Le blog de l'entreprise Transistor MOSFET à haute efficacité de 20 V 45 A

Approvisionnement/Recyclage PUOLOPPTQ45P02 MOSFET de puissance à canal P 20V 45A à haut rendement

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. s'est imposée comme un leader dans le recyclage et la distribution de composants électroniques grâce à son vaste portefeuille de produits, sa perspective mondiale et ses services professionnels.

La société fournit et recycle le PTQ45P02: un MOSFET de puissance à canal P à haut rendement conçu pour optimiser la gestion de l'alimentation dans les appareils portables.

L'avantage concurrentiel du PTQ45P02 est un transistor MOSFET de puissance à canal P avancé conçu pour relever ces défis. Avec sa tension de claquage de 20 V, sa capacité de gestion de courant de 45 A et sa prise en charge transparente des niveaux logiques bas de 1,8 V, il est devenu un composant essentiel dans les commutateurs de charge haut de gamme, les systèmes de gestion de batterie et les applications similaires.

I. Caractéristiques principales du PTQ45P02:

Le PTQ45P02 est un MOSFET de puissance à canal P avancé spécialement conçu pour les applications de commutation de puissance exigeantes. Les MOSFET à canal P sont fréquemment utilisés comme commutateurs côté haut dans les circuits d'alimentation (connectant la source d'alimentation à la charge), une configuration qui simplifie le circuit du pilote et offre des avantages distincts dans les systèmes contrôlés par une logique basse tension.

L'avantage concurrentiel du PTQ45P02 réside dans ses principaux paramètres électriques :

Courant et tension nominaux élevés : Il prend en charge une tension drain-source de 20 V (Vdss) et un courant de drain continu (Id) allant jusqu'à 45 A. Cette spécification lui permet de gérer facilement les courants d'appel dans les applications à haute densité de puissance telles que les alimentations mobiles, les avions RC et les entraînements de moteurs à courant élevé.

Efficacité de commutation exceptionnelle : Sa tension de seuil de grille (Vgs(th)) est aussi basse que 400 mV, ce qui permet une commutation fiable avec des tensions de contrôle extrêmement basses (jusqu'à des niveaux logiques de 1,8 V). Cette fonctionnalité permet une interface directe avec les microprocesseurs modernes, les DSP ou les ASIC basse tension sans circuits de décalage de niveau supplémentaires, ce qui permet d'économiser de l'espace et de réduire la complexité du système.

Performances dynamiques optimisées : L'appareil présente une capacité d'entrée (Ciss) de 3,5 nF et une capacité de transfert inverse (Crss) de 445 pF. Ces faibles valeurs de capacité nécessitent moins de charge pour l'entraînement de la grille lors de la commutation à grande vitesse, ce qui réduit considérablement les pertes de commutation et améliore l'efficacité globale du système. Cela le rend particulièrement adapté aux applications PWM à haute fréquence.

II. Spécifications du PTQ45P02:

Type de transistor MOSFET

Type de canal de contrôle Canal P

Pd - Dissipation de puissance maximale 35 W

Vds - Tension drain-source maximale 20 V

Vgs - Tension grille-source maximale 12 V

Id - Courant de drain maximal 45 A

Tj - Température de jonction maximale 150 °C

Vgs(th) - Tension de grille de seuil maximale 1 V

Qg - Charge de grille totale 55 nC

tr - Temps de montée 42 nS

Coss - Capacité de sortie 577 pF

III. Points forts techniques du PTQ45P02:

Compatibilité exceptionnelle avec l'entraînement au niveau logique de 1,8 V

Cela représente l'avantage le plus significatif du PTQ45P02. Les MOSFET traditionnels nécessitent généralement des tensions de grille plus élevées (par exemple, 4,5 V ou 10 V) pour une conduction complète, tandis que le PTQ45P02 réalise une commutation efficace à seulement 1,8 V. Cela permet une intégration transparente avec les microprocesseurs basse consommation, les SoC et les puces logiques numériques grand public sans circuits de décalage de niveau supplémentaires. Par conséquent, il simplifie la conception, réduit les coûts et minimise le nombre de composants et les points de défaillance potentiels.

Emballage optimisé et gestion efficace de l'alimentation

Son boîtier à montage en surface PDFN3333 offre d'excellentes performances thermiques, facilitant la dissipation rapide de la chaleur de la puce vers le PCB et améliorant la fiabilité du système. Combiné à ses faibles caractéristiques de résistance à l'état passant, cela se traduit par une dissipation de puissance exceptionnellement faible pendant le fonctionnement de la commutation, ce qui le rend idéal pour les appareils portables critiques en termes d'efficacité.

IV. Scénarios d'application du PTQ45P02

Les caractéristiques de performance du PTQ45P02 permettent des performances exceptionnelles dans de nombreux domaines de pointe :

Commutation de charge et gestion de l'alimentation haut de gamme : Cela représente son application la plus classique. Dans le chemin d'alimentation principal des appareils portables tels que les téléphones mobiles, les tablettes et les drones, le PTQ45P02 fonctionne comme une ‘porte d'alimentation’ efficace. Ses caractéristiques de canal P permettent un placement entre la borne positive de l'alimentation et la charge. Le contrôle direct de l'alimentation vers les modules individuels est obtenu via des signaux GPIO basse tension, ce qui permet une gestion précise de l'alimentation.

Protection de la batterie et circuits de commutation : Dans les appareils alimentés par batterie tels que les batteries externes et les outils électriques, ce MOSFET est le choix idéal pour la construction de commutateurs de contrôle de décharge dans les systèmes de gestion de batterie (BMS). Ses faibles pertes de conduction minimisent la dissipation d'énergie, prolongeant ainsi l'autonomie de l'appareil.

Entraînement de moteur et ESC pour modèles RC : Pour les moteurs sans balais utilisés dans les avions RC et les petits robots, les contrôleurs de vitesse électroniques (ESC) nécessitent des commutateurs de puissance capables d'une réponse rapide et d'une commutation efficace. La capacité de courant élevée du PTQ45P02 et ses caractéristiques de commutation rapide facilitent un contrôle moteur plus précis et plus efficace.

VRM de carte mère et convertisseurs CC-CC : Dans les cartes mères d'ordinateur ou les serveurs, certains circuits de génération de tension non essentiels utilisent également des MOSFET à canal P comme commutateurs supérieurs, associés à des commutateurs inférieurs à canal N pour former des architectures de rectification synchrone. Le PTQ45P02 offre une conversion de puissance efficace dans de telles conceptions.