Le blog de l'entreprise L'alimentation est fournie par MOSFET IGOT60R070D1AUMA1 N-Channel 600 V 31A ((Tc) 125W ((Tc) PG-DSO-20-87

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. fournit le MOSFET IGOT60R070D1AUMA1 canal N 600 V 31A ((Tc) 125W ((Tc) PG-DSO-20-87

Fabricant: Infineon Technologies

Série: CoolGaNTM

Type de FET: N-canal

Technologie: GaNFET (nitrure de gallium)

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:

Courant à 25°C - écoulement continu (Id): 31A (Tc)

Vgs ((th) (max) à différentes Id: 1,6V @ 2,6mA

Vgs ((th) (max): 1,6 V @ 2,6 mA à différents Id's

Capacité d'entrée (Ciss) à différents Vds (max): 380 pF @ 400 V

Pour les appareils à commande numérique, la valeur maximale de l'énergie utilisée est de:

Température de fonctionnement: -55 °C à 150 °C (TJ)

Type de montage: montage à la surface

Le fournisseur de l'appareil: PG-DSO-20-87

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles se trouvent.

Introduction au projet

Les applications cibles de la famille de produits CoolGaN nécessitent des dispositifs HEMT améliorés (normalement éteints),qui offrent de plus grands avantages dans les applications typiques de conversion de puissance, car elles nécessitent moins de puissance pour fonctionner.La plupart des avantages opérationnels des appareils HEMT CoolGaN proviennent de leur capacité à basculer à des fréquences ultra-hautes,mais c'est une caractéristique qui peut être affectée par la résistance parasitaire des conduits de l'emballagePour cette raison, les dispositifs CoolGaN sont emballés à l'aide de la technologie SMD (surface mount device) plutôt que de l'emballage à trous.

La technologie CoolGaN permet l'intégration de diodes de protection ESD en utilisant "le même processus de fabrication que pour les transistors HEMT".Les couches GaN et AlGaN sont obtenues par dépôt épitaxial sur un substrat de siliciumLes transistors GaN à puissance améliorée ont une structure p-HEMT. Des structures de plaques de champ nouvelles et uniques sont obtenues par traitement en couches métalliques.

Si vous êtes intéressé, n'hésitez pas à contacter M. Chen par téléphone:

Tél.: +86 13410018555

Le courrier électronique: sales@hkmjd.com

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