Le blog de l'entreprise Recycler les MOSFET TI : MOSFETs à canal N, MOSFETs à canal P, Blocs d'alimentation

Recycler les MOSFET TI:MOSFET N-canaux,MOSFET P-canaux,blocs électriques

La Commission a examiné les informations fournies par les autorités chinoises.est un important fournisseur de services de recyclage de composants électroniques en Chine, spécialisé dans le recyclage de composants électroniques, notamment: circuits intégrés, puces 5G, circuits intégrés de nouvelles énergies,les circuits intégrés IoT, les circuits intégrés Bluetooth, les circuits intégrés V2X, les circuits intégrés automobiles, les circuits intégrés de communication, les circuits intégrés d'intelligence artificielle, les circuits intégrés de stockage, les circuits intégrés de capteurs, les circuits intégrés de microcontrôleur,circuits intégrés émetteurs-récepteursAvec une connaissance professionnelle du marché et un vaste réseau de vente,nous offrons aux clients les prix de recyclage les plus compétitifs et nous nous engageons à devenir leur partenaire le plus fiable dans l'industrie du recyclage de composants électroniques.

Processus de recyclage:

1.Sortez votre inventaire excédentaire de circuits intégrés/modules, en identifiant le modèle, la marque, la date de production et la quantité.

2Envoyez la liste d'inventaire par fax ou par e-mail à notre équipe d'évaluation.

3Après avoir conclu un accord, les deux parties négocieront le mode de livraison spécifique.

4La société ne recycle que les composants provenant de canaux officiels, tels que les distributeurs, les commerçants et les usines d'utilisateurs finaux, et n'accepte pas les composants provenant de canaux non officiels.

NexFETTM MOSFET offre une large gamme de modules d'alimentation N-canal et P-canal ainsi que des solutions d'alimentation discrètes.une plus grande densité de puissanceCes avantages offrent une flexibilité pour les conceptions miniaturisées et permettent aux ingénieurs de conception de réduire les délais de mise sur le marché.

MOSFET à canal N

Les MOSFET à canal N sont un composant clé de la gamme de produits T Power Semiconductor, offrant des avantages tels qu'une faible résistance et une vitesse de commutation rapide.

Les MOSFET TI à canal N comprennent principalement les types suivants:

MOSFET à basse tension N-channel (< 100 V): tels que CSD17313Q2, CSD18532Q5B, etc., adaptés à la gestion de l'énergie, aux pilote LED et à d'autres applications d'électronique grand public.

MOSFET à N-canaux de tension moyenne à élevée (100V 600V): y compris des modèles tels que CSD19536Q5A et CSD19535KCS, couramment utilisés dans les entraînements de moteurs industriels, les alimentations électriques de commutation et d'autres applications.

MOSFET à N-canal à ultra-haute tension (> 600 V): principalement utilisés dans des applications à haute puissance telles que la production d'énergie renouvelable et les bornes de recharge de véhicules électriques.

Ces MOSFET N-canal utilisent des technologies de processus avancées, telles que la technologie NexFETTM power MOSFET de TI, avec des caractéristiques de charge de porte optimisée (Qg) et de faible résistance (RDS ((on))amélioration significative de l'efficacité du système.

Les MOSFET à canal P

Les MOSFET à canal P sont couramment utilisés dans la conception de circuits pour simplifier les architectures de gestion de l'alimentation.

Les MOSFET TI à canal P comprennent:

MOSFET standard à canal P: tels que les modèles CSD25404Q3 et CSD25402Q3, adaptés à la commutation de charge, à la gestion du chemin d'alimentation et à d'autres applications.

MOSFET à canal P de qualité automobile: produits conformes à la certification AEC-Q101, tels que le CSD25401Q3A, adaptés aux systèmes électroniques automobiles.

Les MOSFET à petit signal P-canal: utilisant des paquets compacts tels que SOT-23, ils sont conçus pour les appareils portables et les applications limitées en espace.

Les MOSFET à canal P de TI présentent une faible charge de porte et des caractéristiques de diode de corps optimisées, réduisant les pertes de commutation et améliorant l'efficacité globale du système.

Blocs électriques

Les blocs de puissance intègrent des MOSFET, des circuits de pilotage et des fonctions de protection, adaptés aux applications nécessitant une forte densité et efficacité de puissance.

Les modèles clés sont les suivants:

LMG3410R050: intègre un FET GaN 600V avec des circuits de pilotage, prenant en charge une conversion de puissance efficace, adapté aux alimentations de serveurs, aux centres de données et aux systèmes d'alimentation industrielle.

LMG3522R030: module d'alimentation GaN de 650 V avec fonctions de protection contre le surtension et de surveillance de la température, largement utilisé dans les bornes de recharge des véhicules électriques, les onduleurs solaires,et autres applications à haute puissance.

Modules de puissance traditionnels à base de silicium: y compris divers convertisseurs CC-CC, modules POL (point de charge), etc.

Les Power Blocks de TI utilisent une technologie d'emballage avancée et une conception de gestion thermique pour améliorer considérablement la densité de puissance et la fiabilité du système.