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Le blog de l'entreprise Fourniture de transistors NXP PMDXB600UNE à double canal N

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
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—— Nishikawa, du Japon

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Fourniture de transistors NXP PMDXB600UNE à double canal N
Dernières nouvelles de l'entreprise Fourniture de transistors NXP PMDXB600UNE à double canal N

Fourniture de transistors NXP PMDXB600UNE à double canal N

 

Description du produit

Le PMDXB600UNE est un transistor à effet de champ à double mode d'amélioration N-canal dans un emballage en plastique ultra-petit SOT1216 Surface-Mounted Device sans plomb utilisant la technologie Trench MOSFET.

 

Caractéristiques

Technologie MOSFET par tranchée

Emballage en plastique SMD ultra-petit et ultra-mince sans plomb: 1,1 × 1,0 × 0,37 mm

Plateau de drainage exposé pour une excellente conduction thermique

Protection contre les décharges électrostatiques (ESD) > 1 kV HBM

Résistance à l'état actif de la source de drainage RDSon = 470 mΩ

 

Applications

Conducteur de relais

Chauffeur de ligne à grande vitesse

Commutateur de charge latéral bas

Circuits de commutation

 

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Temps de bar : 2023-09-15 11:15:19 >> Liste de nouvelles
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Mr. Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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