Rénésas d'approvisionnementLe numéro d'enregistrement est le numéro d'enregistrement de l'établissement.Les données sont fournies par le système d'exploitation.
[La Commission a examiné les informations fournies par les autorités chinoises.]L'approvisionnement à long terme (Renesas)Le numéro d'enregistrement est le numéro d'enregistrement de l'établissement.8Mbit DataFlash ¥1,7V à 3,6V Range, SPI Serial NOR Flash Memory IC. Ci-dessous sont les informations sur le produit pour AT45DB081E-SHN-T DataFlash:
Numéro de la partie:Le numéro d'enregistrement est le numéro d'enregistrement de l'établissement.
Paquet: SOIC-8
Type: DataFlash SPI sériel ou IC de mémoire flash
AT45DB081E-SHN-T DataFlash is a member of our System Enhancing class of code and data storage solutions designed with an advanced dual SRAM buffer architecture that makes it the most efficient memory for data logging.
AT45DB081E-SHN-T intègre également une suite de fonctionnalités avancées qui économisent l'énergie du système, réduisent les frais généraux du processeur, simplifient le développement logiciel,et fournir des options complètes de sécurité et d'intégrité des données.
Attributs du produitLe numéro d'enregistrement est le numéro d'enregistrement de l'établissement.
Type de mémoire: non volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: flash
Taille de mémoire: 8 Mbit
Organisation de la mémoire: 264 octets x 4096 pages
Interface de mémoire: SPI
Fréquence d'horloge: 85 MHz
Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 8μs, 4ms
Voltage - alimentation: 1,7 V à 3,6 V
Température de fonctionnement: -40 °C à 85 °C (TC)
Type de montage: montage à la surface
L'emballage / le boîtier: 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de largeur)
Le fournisseur fournit un ensemble de dispositifs: 8-SOIC
Caractéristiques du AT45DB081E-SHN-T
●Alimentation simple de 1,7 V à 3,6 V
●Interface périphérique en série (SPI) compatible
- Prend en charge les modes SPI 0 et 3
- Prend en charge l'opération RapidS"M
●Capacité de lecture continue à travers tout le réseau
- Jusqu'à 85 MHz
- Option de lecture à faible puissance jusqu'à 15 MHz
- Temps d'horloge à sortie (tv) de 6 ns maximum
●Taille de page configurable par l'utilisateur
- 256 octets par page
- 264 octets par page (par défaut)
- La taille de la page peut être préconfigurée en usine pour 256 octets
●Deux tampons de données SRAM totalement indépendants (256/264 octets)
- Permet de recevoir des données tout en reprogrammant la mémoire principale
●Options de programmation flexibles
- Byte/Page Programme (1 à 256/264 octets) directement dans la mémoire principale
- Écrire dans le tampon
- Buffer vers le programme de la page mémoire principale
●Options d'effacement flexibles
- Effacement de page (256/264 octets)
- Effacement de bloc (2 kB)
- Effacement du secteur (64 kB)
- Effacement de puce (8 Mbits)
●Programme et effacer Suspendre/reprendre
●Des fonctionnalités avancées de protection des données matérielles et logicielles
- Protection du secteur individuel
- Fermeture individuelle des secteurs pour rendre tout secteur en lecture seule en permanence
●Registre de sécurité à 128 octets, programmable une seule fois (OTP)
- 64 octets d'usine programmés avec un identifiant unique
- 64 octets programmables par l'utilisateur
● Options de réinitialisation contrôlées par matériel et logiciel
●Lire l'identifiant du fabricant et du dispositif selon la norme JEDEC
●Faible dissipation de l'énergie
- 400 nA de courant d'arrêt ultra-profond (typique)
- 4,5 μA de courant basse tension (typique)
- 25 μA de courant de veille (typique)
- 11 mA de courant actif de lecture (typiquement à 20 MHz)
● Durée de vie: 100 000 cycles de programmation/effacement par page minimum
●Réservation des données: 20 ans
●Conforme à toute la plage de température industrielle
AT45DB081E-SHN-T est une mémoire flash d'accès séquentiel à interface série de 1,7 V minimum, idéale pour une grande variété d'applications de voix numérique, d'image, de code de programme et de stockage de données.
AT45DB081E-SHN-T prend également en charge l'interface série RapidS pour les applications nécessitant un fonctionnement à très haute vitesse.650,752 bits de mémoire sont organisés en 4 096 pages de 256 octets ou 264 octets chacune.
En plus de la mémoire principale, l'AT45DB081E-SHN-T contient également deux tampons SRAM de 256/264 octets chacun.L'entrelacement entre les deux tampons peut augmenter considérablement la capacité d'un système à écrire un flux de données continuEn outre, les tampons SRAM peuvent être utilisés comme mémoire supplémentaire pour le système,et l'émulation E2PROM (altérabilité en bits ou en octets) peut être facilement gérée avec une opération de lecture-modification-écriture en trois étapes autonome.
AT45DB081E-SHN-T?? Contrairement aux mémoires Flash classiques auxquelles l'accès est aléatoire avec plusieurs lignes d'adresse et une interface parallèle,le DataFlash@ utilise une interface série pour accéder séquentiellement à ses donnéesL'accès séquentiel simple réduit considérablement le nombre de broches actives, facilite une mise en page matérielle simplifiée, augmente la fiabilité du système, minimise le bruit de commutation et réduit la taille du paquet.L'AT45DB081E-SHN-T est optimisé pour une utilisation dans de nombreuses applications commerciales et industrielles où la haute densité, faible nombre de broches, faible tension et faible puissance sont essentiels.
Caractéristiques essentielles de l'AT45DB081E-SHN-T
Inclut un tampon SRAM R/W contrôlable pour une flexibilité maximale
Architecture de bloc standard avec suppression de page de 256 octets ajoutés pour une journalisation de données efficace en énergie
L'écriture par octet fournit la fonctionnalité EEPROM série dans un périphérique flash série ou non
Étincelle ultra-profonde fonctionnant à > 400nA
Le fonctionnement Vcc étendu permet à la mémoire du système de fonctionner sur toute la plage de tension
La sécurité complète et les caractéristiques d'identification uniques protègent l'appareil contre toute manipulation extérieure
Diagramme de bloc de AT45DB081E-SHN-T
Mingjiada électroniquea fourni des données FlashLe numéro d'enregistrement est le numéro d'enregistrement de l'établissement.Pour plus d'informations sur la mémoire AT45DB081E-SHN-T, veuillez visiter le site officiel de Mingjiada Electronics (Les informations fournies par les autorités compétentes sont les suivantes:) et
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