Le blog de l'entreprise Produit MOSFET de puissance : MOSFET basse/moyenne/haute tension, MOSFET petits signaux

Produit MOSFET ON : MOSFET basse/moyenne/haute tension, MOSFET petits signaux

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,en tant que distributeur de composants électroniques de renommée mondiale, adhère au principe de ‘servir les clients et de les avantager.’ S'appuyant sur son solide réseau de chaîne d'approvisionnement et ses services techniques professionnels, l'entreprise fournit des solutions complètes pour divers produits de composants électroniques.

Les principaux produits comprennent :Puces 5G, circuits intégrés pour les nouvelles énergies, circuits intégrés IoT, circuits intégrés Bluetooth, circuits intégrés pour le réseau embarqué, circuits intégrés de qualité automobile, circuits intégrés de communication, circuits intégrés d'intelligence artificielle, etc. De plus, l'entreprise fournit des circuits intégrés de mémoire, des circuits intégrés de capteurs, des circuits intégrés de microcontrôleurs, des circuits intégrés d'émetteurs-récepteurs, des circuits intégrés Ethernet, des puces WiFi, des modules de communication sans fil, des connecteurs et d'autres composants électroniques.

Avantages de l'approvisionnement :Premièrement, l'entreprise maintient un inventaire de plus de 2 millions de modèles de produits, couvrant les composants de qualité militaire, de qualité industrielle et divers composants de haute technologie, ce qui permet une réponse rapide aux besoins des clients à toutes les étapes, de la R&D à la production de masse ; Deuxièmement, tous les produits fournis proviennent directement des fabricants d'origine ou de canaux autorisés, offrant une traçabilité complète des lots et des services de garantie pour assurer la fiabilité et la cohérence des produits ; Troisièmement, en s'appuyant sur son double entrepôt à Shenzhen et à Hong Kong, ainsi que sur un réseau mondial de partenaires logistiques, l'entreprise peut expédier 98 % des commandes dans les 48 heures, prenant en charge des modèles d'approvisionnement flexibles, même pour un seul article.

La gamme de produits MOSFET ON est complète, comprenant :

MOSFET basse tension (40 V-100 V) : principalement utilisés dans les applications à faible puissance telles que les appareils portables et les convertisseurs CC-CC

MOSFET moyenne tension (150 V-500 V) : adaptés aux alimentations industrielles, à l'électronique automobile et à d'autres applications de moyenne puissance

MOSFET haute tension (600 V-900 V) : conçus pour les applications haute puissance telles que les onduleurs solaires et les entraînements de moteurs

MOSFET petits signaux : utilisés dans les circuits électroniques de précision tels que les amplificateurs et les commutateurs

Détails des produits MOSFET basse tension (40 V-100 V)

La gamme de produits MOSFET basse tension couvre une plage de tension de 40 V à 100 V. Ces dispositifs, avec leurs excellentes performances de commutation et leurs faibles caractéristiques de résistance à l'état passant, sont un choix idéal pour des applications telles que les appareils électroniques portables, les convertisseurs CC-CC et la gestion de l'alimentation basse tension. Les MOSFET basse tension jouent un rôle crucial dans l'amélioration de l'efficacité du système et la réduction de la taille, ce qui les rend particulièrement adaptés aux appareils électroniques modernes avec des exigences strictes en matière de consommation d'énergie et d'espace.

Caractéristiques techniques et avantages de performance :

Très faible résistance à l'état passant : utilisant une technologie de grille à tranchée avancée, RDS(on) peut être aussi faible que quelques milliohms, ce qui réduit considérablement les pertes par conduction

Caractéristiques de commutation rapides : la conception optimisée de la grille permet d'atteindre des vitesses de commutation de l'ordre de la nanoseconde, minimisant ainsi les pertes de commutation

Haute densité de puissance : l'emballage au niveau de la puce ou les options d'emballage compactes permettent d'économiser de l'espace sur le circuit imprimé

Excellentes performances thermiques : la technologie d'emballage améliorée améliore les capacités de dissipation thermique, améliorant ainsi la fiabilité

Faible charge de grille (Qg) : réduit les exigences de puissance d'entraînement et simplifie la conception du circuit d'entraînement

Les produits MOSFET basse tension utilisent diverses technologies de processus, notamment les processus planaires traditionnels et la technologie de tranchée avancée, pour fournir des solutions optimisées pour différents scénarios d'application. Parmi ceux-ci, les modules MOSFET utilisant la technologie Super Junction atteignent des mesures de performance de pointe dans l'industrie dans la plage de 40 V à 80 V, ce qui les rend particulièrement adaptés aux entraînements de moteurs automobiles et aux chargeurs embarqués. Ces dispositifs sont disponibles en plusieurs tensions nominales, notamment 40 V, 60 V et 80 V. En plus de l'emballage à puce unique standard, des solutions modulaires sont fournies pour les topologies à six blocs et en pont complet/demi-pont afin de répondre aux besoins de différentes architectures de système.

Scénarios d'application typiques :

Appareils électroniques portables : gestion de l'alimentation pour les appareils alimentés par batterie tels que les smartphones et les tablettes

Convertisseurs CC-CC : principaux dispositifs de commutation dans les topologies abaisseurs, élévateurs et abaisseurs-élévateurs

Systèmes électroniques automobiles : modules de contrôle de la carrosserie tels que les vitres électriques et le réglage des sièges

Périphériques informatiques : commutateurs d'alimentation USB et circuits de protection contre l'échange à chaud

Circuits de commande de LED : éléments de commutation principaux dans les solutions de commande à courant constant à haut rendement

Produits et applications MOSFET moyenne tension (150 V-500 V)

La gamme de produits MOSFET moyenne tension couvre la plage de tension de 150 V à 500 V, comblant l'écart de performance critique entre les dispositifs basse tension et les modules haute tension. Ces MOSFET jouent un rôle central dans les applications de moyenne puissance telles que les alimentations industrielles, l'électronique automobile et les équipements de communication, équilibrant les trois facteurs clés que sont la performance, l'efficacité et le coût, ce qui en fait un composant indispensable dans de nombreuses conceptions de systèmes électroniques.

Analyse des principaux domaines d'application :

Systèmes d'alimentation industriels : alimentations à découpage (SMPS), alimentations sans interruption (ASI) PFC et étages de conversion CC-CC

Applications d'électrification automobile : direction assistée électrique (EPS), conversion de puissance dans les systèmes hybrides légers 48 V

Infrastructure de communication : alimentations de stations de base, circuits de conversion à haut rendement dans les alimentations de serveurs

Appareils électroménagers : sections d'onduleur dans les climatiseurs à fréquence variable et les entraînements de machines à laver

Énergie renouvelable : étage de conversion primaire dans les petits onduleurs solaires

MOSFET haute tension (600 V–900 V) et solutions de modules d'alimentation

La gamme de produits MOSFET haute tension couvre une plage de tension de 600 V à 900 V. Ces dispositifs sont des composants essentiels des systèmes électroniques haute puissance, spécialement conçus pour résister aux environnements industriels difficiles et répondre aux exigences de conversion à haut rendement. Dans les applications haute tension telles que les onduleurs solaires, les entraînements de moteurs industriels et les bornes de recharge pour véhicules électriques, les performances des MOSFET haute tension déterminent directement l'efficacité, la fiabilité et la rentabilité globales du système.

Architecture technique et avantages de performance :

Les MOSFET haute tension d'ON utilisent la technologie super-jonction épitaxiale multicouche, contrôlant avec précision les profils de dopage et optimisant les structures cellulaires pour réduire considérablement la résistance à l'état passant tout en maintenant une haute tension de blocage. Par rapport aux MOSFET planaires traditionnels, cette conception réduit RDS(on) d'un ordre de grandeur, réduisant considérablement les pertes par conduction. Par exemple, le MOSFET super-jonction 900 V d'ON permet de réduire de plus de 50 % les pertes par conduction par rapport aux dispositifs traditionnels sur la même surface de puce. Les MOSFET haute tension intègrent également des conceptions de grille avancées, optimisant la charge de grille (Qg) et la capacité de Miller (Crss) pour obtenir des vitesses de commutation plus rapides et des pertes de commutation plus faibles, ce qui les rend particulièrement adaptés aux applications de commutation à haute fréquence.

Principaux domaines d'application et considérations de conception :

Onduleurs solaires : composants essentiels pour la conversion CC-CA dans les systèmes photovoltaïques, nécessitant un rendement élevé et une longue durée de vie

Entraînements de moteurs industriels : éléments de commutation de puissance dans les variateurs de fréquence et les servomoteurs, capables de résister à la commutation haute fréquence et aux charges inductives

Infrastructure de véhicules électriques : étages de conversion CA-CC et CC-CC dans les bornes de recharge, confrontés à des défis de haute densité de puissance

Équipement de soudage : composants de commutation haute fréquence dans les soudeurs à onduleur, nécessitant une grande fiabilité et robustesse

Conversion CC-CC haute tension : étages de conversion de bus dans les alimentations de centres de données et les alimentations de communication MOSFET petits signaux et caractéristiques techniques

Bien que les produits MOSFET petits signaux ne correspondent pas aux capacités de gestion de la puissance des MOSFET haute puissance, ils jouent un rôle indispensable dans les circuits électroniques de précision. Ces dispositifs sont principalement conçus pour les applications de commutation et d'amplification à faible courant et basse tension. Leurs excellentes caractéristiques haute fréquence et leur haute impédance d'entrée en font un choix idéal pour des applications telles que les commutateurs analogiques, le conditionnement de signaux et la commutation de charge. Les MOSFET petits signaux, avec leurs caractéristiques d'emballage miniaturisées et de faible consommation d'énergie, ont atteint une pénétration d'application généralisée et approfondie dans les appareils électroniques modernes.

Structure de base et principes de fonctionnement :

Les MOSFET petits signaux partagent une structure de base similaire avec les MOSFET de puissance, les deux comportant trois bornes : source (Source), drain (Drain) et grille (Gate). Cependant, leurs priorités de conception sont fondamentalement différentes. Les MOSFET petits signaux sont optimisés pour la réponse haute fréquence et les caractéristiques de la région linéaire, plutôt que pour la capacité de gestion du courant élevé. En fonction du type de canal, ils sont classés en canal N et canal P ; en fonction du mode de fonctionnement, ils sont en outre classés en mode d'enrichissement et en mode d'appauvrissement. La gamme de produits MOSFET petits signaux d'ON Semiconductor couvre tous ces types, offrant aux ingénieurs concepteurs une sélection complète. Ces dispositifs sont généralement fabriqués à l'aide de procédés planaires, la couche d'oxyde de grille étant soigneusement conçue pour assurer la fiabilité tout en obtenant une transconductance élevée (gfs) et une faible charge de grille (Qg).

Analyse des principaux paramètres de performance :

Tension de seuil (Vgs(th)) : généralement 0,5–3 V, adaptée à la commande directe dans les circuits basse tension

Transconductance (gfs) : reflète le contrôle de la tension de grille sur le courant de drain ; des valeurs plus élevées indiquent un gain plus important

Capacité d'entrée (Ciss) : affecte la vitesse de commutation ; les MOSFET petits signaux ont généralement une capacité d'entrée extrêmement faible

Résistance à l'état passant (RDS(on)) : bien que moins critique que pour les MOSFET de puissance, elle a toujours un impact sur les pertes de trajet du signal

Tension de claquage drain-source (BVdss) : généralement 20 V–100 V pour les modèles petits signaux, répondant à la plupart des exigences de traitement du signal

Scénarios d'application typiques :

Commutateurs analogiques et multiplexeurs : routage du signal audio, commutation de canal dans les systèmes d'acquisition de données

Circuits amplificateurs haute fréquence : fronts RF, amplificateurs à faible bruit (LNA) dans les équipements de communication

Commutateurs de charge et gestion de l'alimentation : commutation marche/arrêt contrôlée des alimentations de sous-systèmes

Circuits de conditionnement de signaux : conditionnement de signaux et transformation d'impédance pour les interfaces de capteurs

Interfaces logiques numériques : conversion de niveau et commande de bus