Le blog de l'entreprise NXP A2I20H060GNR1 RF LDMOS amplificateurs de puissance intégrés à large bande

NXP A2I20H060GNR1 RF LDMOS amplificateurs de puissance intégrés à large bande

Description du produit
Le circuit intégré A2I20H060GNR1 à large bande est un circuit asymétrique Doherty conçu avec une correspondance sur puce qui le rend utilisable de 1800 à 2200 MHz.Cette structure en plusieurs étapes est conçue pour un fonctionnement de 26 à 32 V et couvre tous les formats de modulation typiques des stations de base cellulaires.

Attributs du produit
Technologie: LDMOS
Configuration: double
Fréquence:10,84 GHz
Le gain:280,9 dB
Testez la tension à 28 V
Courant - Essai:24 mA
Puissance - sortie: 12 W
Voltage - Nominal:65 V
Type de montage:montage de surface

Caractéristiques
Des performances élevées avancées dans le...
Correspondance sur puce (50 Ohm d'entrée, CC bloqué)
Compensation intégrée de la température du courant calme avec fonction d'activation/disactivation
Conçus pour les systèmes de correction d'erreur de prédistorsion numérique