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Le blog de l'entreprise La mémoire est alimentée par la mémoire flash, la mémoire SRAM et la mémoire EEPROM.

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Société Le blog
La mémoire est alimentée par la mémoire flash, la mémoire SRAM et la mémoire EEPROM.
Dernières nouvelles de l'entreprise La mémoire est alimentée par la mémoire flash, la mémoire SRAM et la mémoire EEPROM.

La mémoire est alimentée par la mémoire flash, la mémoire SRAM et la mémoire EEPROM.

 

La société Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. a été créée en Chine par le gouvernement chinois.un distributeur de composants électroniques renommé, s'est toujours consacré à la fourniture de composants électroniques d'origine scellés d'usine aux fabricants mondiaux d'électronique.

 

La société entretient des partenariats étroits avec des fabricants de composants électroniques de renommée mondiale, garantissant que tous les composants fournis proviennent de canaux légitimes et sont de qualité fiable.Les produits comprennent des puces 5GNous fournissons également des circuits intégrés de mémoire, des circuits intégrés de capteurs, des circuits intégrés de microcontrôleurs, des circuits intégrés de récepteurs, des circuits intégrés de récepteurs, des circuits intégrés de microcontrôleurs, des circuits intégrés de microcontrôleurs, des circuits intégrés de microcontrôleurs, des circuits intégrés de microcontrôleurs, des circuits intégrés de microcontrôleurs et des circuits intégrés de microcontrôleurs.Les circuits intégrés Ethernet, puces WiFi, modules de communication sans fil, connecteurs et autres composants électroniques.

 

La mémoire flash: répondre à des besoins de stockage variés

La gamme de produits de mémoire flash d'ON est réputée pour sa fiabilité élevée, ses vitesses de lecture rapides et sa large plage de tension de fonctionnement, ce qui la rend adaptée à diverses applications nécessitant le stockage de code,enregistrement des données, et mises à jour du firmware.

 

La série série NOR Flash est idéale pour le stockage de code de petite capacité et les applications de démarrage.

 

La série N25QxxxA (par exemple, N25Q032A, N25Q064A, N25Q128A) offre des capacités allant de 32 Mb à 128 Mb, avec une interface SPI haute performance prenant en charge des fréquences allant jusqu'à 108 MHz et permettant une entrée/sortie Quad.

 

La série JS28Fxxx, comme la JS28F128P33BF70A (128Mb), est conçue pour l'exécution de code haute performance.utilise une interface parallèle prenant en charge les modes de lecture asynchrone/synchrone dans un 2.7V à 3.6V.

 

Pour les exigences de stockage de données de grande capacité,la série NAND Flash comme le MT29F4G08ABADAWP (4Gb SLC NAND) et le MT29F8G08ABACAWP (8Gb SLC NAND) utilise la technologie SLC pour offrir une endurance et une fiabilité exceptionnelles, prenant en charge les interfaces asynchrone/ONFI.

 

La mémoire SRAM: le choix idéal pour le traitement de données à grande vitesse

La mémoire SRAM ON, avec sa vitesse ultra-haute, sa faible consommation d'énergie et ses caractéristiques non actualisables, est le choix idéal pour la mise en cache, la mise en mémoire tampon de données à grande vitesse et les données critiques basées sur batterie.

 

La gamme de produits SRAM comprend plusieurs modèles, dont le N01S830 (1 Mb de SRAM en série, tension de fonctionnement de 2,5 à 5,5 V), le N25S818HA (256-kb de SRAM en série, tension de fonctionnement de 1,8 V),et N25S830HA (256-kb de mémoire SRAM en série), 3,0 V de tension de fonctionnement).

 

Ces appareils SRAM sont conçus pour des scénarios de traitement de données à grande vitesse, répondant aux exigences croissantes de vitesse de mémoire des systèmes électroniques modernes.

 

La mémoire EEPROM: la référence pour le stockage sécurisé des données

Reconnue pour sa capacité exceptionnelle de conservation des données, sa grande résistance, son emballage compact et sa faible consommation d'énergie, la mémoire EEPROM ON établit la norme pour le stockage des paramètres de configuration, des données d'étalonnage,et de petits volumes de paramètres utilisateur.

 

La série EEPROM en série offre plusieurs options d'interface. La série CAT24Cxxx basée sur I2C va du CAT24C02 (2Kb) au CAT24C256 (256Kb),tandis que le CAT24M01 offre une grande capacité de 1 Mb pour les applications nécessitant un plus grand espace de stockage en série.

 

La série CAT25xxx avec interface SPI (par exemple, CAT25040, CAT25128, CAT25256) offre des interfaces SPI à haute vitesse jusqu'à 20 MHz, prenant en charge les modes SPI standard, double et quad avec des performances supérieures à celles de l'I2C.

 

Pour les environnements exigeants tels que l'électronique automobile, ON fournit également des EEPROM AEC-Q100 de qualité automobile, y compris des modèles tels que le NCV24C16 (16Kb), le NCV24C32 (32Kb) et le NCV24C64 (64Kb),répondant aux exigences strictes en matière de fiabilité de l'industrie automobile.

 

¢Sénarios d'application et solutions

Dans le domaine de l'électronique automobile, une mémoire de haute fiabilité est essentielle pour des composants tels que les ECU (Engine Control Units),T-BOX (modules télématiques), et BMS (systèmes de gestion des batteries).

 

Les applications de contrôle industriel telles que les PLC (contrôleurs logiques programmables), les HMI (interfaces homme-machine) et le stockage de données de capteurs reposent également sur les performances stables de ces produits de mémoire.

 

Au sein de l'électronique grand public, la mémoire semi-conducteur ON trouve sa place dans les appareils électroménagers intelligents, les appareils portables et le stockage de la configuration des terminaux IoT.

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