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Le blog de l'entreprise Fournir un produit en nitrure de gallium EPC : GaN IC, GaN FET pour l'automobile, Rad-Hard GaN

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

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Société Le blog
Fournir un produit en nitrure de gallium EPC : GaN IC, GaN FET pour l'automobile, Rad-Hard GaN
Dernières nouvelles de l'entreprise Fournir un produit en nitrure de gallium EPC : GaN IC, GaN FET pour l'automobile, Rad-Hard GaN

Fournir un produit en nitrure de gallium EPC : GaN IC, GaN FET pour l'automobile, Rad-Hard GaN

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,en tant que distributeur indépendant renommé de composants électroniques, maintient un stock à long terme de diverses séries de composants électroniques, couvrant les puces 5G, les circuits intégrés de nouvelle énergie, les circuits intégrés IoT, les circuits intégrés Bluetooth, les circuits intégrés V2X, les circuits intégrés de qualité automobile, les circuits intégrés de communication, les circuits intégrés IA, les circuits intégrés de mémoire, les circuits intégrés de capteurs, les circuits intégrés de microcontrôleur, les circuits intégrés d'émetteur-récepteur, les circuits intégrés Ethernet, les puces Wi-Fi, les modules de communication sans fil, les connecteurs et plus encore, fournissant aux clients des produits et services de haute qualité.

 

I. Circuits intégrés EPC GaN (série ePower™)

Les circuits intégrés d'étage de puissance EPC ePower™ sont des solutions intégrées GaN de pointe qui intègrent de manière monolithique la logique d'entrée, le décalage de niveau, les circuits d'amorçage et les pilotes de grille avec les FET de puissance eGaN®, simplifiant ainsi considérablement la conception de l'alimentation.

 

Caractéristiques principales : Plage de tension : 15 V-100 V, avec le modèle phare EPC23102 (100 V/35 A) ;

Ultra-haute fréquence : prend en charge la commutation de 1 MHz+, avec une efficacité jusqu'à 97 %+ et aucune perte de récupération inverse ;

Intégration ultime : réalise un étage de puissance en demi-pont sur une seule puce, réduisant ainsi l'encombrement du PCB de 50 % et plus.

Applications typiques : convertisseurs 48 V DC/DC, entraînements de moteur BLDC, amplificateurs audio de classe D, alimentations à impulsion LiDAR.

 

II. Transistors à effet de champ GaN de qualité automobile (certifiés AEC-Q101)

La gamme complète de FET eGaN® de qualité automobile d'EPC est certifiée AEC-Q101 et conçue pour résister aux environnements automobiles difficiles.

 

Caractéristiques principales : Norme de certification : AEC-Q101 Grade 1 (-40°C à 150°C), adaptée aux applications automobiles impliquant des vibrations élevées et de larges plages de températures ;

Perte ultra-faible : RDS (on) aussi faible que 1,5 mΩ, courant d'impulsion de crête jusqu'à 530 A et vitesse de commutation 10 fois plus rapide que les MOSFET au silicium ;

Micro-boîtier : boîtier à l'échelle d'une puce (CSP), dimensions aussi petites que 0,9 × 0,9 mm, avec une densité de puissance 30 fois supérieure.

Modèles grand public : EPC2202 (80 V/16 mΩ/75 A) : LiDAR automobile, 48 V-12 V CC/CC ;

EPC2212 (100 V/25 mΩ/37 A) : OBC (chargeur embarqué), pilotes de phares haute tension.

 

III. GaN durci aux radiations (série EPC Space)

Ciblant des applications de haute fiabilité telles que l'aérospatiale et la défense, Mingjiada propose des dispositifs GaN EPC Space durcis aux radiations (Rad-Hard), qui ont passé la certification d'irradiation de qualité spatiale et fonctionnent de manière stable en orbite depuis plus de six ans.

 

Caractéristiques principales : Tolérance aux rayonnements : dose totale d'irradiation (TID) ≥ 300 kRad, immunité aux effets d'événement unique (SEE), adaptée aux satellites en orbite terrestre basse et à l'exploration de l'espace lointain ;

Haute stabilité : tension de tenue de 100 V à 200 V, large plage de températures de fonctionnement de -55 °C à 125 °C, sans problèmes de dégradation par rayonnement associés aux dispositifs à base de silicium ;

Solutions intégrées : comprend des pilotes de grille résistants aux radiations (par exemple FBS-GAM01P) et des modules d'étage de puissance, simplifiant la conception de l'alimentation électrique pour l'aérospatiale.

Applications typiques : bus d'alimentation de satellite, convertisseurs DC/DC embarqués, entraînements de moteurs aérospatiaux et alimentations pour radars militaires.

 

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IV. Assurance d'approvisionnement Mingjiada

Gamme complète en stock : Nous maintenons un stock de puces pour une livraison immédiate, prenant en charge à la fois les échantillons en petits lots et les commandes de gros volumes ;

Qualité d'origine du fabricant : produits 100 % authentiques, complets avec rapports de tests en usine et certifications de qualité, avec support de traçabilité ;

Livraison mondiale : en tirant parti de notre réseau d'entrepôts à Shenzhen, à Hong Kong et à l'étranger, nous répondons rapidement aux exigences des commandes des clients nationaux et internationaux ;

Prix ​​compétitifs : Grâce à une collaboration étroite avec les fournisseurs et à une gestion efficace de la chaîne d’approvisionnement, nous sommes en mesure de vous proposer des prix compétitifs.

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Mr. Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

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