Le blog de l'entreprise [Approvisionnement] MOSFET au carbure de silicium Infineon_IMZA120R014M1H_CoolSiC™ 1200 V, 14 mΩ SiC Trench MOSFET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. propose une disponibilité immédiate du MOSFET trench SiC CoolSiC™ 1200 V, 14 mΩ d'Infineon, le IMZA120R014M1H, dans un boîtier TO247-4.

IMZA120R014M1H Description du produit
Le IMZA120R014M1H est un MOSFET SiC 1200 V CoolSiC™ d'Infineon Technologies utilisant une technologie de semi-conducteurs de tranchée avancée, offrant un équilibre optimal entre performance et fiabilité. Logé dans un boîtier TO247-4, ce MOSFET SiC IMZA120R014M1H intègre des considérations de conception pour minimiser les effets d'inductance parasite de source, permettant ainsi des vitesses de commutation plus rapides et une efficacité système améliorée.

Comparé aux dispositifs de commutation conventionnels à base de silicium tels que les IGBT et les MOSFET, le MOSFET CoolSiC™ IMZA120R014M1H offre une gamme d'avantages significatifs : Il possède les niveaux de charge de grille et de capacité de dispositif les plus bas parmi les dispositifs de commutation 1200 V, dispose d'une diode de corps sans perte de récupération inverse, présente des pertes de commutation pratiquement non affectées par la température et offre des caractéristiques de mise sous tension sans tension de genou. Ces caractéristiques rendent le IMZA120R014M1H très adapté aux topologies de commutation dure et de commutation résonante.

Le IMZA120R014M1H intègre la technologie de liaison par diffusion XT pour une performance thermique supérieure, tandis que sa diode de corps robuste et à faibles pertes est particulièrement adaptée aux applications de commutation dure exigeantes.

Spécifications
Les principaux paramètres techniques du IMZA120R014M1H sont les suivants :
Type de FET : Canal N
Technologie : SiC FET (Carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) : 1200 V
Courant de drain continu (Id) : 127 A (Tc)
Tension de commande : 15 V, 18 V (Rds On maximum, Rds On minimum)
Résistance à l'état passant (Maximum) : 18,4 mΩ @ 54,3 A, 18 V
Tension de seuil de grille (Vgs(th)) : 5,2 V @ 23,4 mA
Charge de grille (Qg) : 145 nC @ 18 V
Tension de grille (Vgs) : +20 V, -5 V
Capacité d'entrée (Ciss) : 4580 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (Max) : 455 W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C à 175°C (TJ)
Type de montage : Traversant
Boîtier/Boîtier : PG-TO247-4-8

Ces paramètres exceptionnels démontrent que le IMZA120R014M1H offre des performances et une stabilité exceptionnelles dans diverses applications haute tension et haute puissance.

Caractéristiques du IMZA120R014M1H
VDSS = 1200 V à Tvj = 25°C
IDDC = 127 A à TC = 25°C
RDS(on) = 14 mΩ à VGS = 18 V, Tvj = 25°C
Pertes de commutation extrêmement faibles
Temps de tenue aux courts-circuits : 3 µs
Tension de seuil de grille de référence, VGS(th) = 4,2 V
Résistant à la conduction parasite, permettant l'arrêt de la tension de grille à 0 V
Diode de corps robuste adaptée à la commutation dure
La technologie d'interconnexion Infineon XT offre des performances thermiques de pointe

Applications typiques
Le IMZA120R014M1H est idéalement adapté à diverses applications d'électronique de puissance haute performance, y compris, mais sans s'y limiter :
Stations de recharge de véhicules électriques : Fournissant une conversion de puissance efficace et rapide
Onduleurs industriels/Onduleurs en ligne : Assurant une alimentation électrique continue et stable
Optimiseurs solaires et pilotes universels : Améliorant l'efficacité du système de production d'énergie solaire
Circuits de correction du facteur de puissance (PFC) : Améliorant la qualité du réseau
Topologies bidirectionnelles et convertisseurs CC-CC : Permettant le flux d'énergie bidirectionnel et la conversion de tension CC
Onduleurs CC-CA : Convertissant le courant continu en courant alternatif

Le IMZA120R014M1H excelle dans ces applications principalement en raison de ses caractéristiques de commutation exceptionnelles et de ses faibles pertes de conduction. Il améliore considérablement l'efficacité du système et la densité de puissance tout en réduisant la complexité du système et les exigences de refroidissement.

Informations de contact
Si vous êtes intéressé par le MOSFET trench SiC 1200 V CoolSiC™ IMZA120R014M1H d'Infineon, n'hésitez pas à contacter Mingjiada Electronics.

Contact : M. Chen
Téléphone : +86 13410018555
E-mail : sales@hkmjd.com
Site Web : www.integrated-ic.com