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Le blog de l'entreprise CI de commutation côté bas ST Supply, MOSFET de puissance entièrement autoprotegé de la série OMNIFET II VND5N07TR Supply

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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CI de commutation côté bas ST Supply, MOSFET de puissance entièrement autoprotegé de la série OMNIFET II VND5N07TR Supply
Dernières nouvelles de l'entreprise CI de commutation côté bas ST Supply, MOSFET de puissance entièrement autoprotegé de la série OMNIFET II VND5N07TR Supply

Alimentation ST Low Side Switch IC, Alimentation VND5N07TR OMNIFET II Série MOSFET de puissance entièrement autoprotegée

 

VND5N07TR OMNIFET II : Solution MOSFET de puissance à protection entièrement automatique, commutateur côté bas

 

VND5N07TR Aperçu du produit et principales caractéristiques :
Le VND5N07TR est un commutateur de puissance intelligent à canal unique basé sur la technologie VIPower M0-3 de STMicroelectronics, conditionné dans un boîtier DPAK (TO-252-3) à montage en surface. Le VND5N07TR intègre un MOSFET de puissance à canal N, une logique de commande et des modules de fonctionnalité de protection complets, permettant le remplacement direct des solutions MOSFET traditionnelles.

 

La caractéristique innovante du VND5N07TR réside dans son architecture de « self-protection », qui permet une protection contre les défaillances multiples sans avoir besoin de circuits de surveillance externes, simplifiant considérablement la conception du système.

 

Le dispositif VND5N07TR fonctionne dans une plage de température de -40°C à +150°C et est conforme à la norme de certification de qualité automobile AEC-Q101, garantissant un fonctionnement stable dans des environnements difficiles.

 

La conception du boîtier du VND5N07TR optimise les performances thermiques, avec une capacité de dissipation de puissance de 60W, ce qui lui permet de gérer des charges de courant à fort impact. Le produit VND5N07TR est conditionné en format ruban et bobine (TR), ce qui le rend adapté aux chaînes de production SMT automatisées et améliore l'efficacité de la fabrication à grande échelle.

 

VND5N07TR Spécifications techniques détaillées
Le VND5N07TR atteint un équilibre précis en termes de performances électriques, répondant aux exigences de manipulation de puissance élevée tout en maintenant de faibles caractéristiques de perte. Voici les principaux paramètres techniques du VND5N07TR :
Caractéristiques de tension
Tension de charge : 55V
Tension de claquage drain-source : 70V

Caractéristiques de courant
Courant de sortie continu : 3,5A
Courant de sortie de crête : 5,0A
Seuil de limitation de courant : 5,0A
Caractéristiques de conduction
Résistance de conduction : 200mΩ

Charge de grille : 18nC
Caractéristiques de commutation
Temps de retard typique à l'activation : 50-150ns
Temps de retard typique à la désactivation : 150-3900ns
Performances thermiques
Dissipation de puissance : 60W
Température de jonction de fonctionnement : -40~+150°C

 

La résistance à l'état passant typique du VND5N07TR n'est que de 200 mΩ (maximum), ce qui se traduit par une dissipation de puissance à l'état passant de seulement 5 W dans des conditions de charge de 5 A, réduisant considérablement la complexité de la gestion thermique du système. La synchronisation de la commutation du dispositif VND5N07TR a été optimisée, avec un temps de montée de 60–400 ns et un temps de descente de 40–1100 ns, équilibrant les pertes de commutation avec les performances EMI.

 

Notamment, le produit VND5N07TR utilise une logique d'entrée non inverseuse (activation de niveau haut), prenant en charge la commande directe à des niveaux CMOS/TTL de 3V à 5V sans nécessiter de circuits de conversion de niveau supplémentaires. Son courant statique est extrêmement faible, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications alimentées par batterie

 

Schéma fonctionnel du VND5N07TR :

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VND5N07TR est un dispositif monolithique conçu à l'aide de la technologie STMicroelectronics®VIPower®M0, destiné à remplacer les MOSFET de puissance standard pour les applications de courant continu à 50 KHz. Le VND5N07TR dispose d'un arrêt thermique intégré, d'une limitation de courant linéaire et d'une pince de surtension qui protègent la puce dans des environnements difficiles. La rétroaction des défauts du VND5N07TR peut être détectée en surveillant la tension sur la broche d'entrée.

 

Mingjiada Electronicsfournit depuis longtemps des MOSFET de puissance à protection entièrement automatique de la série OMNIFET II™ de ST (VND5N07TR). Pour plus d'informations sur le produit VND5N07TR ou pour des demandes de prix, veuillez consulter le site Web officiel de Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) pour plus de détails.

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