Mingjiada Electronics fournit l'Infineon BSC160N15NS5 OptiMOS™ 5 MOSFET N-channel 150V – une solution de commutation de puissance à haut rendement pour l'infrastructure de télécommunications
I. BSC160N15NS5 Présentation du produit
Dans le contexte de l'évolution continue de l'infrastructure de télécommunications vers une densité plus élevée et une efficacité accrue, la sélection des MOSFET de puissance détermine directement l'efficacité de conversion et la fiabilité à long terme des systèmes d'alimentation. Le BSC160N15NS5 d'Infineon Technologies, faisant partie de la série de MOSFET de puissance OptiMOS™ 5 150V, est logé dans un boîtier SuperSO8 (TDSON-8). Avec une résistance à l'état passant ultra-faible de 16 mΩ et une capacité de courant de drain continu de 56 A, il constitue un choix idéal pour la rectification synchrone et les applications de commutation à haute fréquence dans les architectures d'alimentation 48 V au sein de l'infrastructure de télécommunications.
Mingjiada Electronics (Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.), un distributeur indépendant agréé de composants électroniques avec près de trente ans d'expérience, fournit depuis longtemps un approvisionnement stable de la gamme complète de produits MOSFET Infineon, y compris les MOSFET de puissance OptiMOS™ 5 tels que le BSC160N15NS5.
II. Spécifications techniques clés du BSC160N15NS5
Tension de claquage drain-source V_DS : 150 V
Courant de drain continu I_D (T_C=25°C) : 56 A
Résistance à l'état passant R_DS(on) (max) : 16 mΩ @ V_GS=10 V
Tension de seuil de grille V_GS(th) : 3,8 V
Dissipation de puissance totale P_tot (T_C=25°C) : 115 W
Charge de récupération inverse Q_rr : 26 nC
Capacité d'entrée C_iss : 1820 pF
Capacité de transfert inverse C_rss : 17 pF
Plage de température de jonction de fonctionnement : -55°C à +175°C
Boîtier : SuperSO8 (TDSON-8, 5×6 mm)
Ce dispositif est doté d'une conception de boîtier à double refroidissement avec une résistance thermique jonction-à-dessus extrêmement faible, combinée à un chiffre de mérite (FOM) charge de grille × résistance à l'état passant extrêmement faible et une charge de récupération inverse extrêmement faible, lui permettant de réduire considérablement les pertes de commutation et de conduction dans les applications de commutation à haute fréquence et de rectification synchrone.
III. Applications clés du BSC160N15NS5 dans l'infrastructure de télécommunications
3.1 Rectification synchrone dans les convertisseurs DC-DC 48V
L'infrastructure de télécommunications moderne utilise largement les architectures de distribution d'alimentation DC 48V. Dans les convertisseurs DC-DC à haute fréquence avec une entrée 48V, le MOSFET de rectification synchrone côté secondaire doit répondre simultanément aux doubles exigences d'une faible résistance à l'état passant et de caractéristiques de récupération rapide de la diode de corps. La résistance à l'état passant ultra-faible de 16 mΩ et la charge de récupération inverse de seulement 26 nC du BSC160N15NS5 lui permettent de réduire efficacement les pertes de rectification dans les topologies de rectification synchrone, améliorant ainsi l'efficacité de conversion globale du système.
3.2 Alimentations à découpage (SMPS) dans les équipements de télécommunications
Les alimentations à découpage dans les stations de base de télécommunications, les routeurs et les équipements de transmission imposent des exigences strictes sur l'efficacité et les performances thermiques des dispositifs de puissance. La série OptiMOS™ 5 150V est explicitement répertoriée par Infineon comme le choix recommandé pour les applications d'infrastructure de télécommunications et convient aux scénarios de commutation à haute fréquence tels que les alimentations pour les équipements de communication et la conversion d'alimentation DC-DC.
3.3 Convertisseurs de bus intermédiaires 48V (IBC)
Dans les centres de données et les salles d'équipement de télécommunications, les convertisseurs de bus intermédiaires 48V sont responsables de la conversion de la tension du bus 48V à la tension au point de charge. Grâce à ses caractéristiques FOM faibles, le BSC160N15NS5 permet une densité de puissance plus élevée et une élévation de température plus faible dans les topologies IBC.
3.4 Entraînements basse tension et applications solaires
En plus de l'infrastructure de télécommunications, le BSC160N15NS5 convient également aux entraînements basse tension (tels que les chariots élévateurs électriques et les scooters électriques) ainsi qu'aux onduleurs solaires, démontrant une large adaptabilité dans divers scénarios.
IV. Mingjiada Electronics – Votre fournisseur de confiance de MOSFET Infineon
4.1 Forces de l'entreprise
Fondée en 1996 et basée à Shenzhen, Mingjiada Electronics possède des succursales à Hong Kong, au Japon, en Russie et à Taïwan, avec plus d'un million de modèles en stock.
4.2 Assurance d'approvisionnement
Produits OEM authentiques : Tous les produits MOSFET Infineon sont sourcés via des canaux OEM officiels, éliminant le risque de contrefaçons.
Stock suffisant : Nos deux centres d'entreposage à Shenzhen et à Hong Kong maintiennent des stocks importants de modèles clés, la série BSC160N15NS5 étant disponible pour une expédition rapide.
Réponse rapide : Les commandes urgentes sont expédiées dans les 4 heures ; les commandes standard sont livrées dans les 48 heures.
Approvisionnement flexible : Nous prenons en charge les achats d'échantillons en petits lots et les commandes en gros volumes, offrant des prix compétitifs sur le marché.
V. Achat et contact
Si vous recherchez une source d'approvisionnement fiable pour le BSC160N15NS5 pour un projet d'infrastructure de télécommunications, veuillez contacter Mingjiada Electronics pour le dernier devis.
Mobile : +86 13410018555
E-mail : sales@hkmjd.com
Adresse : Bureaux 1239–1241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, district de Futian, Shenzhen, province du Guangdong
Mingjiada Electronics – votre partenaire unique pour les MOSFET Infineon, assurant une conversion de puissance fiable pour tous les aspects de votre infrastructure de télécommunications.
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