Le blog de l'entreprise Wolfspeed MOSFET en carbure de silicium C3M0120065L : Neuf et d'origine, boîtier TOLL, certifié de qualité industrielle

Mingjiada Electronics propose le C3M0120065L en stock. Ce MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 650 V de Wolfspeed utilise un boîtier TOLL avancé, est certifié de qualité industrielle et fonctionne dans une large plage de températures de -40°C à +175°C.

En tant qu'exemple de premier plan de la technologie MOSFET SiC de troisième génération de Wolfspeed, le C3M0120065L permet une optimisation significative des pertes par conduction, des performances de commutation et de la densité de puissance.

C3M0120065L Principales caractéristiques

Le C3M0120065L atteint une très faible résistance à l'état passant au sein de la plateforme de tension de 650 V, avec une valeur typique de seulement 12 mΩ (à V_GS=18V, I_D=20A), supportant des courants de drain continus jusqu'à 118A (à 25°C, T_C=100°C).

Faible résistance à l'état passant : 157 mΩ (maximum) à 6,76 A, 15 V

Haute tension de claquage : 650 V

Performances de commutation rapides : charge de grille (Qg) de seulement 26 nC à 15 V

Capacité haute température : plage de température de jonction de -40°C à +175°C

Tension de commande de qualité industrielle : +15 V/-5 V (recommandé), maximum ±19 V/-8 V

Le C3M0120065L (TO-263-7) offre non seulement une faible résistance thermique et une faible inductance de plomb, mais intègre également une conception de connexion source Kelvin, réduisant considérablement les pertes de commutation et supprimant la sonnerie de grille.

C3M0120065L Avantages techniques

Développé sur la plateforme technologique MOSFET SiC de troisième génération de Wolfspeed, le C3M0120065L offre une efficacité globale du système exceptionnelle et une capacité de fonctionnement à haute fréquence.

Sa diode de corps robuste présente une charge de récupération inverse extrêmement faible (66 nC typique), réduisant considérablement les pertes de commutation et améliorant la fiabilité du système.

Comparé aux MOSFET à base de silicium traditionnels, le C3M0120065L présente des caractéristiques de résistance à l'état passant plus stables et une faible capacité parasite sur toute la plage de températures, facilitant les conceptions à haute densité de puissance.

C3M0120065L Attributs du produit

Fabricant : Wolfspeed

Type de produit : MOSFET en carbure de silicium

Style de montage : SMD/SMT

Boîtier / Boîtier : TOLL

Polarité du transistor : Canal N

Nombre de canaux : 1 canal

Vds - Tension de claquage drain-source : 650 V

Id - Courant de drain continu : 21 A

Rds On - Résistance à l'état passant du drain : 157 mOhms

Vgs - Tension grille-source : -8 V, +19 V

Vgs th - Tension de seuil grille-source : 3,6 V

Qg - Charge de grille : 26 nC

Température de fonctionnement minimale : -40°C

Température de fonctionnement maximale : +175°C

Pd - Dissipation de puissance : 86 W

Mode de canal : Amélioration

Domaines d'application

Le C3M0120065L est idéalement adapté aux applications suivantes :

Alimentations de serveurs et de télécommunications

Systèmes de recharge de véhicules électriques (chargeurs embarqués (OBC), convertisseurs CC-CC haute tension)

Systèmes de stockage d'énergie (ASI, systèmes de gestion de batterie)

Onduleurs solaires

Alimentations industrielles

Informations sur l'approvisionnement

Mingjiada Electronics garantit que le C3M0120065L est neuf et original, avec un stock suffisant disponible pour une expédition le jour même.

Le C3M0120065L est conditionné en formats ruban et bobine (TR) et coupé à la longueur (CT), avec des quantités minimales de commande flexibles et des échantillons disponibles.

Contactez-nous

Pour l'achat du C3M0120065L ou une documentation détaillée sur le produit, veuillez contacter la division des appareils d'alimentation de Mingjiada Electronics :

Contact : M. Chen

Tél. : +86 13410018555

E-mail : sales@hkmjd.com

Site Web : www.integrated-ic.com

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