Le blog de l'entreprise Recycler les étapes de puissance TI: étapes de puissance GaN, étapes de puissance Si

Recyclage des étages de puissance TI : Étages de puissance GaN, Étages de puissance Si

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. est spécialisée dans le domaine du recyclage des composants électroniques depuis de nombreuses années et est un fournisseur leader de solutions d'inventaire en Chine. Nous offrons des services de recyclage monétaire à long terme et de grande valeur pour une large gamme de composants électroniques et de puces dans le monde entier, fournissant des services de dédouanement d'inventaire et de gestion de stock dormant efficaces, sécurisés et transparents aux clients à toutes les étapes de la chaîne d'approvisionnement.

Avantages clés de notre service de rachat

1. Prix d'achat monétaire élevés et devis très compétitifs

En tirant parti de notre base de données du marché mondial et de notre équipe d'évaluation professionnelle, nous fournissons des devis en temps réel qui reflètent les conditions actuelles du marché des puces. Sans marges des intermédiaires et avec un règlement monétaire immédiat, nous maximisons la valeur de vos actifs. Nous accueillons les partenariats avec les fabricants d'équipement d'origine (OEM), les agents, les usines d'utilisateurs finaux et les distributeurs.

2. Rachat complet sans restrictions de spécifications

Stock en bobine complète : Nous privilégions le rachat de puces de grande valeur dans leur emballage d'origine, y compris les bobines complètes et les cartons complets ;

Pièces détachées et stock obsolète : Nous acceptons les échantillons, les stocks arrêtés, les produits en fin de vie et les surplus de matériaux de projets ;

Toutes conditions : Nous acceptons les produits neufs, non ouverts ; les pièces détachées d'origine ; les composants entièrement fonctionnels issus d'équipements démontés ; et tous types de stocks obsolètes.

3. Processus efficace, sécurisé et conforme

Coordination des exigences : Les clients fournissent une liste de numéros de pièces, de quantités, de numéros de lot et de conditions ;

Devis rapide : Devis précis émis dans un délai de 1 à 2 heures ;

Inspection et acceptation : Inspection sur site ou test d'échantillons, avec confirmation sur place ;

Règlement immédiat : Paiement en espèces ou par virement bancaire effectué immédiatement après acceptation réussie ;

4. Service mondial, solutions flexibles

Basée à Shenzhen, notre activité couvre les marchés nationaux et étrangers. Nous prenons en charge la collecte sur site, la livraison gratuite par coursier et les transactions transfrontalières. Nous assurons une confidentialité absolue tout au long du processus, protégeant la vie privée des chaînes d'approvisionnement de nos clients et éliminant tout risque lié à l'industrie.

Les produits d'étages de puissance de TI sont divisés en deux lignes de produits principales : les étages de puissance intégrés GaN et les étages de puissance intégrés Si (MOSFET silicium). Les deux utilisent une solution d'intégration multi-puces, intégrant des commutateurs de puissance, des pilotes de grille, la détection de courant et des circuits de protection au sein d'un seul appareil, fournissant directement une unité de commutation complète. Cela réduit considérablement le nombre de composants externes, simplifie la conception du PCB et convient à divers scénarios de conversion de puissance tels que les alimentations de serveurs, les alimentations industrielles, les systèmes d'alimentation automobile, les unités d'alimentation de robots humanoïdes et les alimentations de télécommunications.

I. Étages de puissance TI GaN (Étages de puissance intégrés au nitrure de gallium)

Les étages de puissance TI GaN sont développés à l'aide d'un procédé GaN à base de silicium (GaN-on-Si) à mode d'enrichissement et sont classés comme dispositifs intégrés de puissance à large bande interdite. Les modèles typiques incluent le LMG3410R050, le LMG5200, le LMG708B0 et le DRV7308, couvrant des tensions nominales de 80 V à 650 V, avec un choix d'architectures demi-pont, pont complet et triphasé IPM.

Caractéristiques clés

1. Charge de récupération inverse nulle : Les FET GaN ne présentent pas l'effet de récupération inverse présent dans la diode de corps des MOSFET silicium. Les pertes de commutation peuvent être réduites jusqu'à 80 % par rapport aux MOSFET silicium traditionnels, prenant en charge la commutation à haute fréquence au niveau du MHz, réduisant la taille des inducteurs et des condensateurs, et améliorant considérablement la densité de puissance.

2. Pilote intégré sur puce : Intègre le dispositif de puissance GaN, le pilote de grille, la protection contre les surintensités, les surchauffes et les sous-tensions, ainsi que la détection de courant dans un seul boîtier. Cela élimine les problèmes de sonnerie et d'EMI causés par l'inductance parasite de la boucle de grille dans les solutions discrètes et réduit la complexité de mise en service.

3. Faible capacité parasite : Avec une capacité d'entrée et de sortie minimale, la sonnerie du nœud de commutation est réduite et les coûts de filtrage EMI sont abaissés, ce qui le rend adapté aux topologies telles que le PFC en totem-pole, les LLC haute fréquence et les onduleurs moteur haute fréquence.

4. Fiabilité entièrement vérifiée : Le dispositif a subi plus de 40 millions d'heures de tests de fiabilité accélérés ; la version haute tension dispose de mécanismes de protection complets, répondant aux exigences de haute fiabilité telles que celles des applications industrielles et automobiles AEC-Q100 Grade 1.

Applications typiques

Alimentations pour serveurs de calcul IA, alimentations de centres de données 1U, chargeurs embarqués automobiles (OBC), alimentations industrielles haute fréquence, onduleurs de puissance pour drones, servomoteurs pour robots humanoïdes, alimentations pour stations de base de télécommunications et adaptateurs haut de gamme.

II. Étages de puissance TI Si (Étages de puissance MOSFET silicium intégrés)

Les étages de puissance TI Si sont basés sur des procédés MOSFET silicium matures, intégrant des MOSFET silicium côté haut et côté bas, des pilotes de grille et des circuits de détection de courant. Ils représentent une solution classique d'étage de puissance intégré pour les applications de conversion DC-DC abaisseur, ciblant les scénarios de moyenne et basse tension, à courant élevé. Ils offrent une large gamme de modèles, des coûts contrôlables et un écosystème d'ingénierie mature.

Caractéristiques clés

1. Procédé mature à base de silicium : Utilise des MOSFET silicium avec une résistance à l'état passant (Rds(on)) optimisée, offrant d'excellentes performances de pertes de conduction dans les applications à moyenne à basse tension et à moyenne à basse fréquence de commutation, avec une alimentation stable et une large gamme d'options de dispositifs.

2. Unité de commutation demi-pont intégrée : Comprend un pilote intégré, des MOSFET silicium côté haut et côté bas, et la détection de courant, conçue pour les convertisseurs abaisseurs. Cela élimine le besoin de puces de pilote externes et simplifie la conception des alimentations POL (Point-of-Load) à courant élevé.

3. Fonctionnalités de protection complètes : La protection intégrée contre les surintensités, l'arrêt thermique et le verrouillage sous-tension offrent une protection robuste contre les conditions de fonctionnement anormales telles que les courts-circuits et les surcharges.

4. Limitations de fréquence : En raison de la récupération inverse de la diode de corps dans les MOSFET silicium, la fréquence de commutation est généralement limitée à quelques centaines de kHz ; à mesure que la fréquence augmente, les pertes de commutation augmentent rapidement, laissant une marge limitée pour améliorer la densité de puissance.

Applications typiques

Alimentations POL (Point-of-Load) pour cartes mères de serveurs ; alimentations pour FPGA et processeurs ; alimentations pour cartes de contrôle industrielles ; alimentations pour systèmes de sécurité ; convertisseurs abaisseurs DC-DC pour l'électronique grand public ; alimentations auxiliaires pour équipements d'automatisation.

III. Comparaison des étages de puissance TI GaN et des étages de puissance Si

1. Fréquence de commutation

Étages de puissance GaN : Peuvent atteindre la gamme du MHz, prenant en charge les topologies haute fréquence ;

Étages de puissance Si : Fonctionnent principalement à des dizaines de kHz à plusieurs centaines de kHz ; les pertes augmentent considérablement à haute fréquence.

2. Densité de puissance

Étages de puissance GaN : Le volume des composants passifs est considérablement réduit, ce qui entraîne des tailles de solution plus petites pour la même puissance de sortie ;

Étages de puissance Si : Les composants passifs sont relativement grands, ce qui entraîne une densité de puissance plus faible pour la solution ;

3. Caractéristiques des pertes

Étages de puissance GaN : Pertes de commutation extrêmement faibles et récupération inverse nulle, adaptés aux applications haute fréquence et haute tension ;

Étages de puissance Si : Offrent des avantages en termes de pertes à l'état passant à basse fréquence et à moyenne à basse tension, mais souffrent de pertes de récupération inverse importantes à haute fréquence.

4. Coût du système

Étages de puissance GaN : Bien que le prix unitaire des composants soit plus élevé, la nécessité de dissipateurs thermiques, de filtres EMI, d'inducteurs et de condensateurs est réduite, ce qui confère un avantage de coût aux solutions système complètes haute fréquence et haute tension ;

Étages de puissance Si : Les composants eux-mêmes sont peu coûteux, ce qui rend le BOM global plus économique pour les applications basse fréquence et moyenne à basse tension.

5. Topologies appropriées

Étages de puissance GaN : PFC sans pont en totem-pole, LLC haute fréquence, onduleurs moteur triphasés, demi-pont / pont complet haute fréquence ;

Étages de puissance Si : Convertisseurs abaisseurs, convertisseurs Boost traditionnels, ponts complets basse fréquence.