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Le blog de l'entreprise L'alimentation par MOSFET IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 Transistor de puissance améliorée de 600 V

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

—— Richardg, d'Allemagne

Prix compétitifs: les prix offerts par le groupe sont très compétitifs, ce qui en fait un excellent choix pour nos besoins d'approvisionnement.

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Des composants fiables, une expédition rapide et un excellent support.

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Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

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Société Le blog
L'alimentation par MOSFET IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 Transistor de puissance améliorée de 600 V
Dernières nouvelles de l'entreprise L'alimentation par MOSFET IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 Transistor de puissance améliorée de 600 V

Il s'agit d'un transistor de puissance améliorée CoolGaNTM de 600 V.

 

Description du produit

1、IGLD60R190D1AUMA1 Monture de surface N-canal 600 V 10A ((Tc) 62.5W ((Tc) PG-LSON-8-1

Série: CoolGaNTM FET Type: N-canal

Type de FET: N-canal

Technologie: GaNFET (nitrure de gallium)

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:

Courant à 25°C - écoulement continu (Id): 10A (Tc)

Vgs ((th) à différentes Id (max): 1,6V @ 960μA

Vgs ((th) (max): 1,6V @ 960μA à différentes Id's

Capacité d'entrée (Ciss) (max) à différents Vds: 157 pF @ 400 V

Pour les appareils à commande numérique, la valeur de la commande numérique doit être supérieure ou égale à:

Température de fonctionnement: -55 °C à 150 °C (TJ)

Type de montage: montage à la surface

Package du fournisseur: PG-LSON-8-1

Emballage/enveloppe: plaquette exposée à 8-LDFN

Numéro du produit de base: IGLD60

 

2, IGLD60R070D1AUMA3 Monture de surface N-canal 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) PG-LSON-8-1

Série CoolGaNTM

FET: type N-canal

Technologie: GaNFET (nitrure de gallium)

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:

Courant à 25°C - écoulement continu (Id): 15A (Tc)

Vgs ((th) à différentes Id (max): 1,6V @ 2,6mA

Vgs ((max): -10V

Capacité d'entrée (Ciss) à différents Vds (max): 380 pF @ 400 V

Pour les appareils à commande numérique, la valeur de la commande numérique doit être supérieure ou égale à:

Température de fonctionnement: -55 °C à 150 °C (TJ)

Type de montage: montage à la surface

Package du fournisseur: PG-LSON-8-1

Emballage/enveloppe: plaquette exposée à 8-LDFN

 

Introduction au projet

Les transistors de puissance améliorée CoolGaNTM600V offrent des vitesses de commutation rapides et des pertes de commutation minimales dans une topologie simple à demi-pont pour une efficacité maximale.

 

La famille CoolGaNTM 600V répond à des approbations complètes spécifiques au GaN qui vont bien au-delà des normes existantes.les chargeurs, la recharge sans fil et d'autres applications nécessitant le plus haut rendement ou la plus haute densité de puissance.

 

Pour plus d'informations, n'hésitez pas à contacter M. Chen par téléphone:

Tél.: +86 13410018555

Le courrier électronique: sales@hkmjd.com

Le siège de la compagnie:Le présent règlement est obligatoire dans tous ses éléments.

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Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Mr. Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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