Fournitures de composants discrets de puissance Renesas : composants discrets de puissance GaN, MOSFET de puissance
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.est un fournisseur de renommée mondiale de composants électroniques. Tirant parti de ses ressources de chaîne d'approvisionnement mondiale, l'entreprise fournit des produits originaux directement d'usine à des clients dans des secteurs tels que l'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les équipements pour les énergies nouvelles et l'électronique grand public. Elle a gagné la confiance du marché grâce à son excellent rapport coût-efficacité, sa rapidité de livraison et ses services professionnels.
Principaux avantages :
Gamme de produits complète : Nous fournissons une gamme complète de produits, notamment des puces 5G, des circuits intégrés pour les énergies nouvelles, des circuits intégrés IoT, des circuits intégrés Bluetooth, des circuits intégrés pour réseaux embarqués, des circuits intégrés de qualité automobile, des circuits intégrés de communication, des circuits intégrés d'IA, des circuits intégrés de mémoire, des circuits intégrés de capteurs, des circuits intégrés de microcontrôleurs, des circuits intégrés d'émetteurs-récepteurs, des circuits intégrés Ethernet, des puces WiFi, des modules de communication sans fil, des connecteurs, et plus encore, pour répondre aux divers besoins des clients.
Assurance de l'inventaire en stock : En tirant parti du système intégré entre notre siège social de Shenzhen et l'entrepôt de Hong Kong, nous maintenons un inventaire de produits suffisant pour prendre en charge à la fois la production d'essai en petits lots et les achats à grande échelle. Les modèles standard sont expédiés dans les 24 heures et les matériaux rares peuvent être approvisionnés dans les 72 heures.
Compétitivité des prix : Grâce à des partenariats étroits avec de nombreuses marques et à nos capacités d'achat à grande échelle, nous proposons des prix inférieurs à la moyenne du marché. Nous offrons des remises échelonnées pour les partenaires à long terme et les commandes importantes, ce qui réduit considérablement les coûts de la chaîne d'approvisionnement des clients.
【Composants discrets de puissance GaN】
Renesas est un pionnier des transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) au nitrure de gallium (GaN) de puissance, offrant des solutions fiables et performantes dans un large éventail d'applications, allant de 25 W à 10 kW. Avec plus de 20 millions de dispositifs haute et basse puissance expédiés, nos produits ont collectivement accumulé plus de 300 milliards d'heures de fonctionnement sur le terrain. Ces réalisations sont le fruit d'une architecture unique et fondamentalement supérieure qui exploite les avantages de performance inhérents au GaN.
Nous proposons une sélection d'options de boîtiers HEMT GaN de puissance, notamment des PQFN compacts, des boîtiers à fils robustes et divers boîtiers à montage en surface avec refroidissement par le bas et par le haut. Cette polyvalence est inégalée par les produits GaN concurrents, qui sont souvent limités par des contraintes de conception.
Notre architecture robuste normalement désactivée, la grande variété de boîtiers et le circuit frontal MOSFET en silicium basse tension intégré permettent une compatibilité transparente avec les pilotes en silicium standard. Ces caractéristiques rendent l'adoption du GaN plus simple et plus rentable pour les développeurs de systèmes.
Robuste et fiable
Notre technologie Cascode GaN-sur-Si très robuste a accumulé plus de 300 milliards d'heures sur le terrain, ce qui fait de nous un fournisseur de GaN fiable avec une chaîne d'approvisionnement intégrée verticalement.
Portefeuille haute performance
Les dispositifs GaN de 650 V et 700 V couvrent le spectre de puissance de 25 W à 10 kW avec 25 % de pertes en moins et une efficacité améliorée par rapport aux autres produits et substrats GaN.
Facile à concevoir
Facile à piloter avec des pilotes de grille standard grâce à une structure cascode unique, offrant des boîtiers à fils, CMS et refroidis par le haut compatibles broche à broche et une bibliothèque de ressources de conception.
【MOSFET de puissance】
Les MOSFET de puissance de Renesas prennent en charge la miniaturisation et le rendement élevé des systèmes. Ils conviennent aux applications de conversion de puissance telles que les onduleurs et les convertisseurs, ainsi qu'aux commutateurs de charge, en atteignant une grande robustesse. De plus, Renesas s'engage à augmenter la capacité de production avec la mise en place d'une nouvelle ligne de 12 ", en s'efforçant d'assurer un approvisionnement stable.
Applications
Les MOSFET de puissance de Renesas prennent en charge diverses applications.
Industriel
Les MOSFET de Renesas sont largement adoptés dans les applications de puissance montées sur des sources d'énergie renouvelables telles que les onduleurs photovoltaïques et les systèmes de stockage d'énergie (ESS), ainsi que dans les entraînements d'onduleurs de moteurs pour les outils électriques et autres équipements.
Informatique et télécommunications
Pour les serveurs d'IA et les alimentations à découpage des accélérateurs, ainsi que pour les alimentations des stations de base couramment utilisées dans l'infrastructure sans fil, la clé est la réduction des pertes grâce à la commutation à grande vitesse. Les MOSFET de Renesas contribuent à la miniaturisation et à une plus grande efficacité des ensembles grâce à leur faible résistance à l'état passant et à leurs performances de commutation.
Automobile
Les systèmes de contrôle des véhicules doivent prendre en charge une large gamme de tensions, principalement les systèmes d'alimentation 12 V et 24 V utilisés dans les moteurs à combustion interne (ICE), et les systèmes d'alimentation 48 V représentés par les deux-roues électriques et les chariots électriques. Les MOSFET de Renesas offrent une large gamme pour couvrir les systèmes de contrôle en croissance rapide pour les xEV et les applications de conversion de puissance pour l'infrastructure de recharge.
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