Le blog de l'entreprise [Propriété] M29F800FB5AN6E2 (Micron) puces IC mémoire: 8Mbit parallèle NOR flash IC mémoire intégrée

[Offre]M29F800FB5AN6E2(Micron) puces de mémoire IC: 8Mbit parallèle ou flash IC de mémoire intégrée

La Commission a examiné les informations fournies par les autorités chinoises.️[Offre]M29F800FB5AN6E2(Micron) 8Mbit parallèle NOR Flash Embedded Memory IC, ci-dessous sont les détails du produit pour la mémoire M29F800FB5AN6E2:

Informations de base:
Numéro de la partie:M29F800FB5AN6E2
Paquet: TSOP-48
Type: IC de mémoire flash NOR

Les résultats:
M29F800FB5AN6E2est un périphérique de mémoire non volatil de 8 Mbit. M29F800FB5AN6E2 permet des opérations de lecture, d'effacement et de programme à l'aide d'une seule alimentation basse tension (4,5 à 5,5 V).l'appareil est en mode lecture par défaut et peut être lu de la même manière qu'une ROM ou une EPROM.

M29F800FB5AN6E2 est divisé en blocs qui peuvent être effacés indépendamment, conservant les données valides pendant que les anciennes sont effacées.Chaque bloc peut être protégé indépendamment pour empêcher les opérations accidentelles de PROGRAMME ou d'ERASE de modifier la mémoire. Les commandes PROGRAM et ERASE sont écrites dans l'interface de commande.Un contrôleur de programmation / effacement sur puce simplifie le processus de programmation ou d'effacement de l'appareil en gérant les opérations requises pour mettre à jour le contenu de la mémoire.

M29F800FB5AN6E2?? La fin d'une opération PROGRAM ou ERASE peut être détectée et toutes les conditions d'erreur identifiées.

Les M29F800FB5AN6E2#, OE# et WE# contrôlent le fonctionnement du bus de la mémoire.Le M29F800FB5AN6E2 est offert dans des paquets TSOP à 48 broches (12 mm x 20 mm).

Attributs du produit du M29F800FB5AN6E2
Type de mémoire: non volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: flash ou non
Taille de mémoire: 8 Mbit
Organisation de la mémoire: 1M x 8, 512K x 16
Interface mémoire: parallèle
Écrire le temps de cycle - mot, page: 55ns
Temps d'accès: 55 ns
Voltage - alimentation électrique: 4,5 V à 5,5 V
Température de fonctionnement: -40 °C à 85 °C (TA)
Type de montage: montage à la surface
L'emballage / le boîtier: 48-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Le fournisseur de l'équipement: 48-TSOP I

Caractéristiques du M29F800FB5AN6E2
• Tension d'alimentation VCC = 5V
• Temps d'accès: 55 secondes
• Contrôleur de programmation/effacement
Les algorithmes de programmation par byte/mot intégrés
• Effacer les modes de suspension et de reprise
• Faible consommation électrique
 en attente et en attente automatique
• 100 000 cycles de programme/suppression par bloc
• Signature électronique: code du fabricant: 0x01h
• les emballages conformes à la directive RoHS

Diagramme logique du M29F800FB5AN6E2

Le micronM29F800FB5AN6E2est une mémoire flash NOR 8Mbit de haute performance et fiabilité.Sa technologie mature et stable, ses caractéristiques rentables et faciles à utiliser en font un choix idéal pour les systèmes embarqués, la commande industrielle et l'électronique automobile.

Mingjiada Electronics a fourni [Micron]M29F800FB5AN6E2Pour plus d'informations sur le produit concernant la mémoire M29F800FB5AN6E2, veuillez consulter le site officiel de Mingjiada Electronics (Les informations fournies par les autorités compétentes sont les suivantes:) et