Le blog de l'entreprise Fourniture de produits en carbure de silicium : Diodes SiC, MOSFETs SiC, JFETs SiC

L'approvisionnement en carbure de silicium produit:Diodes SiC, MOSFET SiC, JFET SiC

La société Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. a été créée en Chine par le gouvernement chinois.En tant que premier distributeur mondial de composants électroniques, elle tire parti de son solide réseau de chaîne d'approvisionnement, de ses services professionnels, de ses prix compétitifs,une approche fiable pour fournir aux clients des solutions complètes de composants électroniques.

Les principaux produits sont:Les puces 5G, les circuits intégrés de nouvelle énergie, les circuits intégrés IoT, les circuits intégrés Bluetooth, les circuits intégrés de réseautage de véhicules, les circuits intégrés de qualité automobile, les circuits intégrés de communication, les circuits intégrés d'intelligence artificielle, etc.circuits intégrés de capteurs, circuits intégrés à microcontrôleurs, circuits intégrés à émetteurs-récepteurs, circuits intégrés Ethernet, puces WiFi, modules de communication sans fil, connecteurs et autres composants électroniques.

Avantages de l'offre:

1Produits originaux du fabricant:

Tous les produits proviennent de fabricants originaux ou de canaux agréés.

L'emballage original complet est fourni afin d'éliminer le risque de produits reconditionnés ou contrefaits.

2- Des solutions d'approvisionnement flexibles:

Des commandes d'échantillons sont disponibles à partir d'une pièce pour répondre aux exigences de la phase de R&D.

Les commandes en vrac bénéficient de réductions de prix à plusieurs niveaux.

3Système logistique efficace:

L'entrepôt central de Shenzhen maintient l'inventaire des stocks, avec 98% des commandes expédiées dans les 48 heures

L'entrepôt douanier de Hong Kong soutient les services logistiques de porte à porte mondiaux de DDP

Les commandes d'urgence peuvent utiliser des lignes dédiées au fret aérien pour assurer l'approvisionnement en matériaux essentiels.

Diodes de carbure de silicium (SiC)

Les diodes au carbure de silicium utilisent une technologie complètement nouvelle qui fournit des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité au silicium.

Comparées aux diodes de silicium, les diodes de carbure de silicium sont plus efficaces et résistantes aux températures élevées.Étant donné que les diodes SiC ont des temps de récupération plus rapides que les diodes de silicium, ils sont idéaux pour tout type de courant qui nécessite une transition rapide de blocage à des étapes de conduction.leur permettant d'être utilisés à des températures plus élevées avec une plus grande efficacité.

MOSFETs au carbure de silicium (SiC)

Les MOSFET SiC sont conçus pour être rapides et robustes et offrent des avantages pour le système, allant d'une efficacité élevée à une taille et un coût réduits du système.Les MOSFET sont des transistors à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde de métal avec portes isolantesCes MOSFET au carbure de silicium ont une tension de blocage plus élevée et une conductivité thermique plus élevée que les MOSFET au silicium, malgré des éléments de conception similaires.Les dispositifs d'alimentation en SiC ont également une résistance d'état inférieure et 10 fois la résistance à la décomposition du silicium ordinaireEn général, les systèmes avec des MOSFET SiC ont de meilleures performances et une efficacité accrue par rapport aux MOSFET fabriqués avec du silicium.

Les JFET au carbure de silicium (SiC)

Les transistors SiC JFET sont des transistors JFET à haute performance, normalement activés, dont le VDS-max varie de 650V à 1700V.Ils fournissent une fréquence de commutation élevée et offrent une résistance d'allumage ultra-faible (RDS (on)) à partir de seulement 4 mohmEn outre, la faible charge de la porte (Qg) permet de réduire davantage les pertes de conduction et de commutation.Les JFET SiC sont optimisés pour l'une des utilisations dans les unités d'alimentation électrique (UAP) et la conversion CC-DC en aval haute tension afin de gérer les énormes besoins en énergie des futurs racks de centres de données IAEn outre, ils améliorent l'efficacité et la sécurité en remplaçant plusieurs composants par un commutateur à l'état solide basé sur des JFET SiC dans les unités de déconnexion des batteries des véhicules électriques.Ils permettent certaines topologies de stockage d'énergie et des disjoncteurs à l'état solide (SSCB)..