Le blog de l'entreprise L'alimentation électrique des modules: modules IGBT, modules MOSFET, modules électriques intelligents, modules SiC

L'alimentation électrique des modules: modules IGBT, modules MOSFET, modules électriques intelligents, modules SiC

La Commission a examiné les informations fournies par les autorités chinoises.est un fournisseur professionnel de composants électroniques, dont l'objectif est de "servir les clients, en bénéficiant aux clients",par l'optimisation continue de la gestion de la chaîne d'approvisionnement et l'expansion des gammes de produits, s'est développée pour devenir une entreprise de référence mondiale dans le domaine de la distribution de composants électroniques.

Produits principauxles puces 5G, les circuits intégrés de nouvelle énergie, les circuits intégrés d'Internet des objets, les circuits intégrés Bluetooth, les circuits intégrés télématiques, les circuits intégrés de qualité automobile, les circuits intégrés de communication, les circuits intégrés d'intelligence artificielle, les circuits intégrés de mémoire, les circuits intégrés de capteurs, les circuits intégrés de microcontrôleurs, les circuits intégrés de récepteurs, les circuits intégrés Ethernet,Puces Wifi, modules de communication sans fil, connecteurs et autres composants électroniques

Avantage de l'offre

Un énorme système d'inventaire: l'entreprise dispose de plus de 2 millions de types d'inventaire de modèles avantageux, couvrant les militaires, industriels,communications et toutes sortes de composants de haute technologie à froid et à chaud, peut répondre rapidement aux besoins urgents des clients, raccourcir considérablement le cycle de R & D et de production du client.

Assurance de qualité stricte: tous les composants fournis proviennent de fabricants originaux ou de canaux agréés, offrant une traçabilité complète des lots et des services de garantie.La société met en œuvre strictement ISO9001:2014 système de gestion de la qualité pour assurer la fiabilité et la cohérence de chaque produit.

Réseau logistique efficace: Avec des succursales et des partenaires logistiques dans le monde entier, nous sommes en mesure d'obtenir une livraison rapide de 1 à 3 jours et de prendre en charge un modèle d'approvisionnement flexible aussi petit qu'une pièce.Cette capacité efficace de la chaîne d'approvisionnement est particulièrement adaptée aux besoins de petits lots dans la phase de R&D et au traitement des commandes urgentes.

Modules IGBT: la combinaison parfaite de haute densité de puissance et de fiabilité

Les modules de transistor bipolaire à porte isolée (IGBT), en tant que dispositifs de base des systèmes électroniques de puissance modernes, dominent le domaine des applications de puissance moyenne à élevée.Les modules IGBT de ON sont connus pour leur faible perte, haute fréquence de commutation et forte robustesse, et sont largement utilisés dans les équipements clés tels que les entraînements de moteurs électriques, les onduleurs photovoltaïques, les alimentations sans interruption (UPS),et convertisseurs de fréquences industrielsCes modules utilisent une technologie avancée de Trench Field Stop pour atteindre un équilibre optimal entre les pertes de conduction et de commutation, améliorant considérablement l'efficacité globale du système.

Les avantages techniques du module ON IGBT se reflètent principalement dans trois aspects: premièrement, il adopte une structure de tranchée raffinée,qui réduit de manière significative la chute de tension en état d'allumage (VCE ((sat)) et réduit la perte de puissance en état d'allumageDeuxièmement, la conception optimisée de la couche de terminaison du champ permet au module d'avoir une vitesse de commutation plus rapide et une perte de commutation plus faible, ce qui convient aux scénarios d'application à haute fréquence;et enfin, le module intègre un capteur de température interne et une fonction de détection de courant, ce qui facilite la mise en œuvre de l'efficacité globale du système.Les modules IGBT sont disponibles dans des tensions de 600V à 1700V et dans des capacités de courant allant de 30A à des centaines d'ampères pour répondre aux besoins des applications à différents niveaux de puissance.

Modules MOSFET: idéaux pour la commutation à grande vitesse et la conversion à haut rendement

Les modules MOSFET (metal-oxide-semiconducteur field-effect transistor) présentent des avantages uniques dans les applications de commutation à haute fréquence.électronique automobile, et les systèmes de commande industriels en raison de leurs excellentes performances de commutation et de leurs faibles caractéristiques de résistance.l'ensemble modulaire offre une plus grande densité de puissance, une meilleure performance thermique et une conception simplifiée du système, particulièrement adaptée aux scénarios d'application de puissance moyenne à élevée.

Les caractéristiques techniques du module ON MOSFET se reflètent principalement dans quatre aspects:le module MOSFET doté de la technologie Super Junction (Super Junction) obtient une très faible résistance à l'allumage (RDS(on)) dans les applications haute tension, ce qui réduit considérablement les pertes de conduction; deuxièmement, la conception optimisée de la porte permet une commutation plus rapide et réduit les pertes d'énergie pendant le processus de commutation; et troisièmement,le module intègre plusieurs puces MOSFET à l'intérieur, qui peut supporter diverses topologies telles que le plein pont, le demi-pont et les six groupes; enfin, la technologie de conditionnement avancée assure de bonnes performances de conduction thermique,permettant au module de fonctionner de manière stable dans des environnements à haute température.Le niveau de tension du module MOSFET couvre 40V à 900V, ce qui répond aux besoins diversifiés du convertisseur CC-DC basse tension au système d'alimentation haute tension.

Modules de puissance intelligents (MIP): la parfaite incarnation de l'intégration et de la fiabilité élevée

Les modules de puissance intelligents (IPM) représentent le plus haut niveau d'intégration de l'électronique de puissance.et fonctions de protection dans un seul emballage, simplifiant considérablement la conception du système et améliorant la fiabilité.ces modules offrent une large gamme de puissance nominale de 50W à 10kW, et prend en charge une variété de topologies telles que les onduleurs triphasés, les PFC (Power Factor Correction) et les redresseurs de pont d'entrée.

Les principaux avantages de l'ON IPM se reflètent principalement dans quatre aspects: premièrement, la conception hautement intégrée réduit le nombre de composants externes et la surface de PCB, réduisant la complexité du système et le coût;Deuxièmement, le circuit de conduite intégré optimise les caractéristiques de commutation des dispositifs de puissance tout en réduisant les interférences électromagnétiques (EMI);les fonctions de protection complètes (y compris les surtensionsLa gamme de produits IPM couvre les applications de basse et moyenne tension jusqu'à 600 V.avec des capacités de courant allant de quelques ampères à des dizaines d'ampères pour répondre aux besoins de différents niveaux de puissance.

Module de carbure de silicium (SiC): une référence technologique pour les appareils électriques de nouvelle génération

Les modules de puissance en carbure de silicium (SiC) représentent la direction de développement de pointe de la technologie des semi-conducteurs de puissance.Les modules SiC d'ON utilisent le carbure de silicium (SiC) de troisième génération comme matériau de base, qui présente des avantages importants tels que la tolérance à haute température, les caractéristiques de haute fréquence et une faible perte de conduction,et est à l'origine de la mise à niveau des domaines technologiques tels que les véhicules électriquesEn comparaison avec les appareils électriques traditionnels à base de siliciumLes modules SiC peuvent augmenter l'efficacité du système de 3 à 5% et réduire la consommation d'énergie de plus de 30%, tout en réduisant considérablement la taille et le poids du système, ce qui en fait une solution idéale pour relever les défis de l'efficacité énergétique et de la densité de puissance.

Les avantages techniques des modules ON SiC se reflètent principalement dans cinq aspects:l'intensité élevée du champ électrique de rupture critique du matériau SiC permet au dispositif de fonctionner à des tensions plus élevées tout en réduisant l'épaisseur de la région de dérive, ce qui réduit la résistance d'allumage; en second lieu, la caractéristique interdite du SiC (3,26 eV) de large bande passante permet au dispositif de fonctionner à des températures plus élevées (supérieures à 200 °C),ce qui réduit la complexité du système de dissipation de chaleurTroisièmement, les dispositifs SiC n'ont pratiquement pas de courant de récupération inverse, ce qui réduit considérablement les pertes de commutation et permet un fonctionnement à fréquence plus élevée.l'excellente conductivité thermique (environ trois fois celle du silicium) améliore la densité de puissance et permet un système plus compact; et enfin, l'amélioration de l'efficacité globale du système réduit la consommation d'énergie et les besoins de dissipation de chaleur, ce qui se traduit par un cycle vertueux. Les modules SiC comprennent deux types de modules,modules de SiC pur et modules hybrides de Si/SiC, avec des niveaux de tension de 1200V et 1200V. Les niveaux de tension sont principalement de 1200V et 1700V pour répondre aux besoins des applications haute tension.