Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. fournit et recycle des puces mémoire DRAM ETT synchrones 8Gb CMOS DDR4 de SK Hynix H5AN8G8NDJR-XNC.
I. Résumé du produit H5AN8G8NDJR-XNC
LeLe produit doit être présenté sous forme d'un test de dépistage.est une puce de mémoire de qualité ETT DRAM synchrone DDR4 de processeur CMOS de largeur x8 bits de capacité de 8 GB lancée par SK Hynix. Il s'agit d'une puce de mémoire DDR4 à usage général pour la mémoire DDR4 industrielle et de qualité grand public.Fabriqué à l'aide d'un procédé CMOS mature, la note ETT (Effectively Tested) indique que la puce a passé le dépistage complet des caractéristiques électriques de base, du timing et de la stabilité effectué par le fabricant.largeur de bande et fiabilité opérationnelle à long termeIl s'agit d'un composant courant pour les modules de mémoire des ordinateurs de bureau, des cartes mères de commande industrielle, des équipements réseau, des terminaux embarqués et des enregistreurs vidéo de sécurité.
C' est ça.Le produit doit être présenté sous forme d'un test de dépistage.La puce de mémoire est conforme à la norme JEDEC DDR4, utilise une architecture de précommande de 8 bits et prend en charge des débits de transfert de données à grande vitesse allant jusqu'à 3200 MT/s avec une tension de fonctionnement standard de 1,2 V.avec un écran de rétroéclairage, un package FBGA-78 de faible profil, il permet l'empilement de mémoire haute densité dans un espace PCB limité, ce qui le rend adapté à la production de masse de modules de mémoire et au marché de la rénovation.Il offre un délai de livraison stable et est compatible avec toutes les solutions de contrôleurs DDR4 sur toutes les plateformes.
II. Spécifications du matériel de base H5AN8G8NDJR-XNC
1. Architecture de base de la mémoire
Numéro de la partie:Le produit doit être présenté sous forme d'un test de dépistage.
Densité de mémoire: 8 Gb (1 Gb × 8 bits), capacité de 8 Gb par puce
Largeur du bus: x8 (canaux de données à 8 bits)
Architecture de préfetch: préfetch à 8 bits, lecture/écriture synchrone en pipeline interne
Configuration de la banque: architecture de banque multi-pages standard DDR4, prenant en charge les longueurs de rafale configurables de BL4/BL8
Technologie de processus: processus de mémoire dynamique CMOS
2Paramètres électriques et de vitesse
L'alimentation électrique standard: VDD/VDDQ unifié à 1,2 V, plage de tension 1,14 V ̇ 1,26 V
Vitesse nominale: DDR4-3200, débit de données équivalent 3200 Mbps, horloge de référence 1600 MHz
Architecture de l'horloge: entrées d'horloge CK/CK# entièrement différentielles, avec des strobes de données DQS/DQS# différentielles correspondantes
Génération de tension de référence interne intégrée VrefDQ, éliminant le besoin de circuits de séparation de tension externes
Configuration de temps: latence CAS programmable CL9 CL20; une latence AL supplémentaire peut être configurée de manière flexible
3- Paquet et dimensions physiques
Type d'emballage: FBGA-78 (matrice de grille à billes à profil mince de 78 billes)
Dimensions: 11,0 mm × 7,5 mm, épaisseur maximale 1,2 mm
La hauteur de la balle: 0,8 mm, technologie SMT de montage en surface
Spécifications de l'emballage: expédié en plateaux; quantité standard de plateaux: 1 600 pièces par plateau
Conformité environnementale: sans plomb et sans halogène; pleinement conforme aux normes RoHS et REACH
4. Fiabilité environnementale
Plage de température standard commerciale: de 0°C à +85°C
Prend en charge la mise à jour automatique et la mise à jour adaptée à la température; aucune perte de données lors des opérations de lecture/écriture à haute ou basse température
Faible consommation d'énergie statique en mode veille, adapté aux équipements nécessitant un fonctionnement continu à long terme
III. Caractéristiques essentielles spécifiques au DDR4
Suite d'équilibrage et d'étalonnage de lecture/écriture: Nivélisation d'écriture intégrée, étalonnage de l'impédance ZQ et fonctions de terminaison TDQS sur puce correspondant automatiquement à l'impédance de trace PCB,éliminer les changements de synchronisation du signal à grande vitesse et réduire considérablement la complexité du débogage matériel, tout en assurant une intégrité du signal stable à des fréquences élevées de 3200 MHz.
Les mécanismes de sécurité des données comprennent la vérification de l'écriture CRC et les fonctions DM (Data Mask),qui échantillonne les données sur les bords ascendants et descendants pour effectuer la vérification et la correction des erreurs en temps réel lors de l'écriture des données, réduisant ainsi les erreurs de lecture/écriture de la mémoire; prend en charge la réinitialisation asynchrone pour réinitialiser rapidement le contrôleur de mémoire après une panne de courant inattendue.
La conception basse consommation et écoénergétique intègre une terminaison dynamique sur la puce et des modes d'auto-renouvellement à plusieurs niveaux, avec un contrôle à plusieurs niveaux de la consommation d'énergie en veille, au ralenti,et les états de lecture/écritureComparé aux puces DDR3 de même capacité, la consommation d'énergie est réduite de plus de 20%, ce qui la rend adaptée aux appareils informatiques embarqués et d'extrémité à faible puissance.
Une architecture de pipeline entièrement synchrone garantit que les signaux d'adresse et de contrôle sont bloqués uniquement sur le bord ascendant de l'horloge, tandis que les données et les signaux de sélection sont échantillonnés sur les deux bords.La conduite interne en plusieurs étapes permet un traitement parallèle, offrant une bande passante élevée soutenue pour répondre aux exigences des scénarios de lecture/écriture simultanés sur plusieurs tâches.
IV. Explication des niveaux de puces ETT (avantages fondamentaux de la différenciation)
Le suffixe XNC dans le modèleLe produit doit être présenté sous forme d'un test de dépistage.correspond à des puces de qualité certifiées ETT, qui diffèrent des puces de qualité supérieure du fabricant et des puces de qualité supérieure du fabricant:
Des essais électriques complets sont effectués après l'emballage d'usine, y compris la marge de tension, la contrainte de synchronisation complète, le cycle à haute et basse température, la résistance à la lecture/écriture et la détection des fuites,pour éliminer les unités défectueuses; la consistance est bien supérieure à celle des puces non testées;
Le coût est modéré, sans prime associée aux modules de catégorie "Major" du fabricant d'origine, ce qui le rend approprié pour les modules en vrac, les systèmes de contrôle industriel, de sécurité,et le marché de la remise en état de la mémoire d'occasion;
Stabilité répondant aux exigences d'un fonctionnement ininterrompu de l'équipement 7×24 heures, avec un taux de défaillance bien inférieur à celui des modules vierges non sélectionnés,ce qui en fait le premier choix pour les solutions de stockage de taille moyenne à rapport qualité-prix.
V. Scénarios d'application typiques pour le H5AN8G8NDJR-XNC
Modules de stockage d'électronique grand public: modules de mémoire DDR4 pour PC de bureau, mémoire SODIMM pour ordinateurs portables, PC tout-en-un et mini-PC; compatibles avec toute la gamme de plateformes Intel/AMD DDR4;
Appareils industriels embarqués: cartes mères de commande industrielle, passerelles de bord, PC industriels à vision par machine et contrôleurs de mouvement PLC; fonctionnement stable dans une large plage de températures de 0°85°C;
Équipement de réseau et de sécurité: commutateurs, routeurs, NVR (enregistreurs vidéo réseau) et cartes mères de stockage pour caméras 4K; adaptés aux scénarios de lecture/écriture continue à haut débit;
AIoT et appareils utilisateurs finaux: signalisation numérique intelligente, terminaux en libre-service, systèmes multimédias embarqués et petites boîtes de calcul locales;
Soutien à la distribution et au recyclage des composants: soutient le recyclage des composants électroniques et la production de modules de mémoire réaménagés; offre suffisante sur le marché,adapté aux modèles commerciaux de recyclage et de distribution.
VI. Résumé des avantages du produit pour H5AN8G8NDJR-XNC
Spécifications équilibrées: largeur de bus de 8 Gb x 8 bits + bande passante de 3200 Mbps, couvrant la grande majorité des besoins de stockage de milieu de gamme avec une polyvalence exceptionnelle;
Emballage compact: l'emballage FBGA-78 à profil mince et la disposition des PCB à haute densité réduisent la taille globale de l'appareil;
Débogage facile: l'étalonnage ZQ intégré, l'égalisation d'écriture et la vérification CRC réduisent les cycles de conception du matériel;
Assurance de la qualité de l'ETT: essais complets effectués par le fabricant d'origine, équilibrant la stabilité et le coût, ce qui le rend adapté à la production en série;
Compatibilité complète avec les plateformes: protocole standard JEDEC DDR4 sans barrières de compatibilité avec les contrôleurs; un stock suffisant est disponible, prenant en charge à la fois l'approvisionnement en vrac et le rachat d'inventaire.
Votre message doit contenir entre 20 et 3 000 caractères!
French
