Recycler les MOSFET Nexperia:MOSFET automobile, MOSFET électrique, MOSFET de petit signal
La Commission a examiné les informations fournies par les autorités chinoises.est une entreprise de recyclage de composants électroniques de renommée mondiale.Avec notre solide situation financière et notre système de service complet, nous avons gagné la confiance et la coopération à long terme de nombreux clients et commerçants de fabrication.
Processus de recyclage:
1Classification de l'inventaire et présentation de la liste
Les clients doivent d'abord classer leur inventaire inactif, en précisant le modèle, la marque, la date de production, la quantité, le type d'emballage et l'état.Une liste détaillée de l'inventaire peut être envoyée à notre équipe d'évaluation par e-mail ou fax.
2- Évaluation professionnelle et cotation
Dès réception de la liste, nous effectuerons une évaluation préliminaire et vous fournirons un devis dans les 24 heures.
3Signature des contrats et arrangements logistiques
Une fois que les deux parties auront convenu du prix, un contrat de recyclage formel sera signé pour clarifier les détails de la transaction.
4Inspection des marchandises et paiement rapide
À l'arrivée dans notre entrepôt, les marchandises seront soumises à une inspection finale de la qualité. Après avoir passé l'inspection, nous garantissons le paiement dans les trois jours ouvrables pour assurer une récupération rapide du capital.Les méthodes de paiement flexibles incluent le virement bancaire, en espèces ou d'autres modalités adaptées aux besoins du client.
I. MOSFETs pour l'automobile
Positionnement du noyau
Conçue spécialement pour les environnements exigeants de l'électronique automobile, la gamme complète est certifiée AEC-Q101, répondant aux exigences pour une large plage de températures de -55°C à +175°C,vibrations élevéesIl couvre tous les scénarios, y compris le contrôle de la carrosserie, les systèmes de propulsion, les systèmes de recharge, d'éclairage et de sécurité embarqués.
Série de produits de base
La série MLPAK (MLPAK33-WF/MLPAK56-WF)
Package: Micro-pins, tampons du côté humide (-WF), prend en charge l'AOI (inspection optique automatisée), haute fiabilité des joints de soudure.
Spécifications: 40V 100V, N/P-canal, RDS ((on) aussi bas que 1,3mΩ.
Applications: contrôle du corps, infotainment, éclairage à LED, protection contre les piles.
La série LFPAK (LFPAK33/56/88)
Technologie: emballage en copper-clip, faible inductance, dissipation thermique élevée, capacité de courant élevée.
Spécifications: 20 V ‰ 100 V, courant maximal 425 A, RDS (allumé) aussi bas que 0,7 mΩ.
Applications: systèmes hybrides légers de 48 V, chargeurs embarqués (OBC), onduleurs de traction, BMS.
La série CCPAK1212
Emballage: 12×12 mm, refroidissement haut/bas, adapté aux modules de puissance à haute densité.
Spécifications: 80V/100V, RDS ((on) aussi bas que 0,99mΩ, courant maximal 460A.
Applications: systèmes de propulsion automobile de 48 V, convertisseurs CC-CC, modules industriels à courant élevé.
SiC MOSFET (de qualité automobile)
Spécifications: 1200V, RDS (allumé) 30/40/60mΩ, emballage D2PAK-7.
Applications: véhicule électrique OBC, onduleurs de traction, haute tension CC-CC.
Principaux avantages
Completement certifié AEC-Q101, fonctionnement continu à 175 °C, durée de vie supérieure à 10 ans.
Faible RDS ((on), faibles pertes de conduction, efficacité énergétique élevée.
Options d'emballage variées: MLPAK/LFPAK/CCPAK/SiC, adaptées à différentes puissances.
Haute fiabilité: technologie de pinceau en cuivre, coussinets pour le côté humide, haute capacité de résistance aux avalanches.
II. MOSFETs de puissance
Positionnement du noyau
Conçu pour des applications à tension moyenne à élevée, à courant élevé et à haut rendement dans les secteurs industriel, de l'alimentation électrique, de l'entraînement des moteurs, des serveurs et des énergies renouvelables, couvrant des tensions de 12 V à 200 V.Une gamme complète de dispositifs de canal N et de canal P, équilibrant une faible résistance avec des vitesses de commutation rapides.
Série de produits de base
Série NextPowerS3
Technologie: procédé de Trench avancé, RDS ultra-faible, vitesse de commutation élevée.
Spécifications: 25V/30V, RDS ((on) aussi bas que 0,72mΩ, courant maximum 300A.
Les emballages sont: LFPAK56, SOT1023A.
Applications: sources d'alimentation pour serveurs, convertisseurs industriels CC-CC, gestion des batteries, moteurs.
Série de tranchées 9
Technologie: superjonction basse tension + emballage avancé.
Spécifications: 40V 100V, RDS (allumé) aussi bas que 1,18mΩ.
Les paquets: LFPAK, MLPAK, CCPAK.
Applications: sources d'alimentation industrielles, onduleurs photovoltaïques, véhicules à énergie nouvelle, équipements de télécommunications.
ASFET (MOSFET spécifique à une application)
Spécifications: 12V 100V, SOA amélioré (zone de fonctionnement sécurisé), basse tension de pointe, haute tension de panne.
Les paquets sont: LFPAK, CCPAK.
Applications: échange à chaud, protection de la batterie, commutation de charge, alimentation à haute fiabilité.
Principaux avantages
Faible RDS ((on): aussi bas que 0,7 mΩ, réduisant les pertes de conduction et améliorant l'efficacité.
Densité de puissance élevée: emballage en clip de cuivre / CCPAK, offrant une dissipation thermique supérieure et une taille compacte.
Une large plage de tension: 12V ∼ 200V, avec des options de canal N et de canal P disponibles.
Vitesse de commutation élevée: faible Qg et faible récupération inverse, adaptée aux applications à haute fréquence.
III. Les MOSFET à petit signal
Positionnement du noyau
S'adressant à des applications de dispositifs portables compacts à faible consommation, couvrant 20V100V et des courants ≤6A. En mettant l'accent sur les paquets ultra-petits, le faible RDS ((on), une protection ESD élevée et la certification automobile,ils conviennent aux appareils électroniques grand public, IoT, appareils portables et électronique automobile.
Série de produits de base
La série DFN (DFN0603/1006/1110/2020)
Emballage: ultra-compact, DFN0603 (0,63 × 0,33 × 0,25 mm).
Spécifications: 20V 80V, RDS (allumé) aussi bas que 15 mΩ, courant maximal 6A.
Caractéristiques: > 2 kV de protection contre les ESD, résistance thermique < 10 K/W.
Applications: appareils portables, téléphones portables, tablettes, cigarettes électroniques, appareils auditifs, commutateurs à batterie.
La série SOT (SOT23/323/363/457)
Emballage: SMD standard, de taille compacte, facile à souder.
Spécifications: 20V 100V, RDS (allumé) aussi bas que 15mΩ.
Applications: électronique automobile (contrôle des sièges, fenêtres, éclairage LED), électronique grand public, commutation de signal.
MOSFET pour les petits signaux de catégorie automobile (portfolio Q)
Certification: AEC-Q101, de -55°C à +175°C.
Le paquet est DFN1110D-3, DFN1412-6, SOT23.
Applications: contrôle de la carrosserie automobile, infotainment, systèmes de sécurité, éclairage LED.
Principaux avantages
Emballage ultra-compact: DFN0603/1006, permettant d'économiser de l'espace sur le PCB.
Faible RDS ((on): aussi bas que 15 mΩ, réduisant les pertes de puissance et allongeant la durée de vie de la batterie.
Protection contre les décharges électrostatiques: > 2 kV, forte résistance aux décharges électrostatiques.
Certification automobile: certifié AEC-Q101 pour toute la gamme, adapté à l'électronique automobile.
IV. Résumé
Les trois grandes séries de MOSFET de Nexperia couvrent tous les scénarios d'application, allant des microwatts aux kilowatts et allant de l'électronique grand public à l'industrie automobile:
MOSFETs automobiles: de qualité automobile, de haute fiabilité, de courant élevé, adaptés aux véhicules à énergie nouvelle et à l'électronique automobile traditionnelle.
MOSFETs de puissance: faible perte, haute densité de puissance, adaptés aux sources d'alimentation industrielles, aux moteurs et aux applications de nouvelles énergies.
Les MOSFET pour petits signaux: ultra-compacts, à faible consommation d'énergie, avec une protection ESD élevée, adaptés aux appareils portables et aux applications automobiles de petits signaux.
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