Le blog de l'entreprise Le module d'alimentation SiCPAKTM SiC de Navitas est utilisé pour le recyclage:

Le module d'alimentation SiCPAKTM SiC de Navitas est utilisé pour le recyclage:

La société Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. a été créée en Chine par le gouvernement chinois.un acteur de premier plan dans l'industrie du recyclage des composants électroniques, fournit des solutions complètes de recyclage grâce à des services professionnels, des prix compétitifs et une approche fondée sur des principes.

Les avantages du recyclage:

I. Avantage de prix: taux de rachat de primes, maximisation de la valeur

Les prix les plus élevés: en utilisant les données du marché mondial en temps réel, nous offrons des prix compétitifs de 5 à 15% au-dessus de la moyenne du marché, avec des évaluations premium pour les modèles arrêtés et rares.

Valuation précise: basée sur la demande des utilisateurs finaux et les bases de données du marché, assurant des cotations équitables et raisonnables qui maximisent la valeur des stocks.

2- Avantage d'expertise: équipe expérimentée, évaluation précise

Équipe technique: Une équipe chevronnée avec plus de 20 ans d'expérience dans l'industrie, compétente dans l'identification de tous les modèles de circuits intégrés, l'emballage, les lots et la classification de la qualité.

Couverture complète: portée étendue du recyclage couvrant presque toutes les catégories de circuits intégrés traditionnels, y compris les MCU, la mémoire, les FPGA, les circuits intégrés analogiques, les circuits intégrés RF et les puces automobiles/industrielles/IA.

III. Avantage d'efficacité: réponse rapide, règlement rapide

Réponse rapide: évaluation initiale et devis terminés dans un délai de 1 à 4 heures; inspection sur place et transaction finalisée dans un délai de 24 heures.

Paiement accéléré: paiement en espèces ou par virement bancaire effectué dans les 48 heures suivant la confirmation de l'inspection, ce qui permet un recouvrement rapide du capital.

Processus simplifié: Flux de travail efficace de bout en bout, de la soumission de listes, de l'évaluation, de l'inspection au paiement, réduisant au minimum le temps et les coûts de main-d'œuvre du client.

IV. Avantage de flexibilité: modèles variés, solutions sur mesure

Mode de transaction: Prend en charge les achats en espèces, la collecte sur place, l'expédition, les ventes par agence, la liquidation et plus encore, répondant aux besoins de collaboration en vrac / dispersés / à long terme.

Quantités minimales flexibles: accepte les petits lots, couvrant des scénarios tels que l'excédent de R&D, les restes de production et les stocks à évolution lente.

Règlement diversifié: Prend en charge les transactions multi-monnaies, accueillant des clients mondiaux.

V. Avantage du réseau: portée mondiale, service pratique

Services transfrontaliers: offre une logistique mondiale de porte à porte, une inspection sur place et une logistique mondiale DHL/UPS avec collecte de transport, permettant une réponse rapide localisée.

VI. Sécurité et conformité: transactions légitimes, droits protégés

Conformité des canaux: achète exclusivement auprès d'agents autorisés, de fabricants finaux et de distributeurs agréés, rejetant les composants contrefaits/non identifiés.

Confidentialité de l'information: protège strictement l'inventaire des clients et les données commerciales, assurant ainsi la sécurité.

Processus normalisés: les contrats formels assurent des transactions transparentes et légales protégeant les intérêts des deux parties.

I. Technologie de base des modules de puissance en carbure de silicium SiCPAKTM

Les modules d'alimentation en carbure de silicium (SiC) de la série Navitas SiCPAKTM tirent parti de la technologie exclusive GeneSiCTM TAP (Trench-Assisted Planar) et des procédés d'encapsulation époxy innovants.Cela surmonte les limites de fiabilité inhérentes aux modules SiC encapsulés en silicone conventionnels, offrant une efficacité énergétique exceptionnelle, une stabilité à haute température et une adaptabilité aux environnements difficiles..Par rapport aux modules SiC conventionnels et aux modules IGBT traditionnels, cette série réalise des percées triples en termes de pertes de conduction, de pertes de commutation et de durée de vie opérationnelle.Il est largement applicable à travers la haute tension, des scénarios de haute puissance dans les nouveaux secteurs de l'énergie, de l'industrie et des transports.couvrir les demandes d'applications allant de la puissance moyenne à la puissance élevée grâce à des spécifications différenciées.

1La technologie de base de l'emballage: les avantages perturbateurs de l'encapsulation en résine époxy

La série SiCPAKTM abandonne la solution de pottage en silicone traditionnelle de l'industrie,l'adoption d'une technologie exclusive de mise en pot en résine époxy pour résoudre fondamentalement les problèmes de fiabilité des modules traditionnelsSes principaux avantages sont évidents:

- fiabilité du cycle thermique considérablement améliorée: fiabilité du choc thermique améliorée de plus de 10 fois, durée de vie du cycle de puissance prolongée de plus de 60%,supprimer efficacement les problèmes de fissuration causés par l'expansion thermique et la contraction des substrats DBC, assurant un fonctionnement stable à long terme du module;

- Gestion thermique optimisée: la conductivité thermique de la résine époxy est 10 fois supérieure à celle du silicone avec une stabilité thermique supérieure,permettant une dissipation thermique efficace du module pour un fonctionnement continu à haute température;

- Protection maximale de l'environnement: empêche complètement l'entrée de l'humidité et des contaminants avec une résistance exceptionnelle à l'humidité et une protection contre la corrosion,répondre aux conditions industrielles et extérieures exigeantes;

- Isolation électrique exceptionnelle: les composants de niveau module et de niveau puce sont tous deux certifiés THB (HV-H3TRB),fournissant une isolation supérieure, résistant aux performances de tension pour haute tension, les topologies à haute puissance.

2Technologie des puces de base: une percée en matière d'efficacité énergétique grâce à l'architecture TAP

Dotée de puces MOSFET à carbure de silicium TAP de quatrième génération GeneSiCTM, cette conception utilise une gestion de champ électrique en plusieurs étapes pour optimiser la contrainte de tension et les performances de blocage.Comparé aux copeaux SiC classiques de type tranchée et plane, il parvient à un équilibre entre performance et fiabilité:

- Réduction des pertes de conduction à températures élevées: la résistance de conduction diminue de 20% dans des conditions de température élevée,qui atténuent efficacement la dégradation des performances et permettent un fonctionnement soutenu à une température de jonction de 175 °C;

- Des pertes de commutation considérablement optimisées: réduction de 15% des pertes de commutation, vitesses de commutation plus rapides, formes d'onde plus propres et prise en charge de fréquences de fonctionnement plus élevées,amélioration de la densité de puissance globale;

- Améliorations complètes de la robustesse: capacité exceptionnelle à résister à un court-circuit, performances supérieures en cas d'avalanche (UIS), tension de seuil de porte stable et excellent partage du courant,adapté à des conditions exigeantes de haute tension et d'une tension de DVD/dt élevée.

II. Modules de puissance en carbure de silicium de la série SiCPAKTM F: solution compacte et efficace

La série SiCPAKTM F s'adresse aux applications compactes de moyenne à basse puissance.répondre à des scénarios exigeant des exigences strictes en matière de volume et d'efficacitéFonctionnant principalement à 1200 V, il couvre les topologies de demi-pont et de plein pont courantes, ce qui en fait un choix idéal pour les équipements électroniques de puissance moyenne à faible.

1. Spécifications de base

Dimensions de l'emballage: 33,8 mm × 65 mm, conception compacte avec un petit facteur de forme

Voltage nominal: 1200 V

On-resistance (RDS ((ON)): Plusieurs spécifications sont disponibles, notamment 9,3mΩ, 17,0mΩ et 18,5mΩ

Topologies: demi-pont, plein pont

Température de fonctionnement de la jonction: -40°C à 175°C, fonctionnement stable sur une large plage de températures

Configuration facultative: Prend en charge le matériau d'interface thermique (TIM) pré-appliqué, indiqué par le suffixe ??-T??

2Caractéristiques du produit et principaux avantages

- Taille compacte avec forte densité de puissance: les emballages compacts permettent d'économiser considérablement de l'espace sur les PCB, car ils permettent de concevoir des appareils avec un espace restreint pour faciliter la miniaturisation globale et la réduction du poids;

- Résultats stables sur une large plage de températures: couverture de température de jonction de -40°C à 175°C avec une dégradation minimale des performances dans des conditions extrêmes,offrant une excellente cohérence dans les paramètres de résistance et de commutation;

- Faible perte, haut rendement: l'exploitation de la technologie des puces TAP permet une commutation rapide et des pertes minimales, ce qui augmente l'efficacité du système de 2 à 3% tout en réduisant les demandes de gestion thermique;

- Facilité d'intégration et de déploiement: le pin-out compatible avec l'industrie permet de remplacer les modules conventionnels de manière complète, réduisant les coûts de R & D et de retrofit tout en accélérant le délai de mise sur le marché.

3. Scénarios d'applications ciblés

La série F, avec sa conception compacte et son haut rendement, s'adresse aux applications de haute tension de moyenne à basse puissance.les onduleurs solaires de petite à moyenne taille, les systèmes de conversion de puissance (PCS), les moteurs industriels de moyenne à basse puissance, les alimentations sans interruption (UPS), les équipements de chauffage par induction et de soudage,et équipements de production distribuée par réseau intelligent.

III. Les modules de puissance en carbure de silicium de la série SiCPAKTM G: la référence pour les applications à haute puissance et à haute fiabilité

Positionné pour des applications de haute puissance et de haute fiabilité, la série SiCPAKTM G utilise une conception d'emballage de grande taille pour améliorer la capacité de transport de courant et les performances thermiques.Prise en charge de sorties de puissance plus élevéesIl est également centré sur la tension nominale de 1200V, il couvre des topologies complexes, y compris les demi-pontes, les pleines-pontes, leset configurations NPC de type T à trois niveaux, servant de composant central dans les systèmes électroniques de haute puissance.

1. Spécifications de base

Dimensions de l'emballage: 56,7 mm × 65 mm, conception à grande échelle et haute puissance

Voltage nominal: 1200 V

Résistance activée (RDS ((ON)): Variantes à faible résistance, y compris 4,6mΩ et 9,3mΩ

Topologies: T-NPC à demi-pont, à plein pont et à trois niveaux (3L-T-NPC)

Température de fonctionnement de la jonction: -40°C à 175°C, adaptée aux applications à haute puissance et à haute température

Renforcement structurel: Fonctionne avec des bornes à haute tension, doublant la capacité de charge du terminal unique, compatible avec les bornes à courant continu à haute tension et les topologies multiparallèles

2Caractéristiques du produit et principaux avantages

- Gestion de la puissance élevée: le grand package + la puce à faible résistance prend en charge des courants continus et de pointe plus élevés, adaptés aux systèmes de haute puissance de la classe 10 kW à MW;

- Gestion thermique et fiabilité supérieures: intègre le substrat AlN DBC (Copper directement lié au nitrure d'aluminium) pour une dissipation de chaleur améliorée.L'encapsulation époxy combinée à la conception de broches renforcées offre une résistance exceptionnelle aux vibrations et aux chocs, répondant aux exigences d'exploitation à long terme pour les usages industriels lourds et en extérieur.

- Adaptabilité à une topologie plus large: Prend en charge des topologies complexes, y compris des NPC de type T à trois niveaux, répondant à des applications haut de gamme telles que des onduleurs photovoltaïques de grande puissance, des centrales de stockage d'énergie,moteurs à haute tension;

- Optimisation des coûts au niveau du système: les caractéristiques de faible perte permettent une réduction de 50% de la taille des composants magnétiques,réduire les coûts globaux des matériaux tout en allongeant la durée de vie des équipements et en réduisant les frais de maintenance opérationnelle.

3. Scénarios d'application visés

Tirant parti de ses attributs de haute puissance et de haute fiabilité, la série G cible principalement les applications à haute tension et à haute puissance.

- Stations de recharge rapide en courant continu de grande puissance pour véhicules électriques

- Inverteurs photovoltaïques à grande échelle

- Convertisseurs de stations de stockage d'énergie

- moteurs industriels à grande puissance

- Systèmes de traction du transport ferroviaire

- Équipement industriel de soudage/chauffage par induction à haute puissance

- Équipement de sous-stations haute tension de réseaux intelligents