Le blog de l'entreprise [Alimentation de transistors IGBT] STGWA40HP65FB2 coupure de champ de type fossé 650 V 72 A 227 W à travers le trou

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd [fournisseur de transistors IGBT] Stock d'origine STGWA40HP65FB2 IGBT Type de tranchée de champ coupé 650 V 72 A 227 W Traverser le trou TO-247 Long plomb

Caractéristiques

• Température maximale de jonction: TJ = 175 °C
• La fréquence d'écoulement de l'appareil doit être supérieure ou égale à la fréquence d'écoulement de l'appareil
• Diode de protection co-emballée
• Courant de queue minimum
• Distribution des paramètres étroits
• Faible résistance thermique
• Coefficient de température VCE (saturation) positif

Applications

• Soudage
• Correction du facteur de puissance

Paramètres

Type IGBT: limite de champ de tranchée

Voltage - défaillance du collecteur (maximum): 650 V

Courant - collecteur (Ic) (maximum): 72 A

Courant - impulsion du collecteur (Icm): 120 A

Vce ((on) à Vge variable, Ic (max): 2V @ 15V, 40A

Puissance maximale: 227 W

Énergie de commutation: 410 μJ (arrêtée)

Type d'entrée: standard

Charge de la porte: 153 nC

Td (allumage/arrêt) valeur à 25°C: -/125ns

Conditions d'essai: 400 V, 40 A, 4,7 Ohms et 15 V

Temps de récupération inverse (trr): 140 ns

Température de fonctionnement: -55°C à 175°C (TJ)

Type de montage: par trou

Paquet/hébergement: TO-247-3

Package du fournisseur: TO-247 Long Leads

S' il vous plaît, appelez M. Chen:

Tél.: +86 13410018555

Le courrier électronique: sales@hkmjd.com

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