Le blog de l'entreprise Produit de Qorvo GaN recyclé: Transistor RF GaN, commutateur GaN, amplificateur de puissance GaN, module frontal GaN

Produit de Qorvo GaN recyclé: Transistor RF GaN, commutateur GaN, amplificateur de puissance GaN, module frontal GaN

La Commission a examiné les informations fournies par les autorités chinoises.est le principal fournisseur de services de recyclage de composants électroniques en Chine, spécialisé dans les services de recyclage professionnel de divers types de composants électroniques, offrant aux clients des services efficaces, sûrs,et des solutions de gestion des stocks conformes.

Catégories de produits recyclés:les puces de circuits intégrés, les puces 5G, les circuits intégrés de nouvelles énergies, les circuits intégrés IoT, les circuits intégrés Bluetooth, les circuits intégrés véhicule-tout (V2X), les circuits intégrés automobiles, les circuits intégrés de communication, les circuits intégrés d'intelligence artificielle (IA), etc.En plus, nous fournissons des circuits intégrés de mémoire, des circuits intégrés de capteurs, des circuits intégrés de microcontrôleurs, des circuits intégrés de récepteurs, des circuits intégrés Ethernet, des puces Wi-Fi, des modules de communication sans fil, des connecteurs et d'autres composants électroniques.

Détails du recyclage:

1- recyclage des matériaux électroniques, des matériaux inutiles, des stocks d'usine, des stocks électroniques, des stocks personnels, etc.

2Une solide solidité financière et des fonds suffisants, avec une vaste expérience dans le recyclage, permettant un recyclage rapide sur place.

3. Fournir des solutions de gestion d'inventaire variées pour les clients à choisir. Nous pouvons acheter des stocks en vrac en une seule fois ou offrir des ventes par consignation.

4Honnête, fiable et digne de confiance, avec des services professionnels et pratiques et des prix de recyclage raisonnables.

Transistors RF au nitrure de gallium

Les transistors RF au nitrure de gallium de Qorvo utilisent une technologie avancée de GaN-sur-SiC à base de carbure de silicium.combinant la haute mobilité électronique du matériau GaN avec l'excellente conductivité thermique du substrat SiC, offrant des performances exceptionnelles dans les applications à haute fréquence et haute puissance. Ces appareils fonctionnent généralement dans la gamme de fréquences de la bande L à la bande Ka (1-40 GHz),d'une puissance de sortie atteignant des centaines de watts et d'une efficacité de puissance ajoutée (PAE) supérieure à 60%, dépassant de manière significative les dispositifs LDMOS traditionnels à base de silicium.

Les transistors RF GaN de Qorvo comprennent:

Commutateurs GaN à haute puissance: utilisés dans les systèmes radar à réseau phasé et les équipements de guerre électronique, avec une vitesse de commutation de niveau nanoseconde et une capacité de traitement de puissance extrêmement élevée.Les commutateurs GaN de la série QPD1000 de Qorvo utilisent une technologie d'emballage sans soudure innovante, capables de gérer une puissance de pointe supérieure à 100 W dans la bande X, avec une perte d'insertion inférieure à 0,5 dB et une isolation supérieure à 35 dB.

Transistors de puissance RF: conçus pour les stations de base MIMO massives 5G et les stations au sol de communication par satellite, offrant une grande linéarité et une stabilité thermique exceptionnelle.Un exemple typique est le transistor de puissance QPA2211 GaN de Qorvo, qui fournit 20 W de puissance de sortie d'onde continue à 2,6 GHz, avec un gain de puissance de 16 dB, ce qui le rend approprié pour les applications de réseau à grande échelle.

Amplificateurs de puissance au nitrure de gallium

Les amplificateurs de puissance au nitrure de gallium sont une catégorie de produits de base de la gamme de produits RF de Qorvo, largement utilisés dans les stations de base 5G, le backhaul micro-ondes, le radar et les systèmes de contre-mesures électroniques.Comparé aux solutions traditionnelles, les PA GaN offrent une bande passante plus large, une efficacité plus élevée et des tailles plus compactes, réduisant considérablement la consommation d'énergie du système et les coûts d'exploitation.

Les types d'amplificateurs de puissance Qorvo GaN comprennent:

Amplificateurs de puissance à large bande: couvrant plusieurs octaves, adaptés à la guerre électronique et aux systèmes radar multifonctionnels.le Qorvo QPA1022 GaN PA fournit une puissance de sortie saturée de 10W dans la plage 2-18GHz, avec un rendement énergétique supérieur à 30% et utilise un boîtier de 7x7 mm pour une intégration facile du système.

PA à haute linéarité: optimisé pour les normes 5G NR, répondant aux exigences strictes ACPR et EVM.une puissance maximale de 50 W à une bande passante instantanée de 100 MHz avec une magnitude du vecteur d'erreur (EVM) inférieure à 10,5%, ce qui le rend idéal pour les antennes MIMO à grande échelle.

Modules de front-end à ondes millimétriques: GaN PA intégré, amplificateur à faible bruit (LNA) et commutateur, fréquences de fonctionnement étendues à la bande Q (30-50 GHz).le module front-end Qorvo QPF7250 pour les terminaux FWA (Fixed Wireless Access) 5G comprend un PA GaN à haut rendement et un LNA haut débit, prenant en charge la bande de fréquences 24-30 GHz avec une puissance de sortie allant jusqu'à 27 dBm et un bruit inférieur à 3 dB.

Les modules de front-end GaN

Les modules de front-end GaN représentent une percée technologique dans l'intégration au niveau du système par Qorvo, intégrant des amplificateurs de puissance GaN, des amplificateurs à faible bruit, des commutateurs, des filtres,et circuits de commande dans un seul emballageCes solutions hautement intégrées accélèrent l'adoption dans les smartphones 5G, les petites cellules et les appareils IoT.

Les modules de front-end Qorvo GaN comprennent:

5G FEM à ondes millimétriques: Prend en charge les bandes d'ondes millimétriques 5G telles que n257/n258/n260, utilisant généralement la technologie AiP (Antenne in Package) pour une conception compacte.le module front-end Qorvo QPM2630 à ondes millimétriques intègre deux canaux de transmission et un canal de réception, fonctionnant à des fréquences allant de 24 à 30 GHz, chaque canal TX fournissant une puissance de sortie allant jusqu'à 18 dBm, ce qui le rend adapté aux smartphones et aux appareils CPE.

Modules Wi-Fi 6/6E Front-End: combinant la technologie GaN et le filtrage avancé pour répondre aux exigences de haut débit.l'intégration d'un PA, LNA et commutateur, avec une puissance de sortie allant jusqu'à 22 dBm et un EVM supérieur à -35 dB à des taux MCS11, ce qui en fait un choix idéal pour les routeurs haut de gamme et les points d'accès de niveau entreprise.

FEM de qualité défense et aérospatiale: répond aux exigences extrêmes en matière de fiabilité environnementale, couramment utilisées dans les communications par satellite et les radios militaires.Ces produits utilisent généralement des procédés spéciaux d'emballage et de dépistage, comme le GaN FEM de Qorvo, qui fonctionne sur une plage de température de -55°C à +125°C et offre une résistance radiologique supérieure.

Dispositifs de commutation au nitrure de gallium

Les dispositifs de commutation au nitrure de gallium jouent un rôle essentiel dans le routage du signal RF et le réglage de l'antenne.Qorvo a développé une série de solutions de commutation de haute performance en combinant des SOI (Silicon-on-Insulator) innovants avec la technologie GaN.

Les produits de commutation GaN de Qorvo comprennent principalement:

Modules de commutation d'antenne (ASM): intégrés à plusieurs commutateurs RF, filtres et logique de contrôle, fournissant une solution complète de front-end RF pour les appareils mobiles.Les produits GaN ASM de Qorvo présentent une faible perte d'insertion (< 1 dB typique), une isolation élevée (> 30 dB) et une excellente linéarité (IP3 > 60 dBm), ce qui les rend idéales pour les smartphones 5G et les appareils IoT limités en espace.

commutateurs GaN discrets: disponibles dans diverses configurations, y compris SPDT (double lancement à un pôle), SP4T (four lancement à un pôle) et MPMT (multi-poles multi-lancement),offrant une plus grande souplesse de conceptionLes commutateurs discrets GaN de Qorvo fonctionnent de DC à 6 GHz, fabriqués à l'aide d'une technologie pHEMT avancée, avec une vitesse de commutation rapide (< 50 ns), une faible consommation d'énergie (< 1 μA de courant de veille),et une excellente protection contre les DSE (> 1 kV HBM).

Commutateurs de diversité: dotés d'une perte d'insertion extrêmement faible et d'excellentes performances d'isolation, ces commutateurs améliorent considérablement la sensibilité de réception et le débit des systèmes sans fil.Les commutateurs de diversité GaN de Qorvo sont largement utilisés dans les petites cellules 5G, les routeurs Wi-Fi 6/7 et les systèmes de communication automobile, prenant en charge l'agrégation des opérateurs et la technologie MIMO.