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Le blog de l'entreprise [Fournisseur] FF4000UXTR33T2M1 (Infineon) Modules MOSFET au carbure de silicium: modules à demi-pont MOSFET à 3,3 kV XHPTM 2 CoolSiCTM

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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[Fournisseur] FF4000UXTR33T2M1 (Infineon) Modules MOSFET au carbure de silicium: modules à demi-pont MOSFET à 3,3 kV XHPTM 2 CoolSiCTM
Dernières nouvelles de l'entreprise [Fournisseur] FF4000UXTR33T2M1 (Infineon) Modules MOSFET au carbure de silicium: modules à demi-pont MOSFET à 3,3 kV XHPTM 2 CoolSiCTM

La Commission a procédé à une évaluation de l'efficacité de l'application de la présente décision.Le nombre total d'équipements utilisés est de:(Infineon) Modules MOSFET au carbure de silicium: 3,3 kV XHPTM 2 modules à demi-pont MOSFET CoolSiCTM

 

Le nombre total d'équipements utilisés est de:: XHP 2 CoolSiCTM MOSFET Les modules à demi-pont sont conçus pour des performances et une fiabilité élevées.et courant de pointe répétitif de 1000A, avec une température de jonction opérationnelle allant jusqu'à +175°C.

 

Le nombre total d'équipements utilisés est de:: Les modules offrent de faibles pertes de commutation et une forte densité de courant, grâce à une conception peu inductive.les modules offrent une densité de puissance élevée dans un ensemble avec un indice de suivi comparatif (CTI) supérieur à 600Une plaque de base en AlSiC améliore les capacités de cycle thermique, ce qui rend ces modules idéaux pour des applications exigeantes.

 

Spécification deLe nombre total d'équipements utilisés est de:

Catégorie de produit: Modules MOSFET
Technologie: SiC
Mode de montage: Montage à vis
Emballage / boîtier: XHP 2
Polarité du transistor: N-canal
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange: 30,3 kV
Id - Courant de vidange continu: 500 A
Rds On - Résistance à la source de drainage: 40,8 mOhms
Vgs - Tension de la source de sortie: - 7 V, + 20 V
Vgs th - tension de seuil de la porte-source: 4.3 V
Pd - Dissipation de puissance: 20 mW
Série: XHP 2
Temps d'automne: 60 ns
Type de produit: Modules MOSFET
Heure de montée: 125 ns
Subcatégorie: Modules discrets et de puissance
Nom commercial: XHP CoolSiC
Le type: Module de puissance
Temps de retard typique pour l'arrêt: 240 ns
Temps de retard typique d'allumage: 300 ns
Vf - Voltage vers l'avant 4.6 V

 

CaractéristiquesLe nombre total d'équipements utilisés est de:
• Caractéristiques électriques
- VDSS = 3300 V
- IDN = 500 A / IDRM = 1000 A
- Tvj,op = 175 °C
- Faibles pertes de commutation
- Haute densité de courant
- Conception à faible induction
• Caractéristiques mécaniques
- Densité de puissance élevée
- Paquet avec CTI > 600
- Des distances de ramassage et de dégagement élevées
- Plaque de base AlSiC pour une capacité de cycle thermique accrue
- Substrate AlN à faible résistance thermique

 

Applications potentiellesLe nombre total d'équipements utilisés est de:
• Les moteurs de traction
• Convertisseurs de haute puissance
• Application de commutation à haute fréquence

 

Diagrammes deLe nombre total d'équipements utilisés est de:

dernières nouvelles de l'entreprise [Fournisseur] FF4000UXTR33T2M1 (Infineon) Modules MOSFET au carbure de silicium: modules à demi-pont MOSFET à 3,3 kV XHPTM 2 CoolSiCTM  0

 

Le nombre total d'équipements utilisés est de:: XHPTM 2 CoolSiCTM MOSFET halfbridge module 3,3 kV, 4,0 mΩ avec technologie d'interconnexion.XT pour décarboniser le transport.

 

Attributs du produitLe nombre total d'équipements utilisés est de:

Série: XHPTM2
Technologie: carbure de silicium (SiC)
Configuration: 2 canaux N (moitié pont)
Voltage de sortie à la source (Vdss): 3300V (3,3kV)
Le débit de courant continu (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4,8 mOhm @ 500A, 15V
Le système de freinage doit être équipé d'un système de freinage de freinage de freinage de freinage.
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Les capacités d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: 101000pF @ 1800V
Température de fonctionnement: -40°C à 175°C (TJ)
Type de montage: montage du châssis
Emballage / boîtier: module

 

Le nombre total d'équipements utilisés est de:- Résumé des caractéristiques

Le MOSFET CoolSiCTM est de 3,3 kV
Diode intégrée de carrosserie
Casque XHPTM 2
Technologie d'interconnexion.XT


Les avantages deLe nombre total d'équipements utilisés est de:

Efficacité énergétique
Densité de puissance élevée
Durée de vie accrue


Applications deLe nombre total d'équipements utilisés est de:
Systèmes de stockage d'énergie
Électrolyse à l'hydrogène
Produits photovoltaïques
Traction

 

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URL de l'entreprise: Les informations fournies par les autorités compétentes sont les suivantes:


Questions fréquentes
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R: Oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre but.
Q: Quels certificats avez-vous?
R: Nous sommes une société certifiée ISO 9001:2015 et membre de l'ERAI.
Q: Pouvez-vous prendre en charge la commande ou l'échantillon en petite quantité?L'échantillon est-il gratuit?
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