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Le blog de l'entreprise Transistor IGBT Starpower DG75X07T2L 650V 75A Transistor de puissance IGBT à demi-pont à phase unique

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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Transistor IGBT Starpower DG75X07T2L 650V 75A Transistor de puissance IGBT à demi-pont à phase unique

 

dernières nouvelles de l'entreprise Transistor IGBT Starpower DG75X07T2L 650V 75A Transistor de puissance IGBT à demi-pont à phase unique 0

 

Description du produit
DG75X07T2L est un IGBT Power Discrete qui offre une perte de conduction ultra-faible ainsi qu'une perte de commutation faible.

 

Caractéristiques
Technologie IGBT à faible VCE (sat)
Capacité de court-circuit de 6 μs
Faible perte de commutation
Température maximale de jonction 175oC
Cas à faible inductance
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Emballage sans plomb

 

Applications typiques
Invertisseurs à moteur
Amplificateur de servo-entraînement CA et CC
Énergie ininterrompue

Temps de bar : 2024-08-13 14:59:28 >> Liste de nouvelles
Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Mr. Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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