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Le blog de l'entreprise Transistors MOSFET à alimentation, fournisseur [Infineon] IPA60R099P7 600V CoolMOSTM P7 Transistors MOSFET à alimentation N-Channel

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Transistors MOSFET à alimentation, fournisseur [Infineon] IPA60R099P7 600V CoolMOSTM P7 Transistors MOSFET à alimentation N-Channel
Dernières nouvelles de l'entreprise Transistors MOSFET à alimentation, fournisseur [Infineon] IPA60R099P7 600V CoolMOSTM P7 Transistors MOSFET à alimentation N-Channel

Transistors MOSFET fournis, fournis par [Infineon]Le nombre d'unitésTransistors MOSFET à puissance N-canal de 600 V CoolMOSTM P7

 

[La Commission a examiné les informations fournies par les autorités chinoises.]L'approvisionnement à long terme [Infineon]Le nombre d'unités600V CoolMOSTM P7 Transistors MOSFET de puissance N-Channel, ci-dessous est une description détaillée du transistor IPA60R099P7:

 

Numéro de la partie:Le nombre d'unités

Le paquet: TO-220-3

Type: Les transistors MOSFET CoolMOSTM P7

 

IPA60R099P7 Transistors MOSFET à superjonction optimisés qui fusionnent une haute efficacité énergétique avec une facilité d'utilisation。

 

Le transistor MOSFET à superjonction CoolMOSTM P7 de 600 V est le successeur de la série CoolMOSTM P6 de 600 V.L'IPA60R099P7 continue à équilibrer le besoin d'une efficacité élevée avec la facilité d'utilisation dans le processus de conceptionLe meilleur RonxA de sa catégorie et la faible charge de la passerelle (QG) inhérente à la plateforme CoolMOSTM de 7e génération assurent son efficacité élevée.

 

Le nombre d'unités¢Attributs du produit

Numéro de pièce: IPA60R099P7

Série: CoolMOSTM P7
Type de FET: N-canal
Technologie: MOSFET (oxyde de métal)
Voltage de sortie à la source (Vdss): 600 V
Le dégagement continu de courant (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Voltage d'entraînement (max Rds On, min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10,5A, 10V
Le système de freinage doit être équipé d'un système de freinage de freinage.
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Vgs (max.): ±20V
Les capacités d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Pour les appareils à commande numérique, la valeur de la commande numérique doit être supérieure ou égale à:
Température de fonctionnement: -55 °C à 150 °C (TJ)
Type de montage: par trou
Le fournisseur fournit un ensemble de dispositifs: PG-TO220-FP
Paquet / boîtier: TO-220-3 Paquet complet

 

IPA60R099P7Résumé des caractéristiques
Efficacité
- 600V P7 permet une excellente FOM RDS (on) xEoss et RDS (on) xQG
Facilité d'utilisation
- résistance à l'ESD ≥ 2 kV (classe HBM 2)
- Résistance de porte intégrée RG
- Une diode robuste
- Large portefeuille de produits à travers les trous et à la surface
- Les pièces de qualité standard et industrielle sont disponibles

 

Les avantages de l'IPA60R099P7
Efficacité
- Les excellents FOM permettent une plus grande efficacité
Facilité d'utilisation
- Facilité d'utilisation dans les environnements de fabrication en empêchant les défaillances ESD
- RG intégré réduit la sensibilité aux oscillations du MOSFET
- Le MOSFET convient à la fois aux topologies de commutation dures et résonantes telles que PFC et LLC
- Excellente robustesse lors de la commutation dure de la diode du corps vue dans la topologie LLC
- Convient à une grande variété d'applications finales et de puissances de sortie
- Pièces disponibles pour les consommateurs et les industries

 

Applications potentielles de l'IPA60R099P7
Appareils de télévision
SMPS industriels
Le serveur
Télécommunications
Éclairage

 

Applications de l'IPA60R099P7
Ventilation et climatisation commerciale
Solutions de serveur de bord
Solutions de semi-conducteurs pour les applications de divertissement à domicile

 

Mingjiada électroniqueL'offre [Infineon]Le nombre d'unitésTransistors MOSFET de puissance N-canal CoolMOSTM P7 de 600 V.

 

L'IPA60R099P7 est un MOSFET de 600 V à canal N doté de la technologie CoolMOSTM P7 d'Infineon.Cette technologie optimise les performances de commutation et la résistance d'allumage pour les applications de conversion de puissance à haut rendement.

 

Caractéristiques essentielles de l'IPA60R099P7
Voltage nominal: 600 V
Résistance à l'allumage (RDS ((on)): 0,099Ω
Courant nommé: 11A (continu), 44A (impulsé)
Faible charge de la porte (Qg): 28nC
Vitesse de commutation rapide: Perte de commutation réduite
Faible perte de conduction: amélioration de l'efficacité
Package TO-220: facilité de montage et dissipation de chaleur

 

Caractéristiques électriques de l'IPA60R099P7
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
La tension de la source de sortie (VGS): ±20V
Le système de freinage doit être équipé d'un système de freinage de freinage de freinage de freinage.
Charge totale de la porte (Qg): 28nC
Capacité d'entrée (Ciss): 1300 pF
Capacité de sortie (Coss): 110 pF
Capacité de transfert inverse (Crss): 15 pF

 

IPA60R099P7Vantages
Efficacité élevée: faibles pertes de conduction et de commutation
Excellente performance thermique: dissipation de chaleur efficace
Haute fiabilité: adaptée aux environnements difficiles

 

Photo de l'IPA60R099P7 dans le paquet

dernières nouvelles de l'entreprise Transistors MOSFET à alimentation, fournisseur [Infineon] IPA60R099P7 600V CoolMOSTM P7 Transistors MOSFET à alimentation N-Channel  0

 

L'IPA60R099P7 est largement utilisé dans les applications de conversion de puissance à haut rendement pour les conceptions à haute densité de puissance en raison de sa faible résistance à l'allumage, de sa commutation rapide et de ses excellentes performances thermiques.

 

Pour plus d'informations sur leLe nombre d'unités, veuillez vous rendre sur le site Internet de Mingarda Electronics (Les informations fournies par les autorités compétentes sont les suivantes:) et

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