Le blog de l'entreprise Fourniture de transistors de puissance ST : IGBT, bipolaires de puissance, MOSFET de puissance, GaN, MOSFET SiC

Transistors de puissance ST : IGBT, bipolaires de puissance, MOSFET de puissance, GaN, MOSFET SiC

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., un distributeur indépendant agréé de composants électroniques de renommée mondiale, reste fermement engagé à fournir des solutions de produits de qualité supérieure à ses clients du monde entier.

Notre portefeuille de produits principaux comprend : Puces 5G, circuits intégrés pour les nouvelles énergies, circuits intégrés IoT, circuits intégrés Bluetooth, circuits intégrés télématiques, circuits intégrés de qualité automobile, circuits intégrés de communication, circuits intégrés d'IA, circuits intégrés de mémoire, circuits intégrés de capteurs, circuits intégrés de microcontrôleurs, circuits intégrés d'émetteurs-récepteurs, circuits intégrés Ethernet, puces WiFi, modules de communication sans fil, connecteurs et autres composants électroniques.

Domaines d'application : Nos produits sont largement utilisés dans de nombreux secteurs, notamment l'automobile, les équipements de communication, l'informatique, l'électronique grand public, les instruments médicaux, les équipements audio, les instruments d'affichage vidéo, les systèmes de communication et les alimentations automobiles.

Philosophie de service : En respectant le principe de « servir les clients et d'apporter de la valeur », nous fournissons à nos clients des composants électroniques diversifiés et de haute qualité.

【IGBT】

Tensions de claquage de 300 à 1700 V. Faible VCE(SAT) pour réduire les pertes par conduction. Amélioration de la dispersion de l'énergie à l'arrêt par rapport à l'augmentation de la température.

Types de produits

ST propose une vaste gamme d'IGBT de puissance pour toute plage de tension dans les applications industrielles et automobiles.

IGBT STPOWER 300-400 V (bridés)

Utilisés comme pilotes de bobine pour les systèmes d'allumage automobile haute performance, ces IGBT sont disponibles en différentes tensions de bride (avec des valeurs typiques allant de 350 à 410 V) et des niveaux de courant (de 10 à 30 A).

IGBT STPOWER 600-750 V

Les IGBT ST 600, 650 et 750 V fournissent une plage de courant de collecteur maximale allant jusqu'à 320 A pour les applications avec une fréquence de fonctionnement allant jusqu'à 100 kHz.

IGBT STPOWER 1200-1350 V

IGBT ST avec une tension nominale supérieure ou égale à 1200 V, pour un courant maximal allant de 3 à 75 A dans différents boîtiers discrets pour les applications avec une fréquence de fonctionnement allant jusqu'à 100 kHz.

IGBT STPOWER bare die jusqu'à 1700 V

Les IGBT bare die sont disponibles en différents compromis, avec une tension maximale de 1700 V et un courant de collecteur allant jusqu'à 200 A, pour une large gamme d'applications telles que le contrôle moteur, les servocommandes, le soudage, le solaire et les onduleurs de traction pour les applications industrielles et automobiles.

【Bipolaires de puissance】

Une large gamme qui comprend des transistors Darlington et des BJT avec un VCES de 15 à 1700 V.

Principales caractéristiques des transistors NPN / PNP bipolaires de ST

Temps de commutation rapides et très faible tension de saturation, ce qui réduit les pertes par commutation et par conduction

Versions à diode intégrée pour réduire le nombre de composants

Paramètre hFE bien contrôlé pour une fiabilité accrue

Meilleur rapport coût-performance

【MOSFET de puissance】

Large gamme de tensions de claquage de -100 à 1700 V, avec une faible charge de grille et une faible résistance à l'état passant, combinées à un emballage de pointe.

Types de produits

ST propose une gamme impressionnante de MOSFET de puissance pour toute plage de tension dans les applications industrielles et automobiles, telles que les alimentations à découpage (SMPS), l'éclairage, le contrôle moteur, la production d'énergie et l'électro-mobilité, le châssis et la sécurité, et le confort.

MOSFET basse tension 20V-30V

Découvrez nos MOSFET de puissance basse tension STripFET, avec une faible charge de grille et une faible résistance à l'état passant, combinés à une solution de boîtier appropriée.

MOSFET canal N STPOWER > 30V à 200V

Découvrez notre portefeuille de MOSFET canal N STripFET de moyenne tension, disponible dans une large gamme de boîtiers miniatures et haute puissance.

MOSFET canal N STPOWER > 200V à 700V

La dernière technologie super-jonction de ST, conçue pour les topologies à commutation dure et résonantes, adaptée aux applications haute puissance.

> MOSFET HV et VHV 700V-1700V

Découvrez nos MOSFET de puissance haute tension et très haute tension MDmesh, avec une capacité de gestion de la puissance améliorée, ce qui se traduit par des solutions à haut rendement.

MOSFET canal P

Découvrez nos MOSFET canal P STripFET, disponibles dans des boîtiers de très petit format et récemment élargis avec de nouveaux dispositifs à grille en tranchée.

【Transistors GaN】

La technologie GaN excelle dans les applications haute fréquence, offrant une efficacité supérieure, une densité de puissance élevée et une commutation extrêmement rapide.

【MOSFET SiC】

De 650 à 2200 V, les MOSFET SiC améliorent l'efficacité énergétique, permettent des systèmes plus compacts et plus légers, et sont idéaux pour les applications haute tension et haute performance.

Les principales caractéristiques de nos MOSFET SiC incluent :

Dispositifs qualifiés pour l'automobile (AG)

Capacité de tenue à très haute température (max. TJ = 200 °C)

Fonctionnement à très haute fréquence de commutation et très faibles pertes de commutation

Faible résistance à l'état passant

Commande de grille compatible avec les circuits intégrés existants

Diode intrinsèque très rapide et robuste