Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd fournit des MOSFETs de puissance STMicroélectronique STL33N60DM2 N-canal FDmesh II PlusTM, tout neufs et originaux, assurance qualité!
Numéro de modèle: STL33N60DM2
Série: MDmeshTM DM2
Statut du produit: en vente
Type de FET: N-canal
Technologie: MOSFET (oxyde de métal)
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Courant à 25°C - écoulement continu (Id): 21A (Tc)
Voltage d'entraînement (max Rds On, min Rds On): 10V
Résistance d'allumage (max) à différents Id, Vgs: 140 mOhm @ 10,5A, 10V
Vgs ((th) à différentes Id (max): 5V @ 250μA
Charge de la porte (Qg) (max) à Vgs: 43 nC @ 10 V
Vgs (max): ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) à Vds variables (max): 1870 pF @ 100 V
Pour les appareils à commande numérique, le système de commande numérique doit être équipé d'un système de commande numérique.
Température de fonctionnement: -55 °C à 150 °C (TJ)
Type de montage: montage à la surface
Le dispositif fourni par le fournisseur: PowerFlatTM (8x8) HV
Le système d'alimentation doit être équipé d'un système d'alimentation électrique.
Introduction au projet
La série MDmesh DM2 de ST est la plus récente famille de diodes de récupération rapide de ST, des MOSFET de puissance 600V, particulièrement adaptés aux topologies de pont de transfert de phase ZVS.,Une résistance dV/dt élevée (40V/ns) assure une plus grande fiabilité du système.
Caractéristiques
- Faible charge de porte et capacité d'entrée
- Surfaces x RDS (sur) inférieures à la génération précédente
- Faible résistance à l'entrée de la porte
- Conçus pour la commutation d'applications
- Testé à 100% en cas d'avalanche
- Protégé par Zener
- Capacité élevée à résister à la pluie et aux avalanches
Pour plus d'informations, veuillez contacter M. Chen par téléphone:
Tél.: +86 13410018555
Le courrier électronique: sales@hkmjd.com
Site internet:Le présent règlement est obligatoire dans tous ses éléments.
Votre message doit contenir entre 20 et 3 000 caractères!
