Fourniture de produits GaN Infineon : commutateur bidirectionnel GaN, contrôleur GaN, Smart GaN, transistor GaN
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,en tant que principal fournisseur de composants électroniques en Chine, s'appuie sur son solide réseau de chaîne d'approvisionnement et ses capacités de service professionnel de l'industrie pour fournir à ses clients des produits originaux stables et fiables.
Les principaux produits comprennent :Puces 5G, circuits intégrés pour les nouvelles énergies, circuits intégrés IoT, circuits intégrés Bluetooth, circuits intégrés pour le réseau de véhicules, circuits intégrés de qualité automobile, circuits intégrés de communication, circuits intégrés d'intelligence artificielle, circuits intégrés de mémoire, circuits intégrés de capteurs, circuits intégrés de microcontrôleurs, circuits intégrés d'émetteurs-récepteurs, circuits intégrés Ethernet, puces WiFi, modules de communication sans fil, connecteurs et autres composants électroniques.
L'entreprise présente les principaux avantages suivants en matière d'approvisionnement :
Approvisionnement direct auprès des fabricants d'origine et assurance qualité : tous les produits sont achetés via des canaux autorisés pour garantir des produits originaux 100 % authentiques, avec des numéros de lot complets du fabricant d'origine fournis.
Approvisionnement évolutif et optimisation des coûts : grâce à une coopération approfondie avec plusieurs marques renommées et à l'avantage de l'approvisionnement à grande échelle, l'entreprise peut réduire considérablement le coût global des composants électroniques, offrant aux clients des prix très compétitifs.
Capacités de livraison flexibles et rapides : l'entrepôt central de Shenzhen et l'entrepôt sous douane de Hong Kong fonctionnent en tandem, prenant en charge la livraison express en 48 heures, avec des commandes urgentes pouvant être expédiées au niveau national dans les 24 heures.
Nitride de gallium (GaN)
CoolGaN™ – Appareils discrets et solutions intégrées offrant le rendement et la densité de puissance les plus élevés pour l'électronique grand public, l'industrie et les applications automobiles.
Produits et applications de commutateur bidirectionnel GaN Infineon
Les commutateurs bidirectionnels (BDS) de la série CoolGaN™ d'Infineon représentent une orientation d'innovation significative pour la technologie GaN dans les applications de conversion de puissance. Les dispositifs de commutateur bidirectionnel 40 V d'Infineon sont fabriqués à l'aide d'une technologie de procédé GaN-sur-Si avancée, intégrant deux HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) GaN hautes performances pour permettre le contrôle bidirectionnel du courant dans un seul boîtier, simplifiant considérablement la conception des circuits et améliorant la fiabilité du système. Ces dispositifs présentent une très faible résistance à l'état passant (valeurs typiques de 1,1 mΩ à 2,3 mΩ) et des vitesses de commutation ultra-rapides, prenant en charge des fréquences de fonctionnement allant jusqu'à 2 MHz, soit 5 à 10 fois les performances des MOSFET traditionnels à base de silicium, ce qui les rend particulièrement adaptés aux applications nécessitant un fonctionnement à haute fréquence et à haut rendement.
L'avantage technologique de base des commutateurs bidirectionnels GaN réside dans l'absence de caractéristiques de récupération inverse de la diode de corps. Contrairement aux dispositifs à base de silicium, les dispositifs GaN ne génèrent pas de courant de récupération inverse pendant la conduction inverse, éliminant fondamentalement les pertes de commutation et les problèmes d'interférences électromagnétiques causés par la récupération inverse de la diode de corps dans les MOSFET traditionnels. Les commutateurs bidirectionnels CoolGaN™ d'Infineon utilisent également une technologie d'attaque de grille innovante pour garantir la stabilité et la fiabilité des dispositifs dans des conditions de commutation à haute fréquence tout en simplifiant la conception des circuits d'attaque. Ces caractéristiques permettent aux commutateurs bidirectionnels GaN d'exceller dans les applications nécessitant un flux d'énergie bidirectionnel, telles que la rectification synchrone, les ponts en H d'entraînement de moteur et la recharge sans fil.
Contrôleurs GaN et solutions de dispositifs intelligents Infineon
La gamme de produits de contrôleurs GaN d'Infineon comprend des pilotes de grille autonomes et des modules d'alimentation intelligents (IPM) hautement intégrés, qui sont optimisés pour les caractéristiques uniques des dispositifs d'alimentation GaN afin de tirer pleinement parti des avantages de haute fréquence et de haut rendement de la technologie GaN. Notamment, les circuits intégrés d'alimentation intelligents comme le NV6133A, qui intègrent des commutateurs et des pilotes GaN, utilisent la technologie GaNSense™ pour permettre la détection de courant sans perte et des fonctions de protection complètes, simplifiant considérablement la conception du système et améliorant la fiabilité.
Le circuit intégré d'alimentation GaNFast™ est la série phare de la gamme de produits de contrôleurs GaN d'Infineon. La puce NV6133A intègre des commutateurs et des pilotes GaN hautes performances, prend en charge une large plage VCC de 10 à 30 V, offre un dV/dt de mise en marche programmable et offre une immunité dV/dt de 200 V/ns. Le dispositif présente une tension transitoire nominale de 800 V et une tension continue nominale de 700 V, avec une résistance à l'état passant de seulement 330 mΩ et une prise en charge des fréquences de fonctionnement allant jusqu'à 2 MHz. Sa technologie GaNSense™ intégrée offre des fonctionnalités intelligentes telles que la protection contre les courts-circuits, la protection contre la surchauffe et un mode de veille autonome à faible courant, éliminant les pertes de puissance des résistances d'échantillonnage dans les conceptions traditionnelles et améliorant encore l'efficacité et la fiabilité du système.
Série de transistors GaN Infineon
La gamme de produits de transistors GaN d'Infineon couvre un large éventail d'exigences d'application, des tensions moyennes aux tensions élevées, y compris la série complète de transistors GaN tels que CoolGaN™ G3 (tension moyenne), CoolGaN™ G5 (haute tension) et la série industrielle IGT. Ces dispositifs sont fabriqués à l'aide de procédés de plaquettes de 8 pouces avancés, améliorant considérablement la densité de puissance, la fréquence de commutation et les performances de gestion thermique, ce qui les rend adaptés aux applications de pointe, de l'électronique grand public aux alimentations industrielles.
La série CoolGaN™ G3 est optimisée pour les applications à tension moyenne, avec une plage de tension de 40 V à 120 V. Elle utilise des boîtiers RQFN 5x6 et 3,3x3,3 standardisés, qui sont compatibles avec les broches MOSFET traditionnelles à base de silicium, facilitant la migration de la conception pour les clients. Ces dispositifs présentent une très faible résistance à l'état passant (1,1 mΩ à 2,3 mΩ) et une excellente stabilité thermique cyclique, ce qui les rend particulièrement adaptés aux applications de commutation à haute fréquence. Dans les conceptions de charge rapide USB-C, les transistors GaN de la série G3 atteignent un rendement de plus de 95 % tout en réduisant la taille de l'alimentation de plus de 50 %; dans les entraînements de moteur et les alimentations de télécommunications, leurs caractéristiques à haute fréquence aident à réduire la taille des composants de filtre et à améliorer la bande passante de contrôle.
La série CoolGaN™ G5 est le produit phare d'Infineon pour les applications haute tension, fonctionnant à des tensions allant jusqu'à 650 V. Elle utilise une technologie GIT (Gate Injection Transistor) innovante, atteignant une amélioration du rendement de 3 % à 5 % par rapport aux générations précédentes. Les transistors GaN de la série G5 présentent de très faibles pertes de commutation, prenant en charge des fréquences de fonctionnement allant de centaines de kHz à MHz, tout en offrant une excellente immunité dv/dt et une capacité de tenue aux courts-circuits. Dans les applications d'onduleurs photovoltaïques, les dispositifs G5 atteignent des rendements de conversion supérieurs à 99 %, améliorant considérablement la production d'énergie des systèmes de production d'énergie. Dans les alimentations de serveurs et les chargeurs embarqués de véhicules électriques (OBC), leur densité de puissance élevée permet des conceptions de systèmes plus compactes.
Votre message doit contenir entre 20 et 3 000 caractères!