Le blog de l'entreprise Transistors d'alimentation, transistors de carbure de silicium

Transistors d'alimentation, transistors de carbure de silicium

La Commission a examiné les informations fournies par les autorités chinoises.¢ Fournisseur à long terme de transistors [Infineon], y compris, mais sans s'y limiter, les transistors MOSFET de puissance, les transistors IGBT, les dispositifs en carbure de silicium (SiC) et autres produits.Mingjiada Electronics fournit des transistors Infineon couvrant à la fois les chemins de la technologie à base de silicium (Si) et de carbure de silicium (SiC), répondant aux exigences de scénarios complets allant de l'électronique grand public aux applications automobiles.

Transistors MOSFET de puissance
1. MOSFETs à haute tension de qualité industrielle
IRFP4110PBF: paquet TO-247, spécification 100V/180A, résistance d'allumage aussi basse que 3,7mΩ, adapté aux systèmes UPS et aux sources d'alimentation de commutation à courant élevé.
IRFB3306PBF: TO-220 package, 60V/160A, charge de passerelle de seulement 85nC, optimisé pour les circuits de rectification synchrones dans les alimentations de serveur.
2. Les appareils OptiMOSTM de nouvelle génération
BSZ440N10NS3G: 100V/70A, paquet TO-263, résistance à prise ultra-faible (4,4mΩ), optimisé pour les convertisseurs CC-CC et les outils électriques.
BSC052N08NS5: SuperSO8 package, 80V/100A, densité de puissance augmentée de 30%, pour les modules OBC des véhicules à énergie nouvelle.

Infineon Transistors IGBT
1. IGBT de catégorie automobile: conformes aux normes AEC-Q101, prenant en charge des plages de tension allant de 650V à 1200V pour les systèmes de groupe motopropulseur des véhicules électriques et les bornes de recharge.
2Modules de qualité industrielle: diodes à roue libre intégrées, adaptées aux onduleurs photovoltaïques et aux convertisseurs de fréquence industriels, dotées d'une capacité de surcharge élevée et d'une stabilité thermique.

Infineon ¢ appareils au carbure de silicium (SiC)
1. CoolSiCTM MOSFET: la série 1200V prend en charge le fonctionnement à haute température de 200°C, réduisant les pertes de commutation de 60%, pour les onduleurs solaires et les alimentations des centres de données.
2. Diodes de barrière SiC Schottky: la série Rapid 650V atteint des caractéristiques de récupération douce, réduisant considérablement le rayonnement EMI, adapté aux applications à haute fréquence de 40 à 100 kHz.

Assurance qualité: Mingjiada Electronics maintient des canaux d'approvisionnement robustes et fiables avec une gestion stricte de la chaîne d'approvisionnement, garantissant la stabilité et la fiabilité du produit.
Disponibilité suffisante de stocks: Mingjiada Electronics détient un inventaire important de transistors [Infineon], qui répond à la fois aux demandes d'échantillons de petits lots et aux besoins d'approvisionnement en grande quantité.
Livraison rapide: En tirant parti d'un système logistique efficace, Mingjiada Electronics assure une livraison rapide des produits aux clients.

En outre, Mingjiada Electronics maintient une fourniture à long terme d'autres séries de puces électroniques, notamment: puces 5G, circuits intégrés de nouvelle énergie, circuits intégrés IoT, circuits intégrés Bluetooth, circuits intégrés télématiques, circuits intégrés automobiles,circuits intégrés de communication, les circuits intégrés IA, les circuits intégrés mémoire, les circuits intégrés capteurs, les circuits intégrés microcontrôleur, les circuits intégrés émetteur-récepteur, les circuits intégrés Ethernet, les puces WiFi et les connecteurs.

Pour plus de détails sur les produits de transistors Infineon ou pour connaître les prix des modèles spécifiques, veuillez consulter le site officiel de Mingjiada Electronics (Les informations fournies par les autorités compétentes sont les suivantes:) pour explorer les informations sur l'offre.