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Starpower DG40H12T2 1200V 40A Transistor de puissance IGBT à demi-pont à phase unique
Description du produit
DG40H12T2 est un IGBT Power Discrete offrant une perte de conduction ultra-faible ainsi qu'une perte de commutation faible.
Caractéristiques
Technologie IGBT à faible VCE (sat)
Faible perte de commutation
Température maximale de jonction 175°C
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Applications typiques
Énergie solaire
Soudeuse électronique
Énergie ininterrompue