ST STL26N60DM6 Transistors MOSFET de puissance MDmesh DM6 N-Channel 600V 15A haute tension
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. est un distributeur de composants électroniques de renommée mondiale, fournissant le STL26N60DM6 transistor MOSFET à canal N haute tension. Employant la technologie avancée MDmesh DM6, il offre des performances de commutation et une efficacité énergétique exceptionnelles dans les applications haute tension 600V.
Le STL26N60DM6 MOSFET de puissance N-channel 600V, 15A haute tension est particulièrement adapté aux applications exigeant un rendement élevé et une commutation rapide, telles que les stations de recharge de véhicules électriques, les convertisseurs de puissance d'équipements de télécommunications et les onduleurs solaires.
【Points forts de la technologie MDmesh DM6】
La série MDmesh DM6 représente le summum de la technologie MOSFET de puissance haute tension moderne, profondément optimisée pour les convertisseurs à haut rendement et les topologies en pont.
Par rapport aux générations précédentes, la technologie DM6 offre des améliorations significatives de la résistance à l'état passant par unité de surface, ainsi qu'une charge de grille réduite et des caractéristiques de commutation supérieures.
L'avantage principal de cette technologie réside dans sa configuration de capacité optimisée et son processus spécialisé de suppression de la durée de vie.
Cela permet aux MOSFET de la série DM6 de combiner de multiples avantages : faible charge de grille (Qg), faible charge de récupération (Qrr) et temps de récupération court (trr), ce qui les rend particulièrement adaptés aux circuits de commutation à haute fréquence.
Les dispositifs MDmesh DM6 subissent des tests d'avalanche à 100 % pour garantir la fiabilité dans des conditions de fonctionnement extrêmes et intègrent une protection Zener pour une tolérance dv/dt exceptionnelle.
Ces caractéristiques font des produits de la série DM6 comme le STL26N60DM6 idéaux pour les topologies en pont et les convertisseurs à déphasage ZVS.
【STL26N60DM6 Aperçu du produit】
Le STL26N60DM6 est un MOSFET de puissance à canal N logé dans un boîtier PowerFlat™ (8x8) HV à montage en surface.
Conçu pour une tension drain-source de 600 V et capable de gérer un courant de drain continu de 15 A, il offre une dissipation de puissance maximale de 110 W à 25°C.
Le STL26N60DM6 présente une résistance à l'état passant maximale de seulement 215 milliohms (à un courant de 7,5 A et une tension de grille de 10 V).
Cette faible résistance à l'état passant se traduit directement par une efficacité énergétique plus élevée et une réduction de la production thermique, permettant un fonctionnement stable dans les applications haute puissance.
Le MOSFET présente une tension de seuil de grille maximale de 4,75 V (dans des conditions de test de 250μA) et une plage de tension de fonctionnement de grille de ±25 V.
Le STL26N60DM6 présente une charge de grille (Qg) de 24 nC (à une tension de grille de 10 V) et une capacité d'entrée maximale (Ciss) de 940 pF (à une tension drain-source de 100 V).
Ces paramètres garantissent que le STL26N60DM6 réalise une commutation rapide tout en facilitant la conception du circuit de commande.
Le STL26N60DM6 fonctionne sur une large plage de températures de jonction de -55°C à 150°C, permettant une adaptation à diverses conditions environnementales exigeantes.
【Avantages techniques et caractéristiques du STL26N60DM6】
L'un des avantages les plus notables du STL26N60DM6 est ses caractéristiques de diode de corps à récupération rapide.
Par rapport aux générations précédentes, la technologie DM6 permet une réduction significative de la résistance à l'état passant par unité de surface tout en maintenant des pertes de commutation extrêmement faibles.
L'appareil présente également une robustesse dv/dt exceptionnelle, avec une pente de tension de récupération de diode de crête de 100 V/ns et une endurance dv/dt du MOSFET atteignant également 100 V/ns.
Le STL26N60DM6 subit des tests d'avalanche à 100 % pour garantir la fiabilité dans des conditions de fonctionnement extrêmes.
Une structure de protection Zener fournit une barrière de sécurité supplémentaire, tandis qu'une broche de source de commande supplémentaire optimise les performances de commutation.
Ces caractéristiques font collectivement du STL26N60DM6 un choix idéal pour les applications à haut rendement les plus exigeantes, en particulier celles nécessitant la gestion d'un dv/dt dynamique élevé dans les applications et les topologies.
【STL26N60DM6 Domaines d'application】
Le STL26N60DM6 convient à une large gamme d'applications de commutation de puissance, en particulier lorsque le rendement élevé et la commutation rapide sont essentiels.
Dans les stations de recharge de véhicules électriques, la capacité haute tension et les caractéristiques de commutation rapide du STL26N60DM6 en font un choix idéal pour la section de conversion de puissance.
Pour les équipements de télécommunications ou les convertisseurs de puissance de centres de données, le rendement élevé et la robustesse du STL26N60DM6 garantissent un fonctionnement stable du système.
Dans les applications d'onduleurs solaires, les caractéristiques de diode à récupération rapide du STL26N60DM6 contribuent à une efficacité de conversion d'énergie améliorée.
Le STL26N60DM6 est particulièrement adapté aux topologies nécessitant une gestion stable et fiable du dv/dt dynamique des diodes, telles que les configurations en pont complet et en demi-pont, ainsi que les convertisseurs à déphasage à commutation à tension nulle (ZVS).
De plus, le STL26N60DM6 peut être utilisé dans diverses conceptions d'alimentations à découpage à haut rendement, offrant aux ingénieurs une solution qui répond aux normes strictes d'efficacité énergétique tout en maintenant la fiabilité du système.
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