Le blog de l'entreprise (Propriété) Transistors IGT60R070D1ATMA4 et IGO60R070D1AUMA1 CoolGaNTM HEMT au nitrure de gallium

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd (fournisseur) Transistors IGT60R070D1ATMA4 et IGO60R070D1AUMA1 CoolGaNTM HEMT au nitrure de gallium

Définition

Les HEMT au nitrure de gallium d'Infineon CoolGaNTM offrent un certain nombre d'avantages, notamment une efficacité, une fiabilité, une densité de puissance et une masse très élevées par rapport au silicium.Les transistors CoolGaN sont basés sur une technologie extrêmement fiable et sont conçus pour atteindre un rendement et une densité de puissance ultra-hauts dans les alimentations en mode commutateurCes dispositifs fonctionnent de manière similaire aux MOSFET en silicium conventionnels avec des structures de porte p-GaN et un biais de conduite de porte de mode amélioré.

La qualité supérieure d'Infineon CoolGaN le rend idéal pour les topologies de commutation dures et douces. coolGaN prend en charge le réglage de topologies de demi-pont plus simples pour PFC,y compris l'élimination des redresseurs de ponts d'entrée à perte. les HEMT coolGaN fournissent des dispositifs semi-conducteurs de puissance avec des champs électriques critiques plus élevés pour une commutation supérieure à grande vitesse.

Caractéristiques

• Facteur de qualité pour les appareils de puissance de 600 V
• Idéal pour les topologies de commutation dures et douces
• Densité de puissance jusqu'à trois fois supérieure
• Mode d'allumage et de désactivation optimisé
• Technologie pour des solutions innovantes et de grandes capacités
• Efficacité extrêmement élevée des SMPS
• Le paquet de montage de surface assure un accès complet à la capacité de commutation GaN
• Portefeuille varié de circuits intégrés de conduite pour faciliter l'utilisation

Applications

• Serveurs
• Les télécommunications
• Chargement sans fil
• Adaptateurs et chargeurs

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