Avec l'avancement rapide de la conception de l'électronique de puissance aujourd'hui, les MOSFET (transistors à effet de champ à grille métallique et semi-conducteur d'oxyde métallique) servent de composants clés dans la gestion de l'alimentation et la conversion de puissance, et leurs performances ont un impact direct sur l'efficacité et la fiabilité de l'ensemble du système. Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. maintient un stock à long terme de toute la gamme de MOSFET de puissance à canal N d'Infineon, couvrant les trois séries principales : OptiMOS™, CoolMOS™ et StrongIRFET™. Avec une sélection complète de modèles, des produits authentiques et des prix compétitifs, nous fournissons aux clients une solution d'approvisionnement unique en semi-conducteurs de puissance.
I. Aperçu de la technologie des MOSFET à canal N d'Infineon
Les MOSFET de puissance à canal N d'Infineon forment des canaux de courant par les électrons. À valeur RDS(on) égale, leur mobilité de porteurs est environ 2 à 3 fois supérieure à celle des dispositifs à canal P, ce qui fait des dispositifs à canal N le choix privilégié pour les applications à courant élevé. Infineon propose un portefeuille complet de MOSFET de puissance à canal N. Les séries de produits combinées OptiMOS™ et StrongIRFET™ couvrent des plages de tension de 12V à 250V et 300V, tandis que la série CoolMOS™ est dédiée aux applications haute tension allant de 500V à 950V.
II. Liste des modèles en stock chez Mingjiada Electronics
(1) Série OptiMOS™ — MOSFET à canal N basse à moyenne tension, optimisés pour haute fréquence
La série OptiMOS™ est conçue pour les applications haute performance et optimisée pour les fréquences de commutation élevées, offrant une résistance à l'état passant (on-resistance) et un facteur de mérite (FoM) leaders de l'industrie. La série couvre des tensions de 15V à 250V, avec une résistance à l'état passant aussi basse que 0,29 mΩ+, et prend en charge des options de boîtier innovantes telles que le refroidissement double face et les configurations source vers le bas.
Mingjiada Electronics stocke actuellement les modèles populaires suivants de la série OptiMOS™ :
IPD90N04S4—Un MOSFET à canal N basse tension de 40V conçu spécifiquement pour les systèmes d'hybridation légère automobile 48V, tout en étant également adapté aux applications de commande basse tension industrielles et répondant aux exigences de fiabilité de qualité automobile.
IPP090N06S5—Un modèle moyenne à basse tension de 60V doté d'une vitesse de commutation rapide et d'une faible résistance à l'état passant, adapté aux convertisseurs DC-DC haute fréquence.
IPP120N03S4 — Modèle basse tension de 30V, adapté à une large gamme d'applications, y compris l'électronique grand public et le contrôle industriel.
IPT004N03LATMA1 — MOSFET à canal N de 30V, avec un courant de drain continu maximum de 300A et une résistance à l'état passant aussi basse que 500μΩ, doté d'un boîtier HSOF et d'une certification AEC-Q101.
BSC005N03LS5IATMA1 — MOSFET à canal N de 30V, courant maximum 433A, boîtier TDSON-8, la référence courant élevé de la série OptiMOS.
BSC016N06NSATMA1 — MOSFET à canal N de 60V, résistance à l'état passant 1,6 mΩ, courant de drain continu 225 A, faisant partie de la série OptiMOS™5, optimisé pour la rectification synchrone.
IPT007N06NATMA1—MOSFET à canal N de 60V, résistance à l'état passant aussi basse que 0,75 mΩ, courant maximum 486 A, boîtier TOLL, RDS(on) le plus bas de l'industrie.
IQE013N04LM6 — MOSFET à canal N de 40V, résistance à l'état passant 1,35 mΩ, courant maximum 205 A, dans un boîtier PQFN source vers le bas de 3,3x3,3 mm, leader de l'industrie.
IAUCN04S7N005 — MOSFET à canal N de qualité automobile 40V, résistance à l'état passant 0,55 mΩ, technologie OptiMOS™7, certifié AEC-Q101.
IAUCN04S7N030 — MOSFET à canal N de qualité automobile 40V, résistance à l'état passant 3,02 mΩ, adapté à la direction assistée électrique, aux systèmes de freinage, etc.
ISC019N08NM7, ISC024N08NM7, ISC034N08NM7 — MOSFET à canal N série 80V
ISC040N10NM7 — MOSFET à canal N 100V
ISC007N06NM6, ISC009N06NM6 — MOSFET série 60V
IQFH86N06NM5, IQFH68N06NM5, IQFH99N06NM5 — MOSFET série 60V
IPB65R110CFD — Modèle moyenne à haute tension 650V, un produit optimisé pour haute fréquence de la série OptiMOS™, adapté aux onduleurs industriels et aux micro-onduleurs PV.
(2) Série CoolMOS™ — MOSFET à canal N super-jonction haute tension
La série CoolMOS™ est la gamme de produits phares d'Infineon pour les MOSFET à canal N haute tension. Pionnier de la technologie super-jonction (SJ), elle couvre des plages de tension de 500V à 950V, offre une excellente robustesse de commutation et réduit considérablement les pertes de commutation et de conduction. Cette série propose une gamme de produits diversifiée, comprenant P7, C7/G7, S7/S7T, CFD7 et PFD7, couvrant un large éventail d'applications, de la basse à la haute puissance.
Mingjiada Electronics stocke actuellement les modèles populaires suivants de la série CoolMOS™ :
IPW65R019C7—Un MOSFET à canal N haute tension 650V appartenant à la série CoolMOS™ C7 (la série de MOSFET super-jonction la plus efficace d'Infineon), avec une résistance à l'état passant aussi basse que 19 mΩ et de faibles pertes de commutation. Il est adapté aux onduleurs photovoltaïques et aux alimentations haute tension industrielles, ce qui en fait un modèle clé dans le secteur des nouvelles énergies.
IPW60R070P7—MOSFET à canal N haute tension 600V dans un boîtier TO-247, offrant une densité de puissance élevée et d'excellentes performances thermiques, adapté aux chargeurs de véhicules et aux convertisseurs DC-DC haute tension.
IPP80R1200P7—MOSFET à canal N haute tension 800V, faisant partie de la série CoolMOS™ P7, avec une capacité de tenue en tension exceptionnelle, adapté à l'éclairage haute puissance, à l'électronique grand public et aux SMPS industriels.
IPT60R035CFD7XTMA1—MOSFET à canal N 600V avec une résistance à l'état passant de 35 mΩ et un courant de drain continu de 67 A ; faisant partie de la série CoolMOS CFD7, optimisé pour les applications à commutation douce telles que LLC et ZVS.
IPD65R600C6—MOSFET à canal N 650V, courant de drain continu 7,3A, résistance à l'état passant 600mΩ, dans un boîtier TO-252.
SPW20N60C3—MOSFET à canal N 650V, courant de drain continu 20,7A, résistance à l'état passant 0,19Ω, boîtier TO-247, série CoolMOS™ C3.
SPP06N60C3 — MOSFET à canal N 600V, courant de drain continu 6,2A, résistance à l'état passant 750mΩ, boîtier TO-220.
SPW35N60C3FKSA1 — MOSFET à canal N 650V, courant de drain continu 34,6A, boîtier TO-247-3.
IPD70R360P7 — MOSFET à canal N 700V
IPDQ60R055CM8 — MOSFET à canal N 600V
IPLT60R024CM8 — MOSFET à canal N 600V.
(3) Série StrongIRFET™ — MOSFET à canal N basse fréquence, haute robustesse
La série StrongIRFET™ (y compris StrongIRFET™ 2) se concentre sur la plage de tension de 20V à 150V et est spécifiquement conçue pour les applications basse fréquence. Ses principaux avantages incluent une haute robustesse, un excellent rapport coût-performance et une durabilité, avec une résistance à l'état passant aussi basse que 0,45 mΩ+. Utilisant des boîtiers standard industriels tels que TOLL, il est bien adapté aux scénarios basse fréquence avec des exigences de fiabilité élevées des dispositifs.
Mingjiada Electronics stocke actuellement les modèles populaires suivants de la série StrongIRFET™ :
IRFP140NPBF — MOSFET à canal N moyenne à basse tension 100V dans un boîtier TO-247, avec un courant de drain continu de 33A et une résistance à l'état passant de 0,044Ω, adapté aux alimentations industrielles et aux onduleurs de moteurs.
IRF3205PBF — MOSFET à canal N basse tension 55V avec une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, adapté à l'électronique automobile et aux entraînements de moteurs DC.
IRF740PBF — MOSFET à canal N moyenne à haute tension 400V avec une excellente capacité de tenue en tension, adapté aux circuits de commutation haute tension, aux pilotes LED et aux équipements de contrôle industriels.
IPP019N08NF2SAKMA1 — MOSFET à canal N 80V, résistance à l'état passant 1,9 mΩ, courant de drain continu 191 A, série StrongIRFET™ 2.
IRFB4321PBF — MOSFET à canal N 150V, résistance à l'état passant 15 mΩ, courant de drain continu 85 A, boîtier TO-220, série StrongIRFET™.
IPA082N10NF2SXKSA1—MOSFET à canal N 100V, résistance à l'état passant 8,2 mΩ, courant de drain continu 46 A, boîtier TO-220FP, série StrongIRFET™ 2.
IRFB7434PBF — MOSFET à canal N 40V, courant de drain continu 195A, résistance à l'état passant 1,6mΩ, boîtier TO-220AB.
IRFR7546TRPBF — Modèle basse tension de la série StrongIRFET™, courant de drain continu 56A.
(4) Autres modèles de MOSFET à canal N d'Infineon en stock
Mingjiada Electronics stocke également les modèles de MOSFET à canal N d'Infineon suivants (liste partielle) :
Série basse/moyenne tension :
ISC007N06LM6, ISC025N06LM6, ISC008N06LM6, ISC013N06NM5SC, ISC016N06NM5SC, ISC056N08NM6, ISC014N08NM6, ISC151N08NM6, ISZ023N06LM6, ISZ025N06NM6, ISZ072N06NM6, ISZ053N08NM6
Série moyenne à haute tension :
ISZ028N03LF2S, IQE031N08LM6CGSC, IQE031N08LM6CG, IQE036N08NM6CGSC, IQE018N06NM6, IQE018N06NM6CG, IQE018N06NM6SC
Série haute tension/qualité automobile :
ISC024N08NM7, ISC034N08NM7, IQEH46NE2LM7ZCGSC, IQEH50NE2LM7UCGSC, IQEH50NE2LM7ZCG, IQEH54NE2LM7UCG, IQEH64NE2LM7UCGSC, IQEH68NE2LM7UCG, IQEH80NE2LM7UCGSC, IQEH84NE2LM7UCG, IQEH42NE2LM7ZCGSC, IQEH46NE2LM7UCGSC
La liste ci-dessus n'inclut qu'une sélection de modèles en stock. Si vous avez besoin d'autres modèles de MOSFET à canal N d'Infineon, n'hésitez pas à nous contacter.
III. Avantages d'approvisionnement de Mingjiada Electronics
Mingjiada Electronics est profondément impliquée dans le secteur de la distribution de composants électroniques depuis près de trente ans et a obtenu la certification ISO 9001 pour son système de management de la qualité. Grâce à une collaboration étroite avec les fournisseurs et à une gestion efficace de la chaîne d'approvisionnement, l'entreprise offre aux clients les avantages d'approvisionnement clés suivants :
1. Produits authentiques garantis
Tous les produits sont sourcés par des canaux officiels directement auprès des fabricants, garantissant une qualité fiable et éliminant le risque de contrefaçons. Nous fournissons des produits MOSFET d'une large gamme de marques et de modèles, y compris des marques mondialement reconnues telles que Renesas, Infineon, STMicroelectronics, Toshiba et Texas Instruments (TI).
2. Inventaire de stock étendu
Avec deux entrepôts à Shenzhen et Hong Kong, nous maintenons un stock de plus d'un million de modèles populaires, prenant en charge un modèle de livraison efficace : commande le jour même et expédition le lendemain. Les commandes urgentes sont expédiées dans les 4 heures, et les commandes standard sont livrées dans les 48 heures.
3. Solutions d'approvisionnement flexibles
Nous prenons en charge les achats d'échantillons en petits lots et les commandes en gros volumes à des prix compétitifs sur le marché. Que ce soit pour les besoins d'échantillons pendant la phase de R&D du produit ou pour un approvisionnement stable pour la production de masse, nous fournissons des solutions d'approvisionnement flexibles et efficaces.
4. Couverture d'application complète
Les produits MOSFET à canal N d'Infineon fournis par Mingjiada Electronics sont largement utilisés dans les domaines suivants :
Contrôle industriel : Entraînements de moteurs, onduleurs, machines à souder, alimentations industrielles (SMPS) et alimentations sans interruption (UPS).
Électronique automobile : MOSFET de qualité automobile conformes aux normes AEC-Q101, utilisés dans les systèmes d'entraînement électrique, les chargeurs embarqués (OBC), les systèmes de gestion de batterie (BMS) et les onduleurs auxiliaires pour les véhicules à énergie nouvelle.
Énergies renouvelables : Onduleurs solaires, systèmes de conversion d'énergie éolienne, systèmes de stockage d'énergie (ESS).
Électronique grand public : Appareils électroménagers, pilotes LED, adaptateurs secteur, diverses alimentations de charge rapide.
Infrastructure serveur et de communication : Alimentations de serveurs, alimentations d'équipements de communication, solutions de conversion de puissance pour centres de données.
5. Services de recyclage parallèle
Tout en fournissant un approvisionnement en produits de haute qualité, Mingjiada Electronics exploite simultanément une activité de recyclage de MOSFET Infineon excédentaires et scellés en usine, aidant les clients à résoudre les problèmes de stocks dormants et à revitaliser leurs actifs.
IV. Contactez-nous
Pour plus d'informations sur les spécifications et les paramètres des produits MOSFET à canal N d'Infineon ou pour toute demande d'achat, veuillez contacter Mingjiada Electronics par les moyens suivants :
Personne à contacter : M. Chen
Téléphone : +86 13410018555 (également sur WeChat)
E-mail : sales@hkmjd.com
Adresse de l'entreprise : 1239-1241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen, Guangdong Province
Que ce soit pour l'approvisionnement d'échantillons ou les commandes en gros, Mingjiada Electronics adhère toujours à l'intégrité comme fondement. Nous nous engageons à fournir aux clients des services d'approvisionnement en semi-conducteurs de puissance Infineon de la plus haute qualité et fiabilité, en travaillant ensemble pour faire progresser continuellement les appareils électroniques vers une plus grande efficacité, miniaturisation et intelligence !
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