Le blog de l'entreprise Recyclage sur produit SiC:Diodes de carbure de silicium,MOSFETs de carbure de silicium,JFETs de carbure de silicium

Recyclage sur produit SiC:Diodes de carbure de silicium,MOSFETs de carbure de silicium,JFETs de carbure de silicium

La société Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. a été créée en Chine en 2000.en tant que fournisseur de services de recyclage de composants électroniques de premier plan dans l'industrie, se concentre sur la fourniture de services professionnels de recyclage de produits de composants électroniques pour des clients mondiaux, y compris les IC IC,Puces 5G, nouveaux circuits intégrés énergétiques, puces IoT, puces Bluetooth, puces automobiles, puces IA, puces Ethernet, puces mémoire, capteurs et modules IGBT.

Processus de recyclage:
Si vous avez des composants électroniques en stock à éliminer, vous pouvez envoyer l'inventaire des circuits intégrés/modules à vendre par e-mail.Notre société enverra des professionnels chez vous pour effectuer des tests préliminaires et la classification de votre inventaire de composants électroniques, et selon le type de composants recyclés, la quantité, la qualité et d'autres facteurs pour donner le prix de recyclage correspondant.Nous pouvons négocier des méthodes de livraison spécifiques..

1Diode au carbure de silicium (diode SiC)
Modèle représentatif: série FFSHx065/120 (650V/1200V), FFSHx170 (1700V)
- Caractéristiques techniques:
- zéro charge de récupération inverse (Qrr≈0nC), perte de commutation 80% inférieure aux FRD en silicium.
- Tolérance à la température de jonction jusqu'à 175°C. Prend en charge les topologies à commutation dure à haute fréquence (> 100 kHz).
- Scénario d'application:
- Véhicule électrique OBC: correspondant à l'architecture LLC à pont complet, efficacité allant jusqu'à 97,5% (contre 95% pour le Si).
- Optimisateur photovoltaïque: suivi MPPT 3 fois plus rapide au système 1500V.

2. MOSFET au carbure de silicium (SiC MOSFET)
Les produits phares sont les suivants: NVH4L015N170M1 (1700V/15mΩ), NVH4L040N120M1 (1200V/40mΩ)
- Une percée innovante:
- Adoption d'une technologie à double tranchée, avec une résistance spécifique à l'allumage (Rsp) aussi basse que 2,5 mΩ-cm2 (moyenne industrielle 3,8 mΩ-cm2).
- Capteur de température intégré pour une surveillance de la température de jonction de précision de ±1°C, prolongeant la durée de vie de 30%.
- Les marchés stratégiques:
- Supercharger Pile: Prend en charge une charge rapide de 350 kW sur une plateforme 800V avec une densité de puissance de 50 kW/L.
- Utilisateur de centre de données: Titane certifié d'efficacité énergétique (96%+) avec PUE optimisé à 1.1.

3. JFET au carbure de silicium (SiC JFET)
Avantages uniques:
- Conception normalement fermée: Résoudre les problèmes de compatibilité des entraînements JFET traditionnels en cascade (Cascode) des JFET SiC avec des MOSFET à base de silicium.
- Résistance aux rayonnements: seuil de combustion des particules simples (LET) > 100 MeV-cm2/mg pour les systèmes d'alimentation par satellite.
Solution typique: série JWSx065 (650V/5A) pour les entraînements de moteurs industriels avec une tolérance dv/dt allant jusqu'à 100V/ns.