort fois adaptatif.

Caractéristiques

Applications

• Alimentations d'énergie industrielles à haute densité
• Inverseurs solaires et commandes industrielles de moteur
• Alimentations d'énergie sans coupure
• Bloc alim. marchand de réseau et de serveur
• Redresseurs marchands de télécom

Caractéristiques

protection de circuit avec < 100-ns="" response="">

–

Dur-commutation de moment de montée subite des tenues 720-V

–

Autoprotection de température excessive interne

et surveillance d'UVLO

•

Gestion avancée de puissance

–

La température PWM de Digital a produit

–

Le mode idéal de diode réduit des pertes de troisième-quart de cercle

dans

LMG3425R030

• Qualifié pour JEDEC JEP180 pour des topologies de dur-commutation
• FET de 600-V GaN-sur-SI avec le conducteur intégré de porte
• Tension de polarisation intégrée de porte de haute précision
• 200-V/ns CMTI
• fréquence 2.2-MHz de changement
• 30-V/ns à 150-V/ns a massacré le taux pour l'optimisation de commuter la représentation et la réduction d'IEM
• Fonctionne à partir de 7.5-V à l'approvisionnement 18-V
• Protection robuste
• surintensité de Cycle-par-cycle et protection verrouillée de shortcircuit avec < 100-ns="" response="">
• Dur-commutation de moment de montée subite des tenues 720-V
• Autoprotection de température excessive interne et de surveillance d'UVLO
• Gestion avancée de puissance
• La température PWM de Digital a produit
• Le mode idéal de diode réduit des pertes de troisième-quart de cercle dans LMG3425R030

 

Mesure pour déterminer des retards de propagation et des taux de groupe

 

 

 

Qualifié pour JEDEC JEP180 pour la dur-commutation

topologies

•

600

- FET de V GaN-sur-SI avec le conducteur intégré de porte

–

Tension de polarisation intégrée de porte de haute précision

–

200-V/ns CMTI

–

2,2

- Fréquence de changement de mégahertz

–

30-V/ns à 150-V/ns a massacré le taux pour l'optimisation

de la représentation de changement et de la réduction d'IEM

–

Fonctionne à partir de 7.5-V à l'approvisionnement 18-V

•

Protection robuste

–

surintensité de Cycle-par-cycle et court verrouillé

protection de circuit avec < 100-ns="" response="">

–

Dur-commutation de moment de montée subite des tenues 720-V

–

Autoprotection de température excessive interne

et surveillance d'UVLO

•

Gestion avancée de puissance

–

La température PWM de Digital a produit

–

Le mode idéal de diode réduit des pertes de troisième-quart de cercle

dans

LMG3425R030

Qualifié pour JEDEC JEP180 pour la dur-commutation

topologies

•

600

- FET de V GaN-sur-SI avec le conducteur intégré de porte

–

Tension de polarisation intégrée de porte de haute précision

–

200-V/ns CMTI

–

2,2

- Fréquence de changement de mégahertz

–

30-V/ns à 150-V/ns a massacré le taux pour l'optimisation

de la représentation de changement et de la réduction d'IEM

–

Fonctionne à partir de 7.5-V à l'approvisionnement 18-V

•

Protection robuste

–

surintensité de Cycle-par-cycle et court verrouillé

protection de circuit avec < 100-ns="" response="">

–

Dur-commutation de moment de montée subite des tenues 720-V

–

Autoprotection de température excessive interne

et surveillance d'UVLO

•

Gestion avancée de puissance

–

La température PWM de Digital a produit

–

Le mode idéal de diode réduit des pertes de troisième-quart de cercle

dans

LMG3425R030

 

FAQ
Q. Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Produit Tag:

VQFN54 a intégré le demi pont Gan Driver,

FET de LMG3422R030RQZR GaN,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

Coordonnées

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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Autres Produits

Demi usage universel de GaN IC IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 de conducteur de pont

Catégorie: Pleins conducteurs de Moitié-pont de PMIC

Série: CoolGaN™

Applications: Usage universel

Le RDS dessus: 140mOhm LS 140mOhm HS

Le conducteur LMG3411R070RWHR Gan Power Ic Power Distribution de FET commute la Manche 32VQFN de P

Ratio - Entrée:sortie: 1:1

Interface: Logique, PWM

Le nombre de fois où la tension est supérieure à la tension de l'alimentation (Vcc/Vdd): 9.5V | 18V

Actuel - sortie (maximum): 12A

Conducteur P Channel GaN Driver Integrated de commutateur électrique de LMG3410R070RWHR GaN IC

Configuration de sortie: Côté élevé

Type de sortie: P-canal

Voltage - charge: 480V (maximum)

Le nombre de fois où la tension est supérieure à la tension de l'alimentation (Vcc/Vdd): 9.5V | 18V

Le FET 600V de LMG3422R030RQZR GaN intégré a isolé GaN Gate Drivers

Courant de sortie: 1,2 A

Voltage d'alimentation - Min: 7.5 V

Voltage d'alimentation - max: 18 V

Temps de montée: 4 ans

La Manche d'IC N de commutateur de distribution d'énergie de LMG3411R150RWHR Gan Driver IC 6A VQFN32

Tension - Charge: 480V (maximum)

Tension - approvisionnement (Vcc/Vdd): 9.5V | 18V

Actuel - sortie (maximum): 6A

Le RDS sur (type): 150mOhms