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Le blog de l'entreprise Les modules de carbure de silicium, les modules IGBT, les modules MOSFET, les modules électriques intelligents, les modules hybrides Si SiC

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Les modules de carbure de silicium, les modules IGBT, les modules MOSFET, les modules électriques intelligents, les modules hybrides Si SiC
Dernières nouvelles de l'entreprise Les modules de carbure de silicium, les modules IGBT, les modules MOSFET, les modules électriques intelligents, les modules hybrides Si SiC

Les modules de carbure de silicium, les modules IGBT, les modules MOSFET, les modules électriques intelligents, les modules hybrides Si SiC

 

La Commission a examiné les informations fournies par les autorités chinoises.L'expérience de l'industrie de l'électronique a montré que les modules de puissance [Onsemi] étaient plus performants que les modules de carbure de silicium (SiC), les modules IGBT, les modules MOSFET, les modules de puissance intelligents (IPM), les modules hybrides Si/SiC et d'autres produits.pour permettre des systèmes électroniques de haute efficacité.

 

Mingjiada électroniquefournit des modules de puissance [ON] depuis longtemps et les informations détaillées sur le produit sont présentées ci-dessous:
I. Modules à base de carbure de silicium (SiC)
Série M1 (par exemple M1S1200XM12E): modules entièrement SiC de 1200V/200A pour les chargeurs embarqués (OBC) et les piles de charge ultra-rapide.
NVHL020N120SC1: module MOSFET SiC 1200V/20A pour onduleurs solaires et sources d'alimentation haut de gamme.

 

II. Modules IGBT
FGD3040G2_F085: 600V/30A, boîtier compact pour appareils électroménagers et équipements industriels légers.
NVG75A120L3: 1200V/75A, conception à faible perte de conduction, adapté au système d'entraînement électrique des véhicules à énergie nouvelle.
NXH100T120L3Q2: 1200V/100A, avec technologie Trench Field Stop, adapté aux convertisseurs de fréquence industriels et aux onduleurs photovoltaïques.

 

III. Les modules MOSFET
NVMFS5C670NL: 60V/170A, ultra-faible Rds ((on), pour les sources d'alimentation des serveurs et les convertisseurs CC-DC.
NTBG040N090SC1: module MOSFET SiC 900V/40A pour les piles de charge et les systèmes de stockage d'énergie à haut rendement énergétique.

 

IV. Module de puissance intelligent (MIP)
Les semi-IPM intègrent des circuits d'entraînement et des fonctions de protection pour simplifier la conception et améliorer la stabilité du système.
Modèles représentatifs:
Série STK551U: 600V/10A, protection intégrée contre les surtensions/surchauffe, adaptée à l'entraînement du compresseur de climatisation.
NFAL5065L3B: 500V/65A, optimisé pour la compatibilité électromagnétique (EMC), pour la commande de servomoteurs industriels.

 

V. Modules hybrides Si/SiC
NXH40T120L3Q2SG: 1200V/40A, diode Si IGBT et SiC intégrées, adaptées au convertisseur d'énergie éolienne.
NXH80S120L3Q2: 1200V/80A, conception de topologie hybride pour un système de traction de transport ferroviaire.

 

Pour plus de détails sur les spécifications du produit ou les demandes de prix, veuillez consulter le site officiel de Mingjiada Electronics (Les informations fournies par les autorités compétentes sont les suivantes:) et

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