logo
Aperçu Nouvelles

Le blog de l'entreprise ST Low Side Switch VND3NV04TR OMNIFET II™ Series MOSFET de puissance entièrement autoprotecteur

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

—— Richardg, d'Allemagne

Prix compétitifs: les prix offerts par le groupe sont très compétitifs, ce qui en fait un excellent choix pour nos besoins d'approvisionnement.

—— Tim, de Malaisie

Le service à la clientèle fourni par est excellent. Ils sont toujours réactifs et serviables, en veillant à ce que nos besoins soient satisfaits rapidement.

—— Vincent, de Russie

Les prix sont excellents, la livraison est rapide et le service à la clientèle est de premier ordre.

—— Nishikawa, du Japon

Des composants fiables, une expédition rapide et un excellent support.

—— Sam, des États-Unis

Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

—— Lina, d'Allemagne

Je suis en ligne une discussion en ligne
Société Le blog
ST Low Side Switch VND3NV04TR OMNIFET II™ Series MOSFET de puissance entièrement autoprotecteur
Dernières nouvelles de l'entreprise ST Low Side Switch VND3NV04TR OMNIFET II™ Series MOSFET de puissance entièrement autoprotecteur

Commutateur Basse Tension VND3NV04TR Série OMNIFET II™ MOSFET de puissance entièrement autoprotegé

 

ST VND3NV04TR fourni par Mingjiada Electronics est un dispositif MOSFET de puissance intégrant des fonctions de protection avancées. Appartenant à la série OMNIFET II™ de STMicroelectronics, il est fabriqué en utilisant la technologie de procédé VIPower™ M0-3. Ce VND3NV04TR est spécialement conçu pour les applications remplaçant les MOSFET de puissance standard, adapté aux scénarios de fonctionnement allant du courant continu à la gamme de fréquences de 50 kHz.

 

Détails de la description du produit
Architecture de base : Le VND3NV04TR est un driver basse tension à canal unique logé dans un boîtier TO-252-3 (DPAK) avec une configuration à 2 broches plus une languette. Ce commutateur de puissance entièrement autoprotegé intègre de multiples fonctions de protection, permettant le remplacement direct des MOSFET de puissance conventionnels.
Caractéristiques d'entrée/sortie : Le VND3NV04TR présente un rapport entrée/sortie de 1:1 avec une configuration d'entrée non inverseuse, employant une interface de contrôle simple marche/arrêt. Cette conception assure la compatibilité avec l'utilisation des MOSFET de puissance standard, facilitant les mises à niveau et les remplacements dans les conceptions existantes.
Processus technologique : En tant que produit phare de la série OMNIFET II, le VND3NV04TR utilise la technologie avancée VIPower M0-3 de STMicroelectronics pour fournir une solution de commutateur de puissance intelligente intégrée monolithique.

 

Spécifications
Caractéristiques électriques : Le VND3NV04TR prend en charge une tension de charge maximale de 36 V, une tension de claquage drain-source nominale de 40 V, un courant de drain continu de 3,5 A et une limite de courant de sortie de crête de 5 A. Avec une résistance à l'état passant typique de 120 mΩ, il offre une faible dissipation de puissance.
Caractéristiques de commutation : Le VND3NV04TR présente un temps de mise en marche de 1,35 µs et un temps de coupure de 10 µs, avec des temps de montée et de descente de 250 ns. Ces paramètres indiquent une adéquation aux applications de commutation à moyenne fréquence.
Performances thermiques : Le VND3NV04TR offre une dissipation de puissance maximale de 35 W et fonctionne de manière fiable dans une plage de température de jonction de -40 °C à 150 °C. Cela permet un déploiement dans des environnements opérationnels exigeants.

 

Fonctionnalités du produit
Protection intégrée : Le VND3NV04TR offre une protection intégrée complète, notamment une limitation de courant linéaire, un arrêt thermique, une protection contre les courts-circuits et un serrage intégré. Ces fonctionnalités permettent au VND3NV04TR de résister aux conditions de fonctionnement exigeantes, améliorant la fiabilité du système.
Retour d'information diagnostique : Le VND3NV04TR a la capacité de détecter les états de défaut via les broches d'entrée, fournissant une fonctionnalité de retour d'information diagnostique. Cette fonctionnalité permet la surveillance de l'état, améliorant la maintenabilité du système.
Faible consommation d'énergie en veille : Le VND3NV04TR présente une consommation de courant de broche d'entrée minimale tout en intégrant une protection ESD, conformément aux exigences de la directive européenne 2002/95/CE. Ces caractéristiques mettent particulièrement l'accent sur l'efficacité énergétique et la fiabilité.

 

Domaines d'application
Systèmes de contrôle industriel : Le VND3NV04TR convient à la commande de charges industrielles résistives, inductives et capacitives, applicable dans des scénarios tels que la gestion de l'alimentation et le contrôle des moteurs. Dans ces applications, les fonctions de protection du VND3NV04TR empêchent les dommages aux appareils causés par une surintensité ou une surchauffe.
Électronique automobile : Avec sa large plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 150 °C, le VND3NV04TR convient à diverses applications de commande de charge dans les environnements automobiles. Sa robustesse lui permet de résister aux conditions exigeantes de l'électronique automobile.
Remplacement des MOSFET traditionnels : Le VND3NV04TR est spécialement conçu pour remplacer les MOSFET de puissance standard, offrant une fiabilité et une intégration améliorées, en particulier dans les applications de courant continu à 50 kHz. L'utilisation du VND3NV04TR simplifie la conception des circuits et réduit le nombre de composants externes requis.

 

Résumé
En tant que MOSFET de puissance entièrement protégé de la famille OMNIFET II™, le ST VND3NV04TR intègre des fonctions de protection complètes avec d'excellentes caractéristiques électriques, offrant une solution très fiable pour les applications de contrôle industriel et d'électronique automobile.

 

Mingjiada Electronics assure un approvisionnement à long terme du dispositif VND3NV04TR. Pour plus d'informations sur le produit ou des demandes d'échantillons, veuillez consulter le site Web de Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) pour afficher les détails de l'offre.

Temps de bar : 2025-11-05 14:57:26 >> Liste de nouvelles
Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Mr. Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)