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Le blog de l'entreprise Qorvo AWMF-0165 24,25 GHz à 27,5 GHz Formeur de faisceau à double polarisation au silicium

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Qorvo AWMF-0165 24,25 GHz à 27,5 GHz Formeur de faisceau à double polarisation au silicium
Dernières nouvelles de l'entreprise Qorvo AWMF-0165 24,25 GHz à 27,5 GHz Formeur de faisceau à double polarisation au silicium

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. fournit et recycle le Qorvo est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques. un formeur de faisceau à polarisation double à base de silicium de 24,25 GHz à 27,5 GHz.

 

I. est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques. Aperçu du produit

AWMF-0165 est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques. est la puce de formeur de faisceau à polarisation double quad-core à base de silicium CMOS de troisième génération de Qorvo, spécialement conçue pour les systèmes à réseau phasé de bande millimétrique 5G n258 (24,25 GHz-27,5 GHz). Il s'agit d'un circuit intégré de formation de faisceau RF hautement intégré, haute performance et sans calibration. Cet appareil surmonte les limitations des architectures de dispositifs millimétriques traditionnelles en intégrant un contrôle de phase et de gain complet, ainsi que des fonctions de commutation d'émission/réception. Il ne nécessite aucun circuit d'adaptation supplémentaire ni module de calibration et peut être directement intégré à des réseaux d'antennes à polarisation double, simplifiant ainsi considérablement le processus de conception des systèmes d'antennes actives millimétriques 5G tout en réduisant la taille, la consommation d'énergie et les coûts de production de masse des équipements. Il est largement applicable aux scénarios tels que les stations de base millimétriques 5G, les réseaux de terminaux et les communications point à point.

En tant que solution de formation de faisceau à base de silicium commercialisée, le est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques. se distingue des dispositifs composés tels que le GaAs et le GaN. Tirant parti des avantages de haute intégration, de haute cohérence et de faible coût des processus CMOS, il conserve les caractéristiques de performance de base des puces de troisième génération - puissance linéaire élevée et faible bruit - tout en étant compatible avec les broches numériques et les protocoles de contrôle sur toute la gamme des bandes de fréquences millimétriques 5G, offrant une polyvalence et une évolutivité exceptionnelles de la plateforme.

 

II. Caractéristiques principales et avantages techniques du est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques.

1. Adaptation précise de la bande, conforme aux normes 5G

AWMF-0165 est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques. s'étend de 24,25 GHz à 27,5 GHz, correspondant parfaitement à la bande millimétrique 5G n258 commerciale dominante définie par la 3GPP. Avec une couverture de bande passante complète, il répond aux exigences de transmission millimétrique 5G à large bande passante et à haute vitesse et est compatible avec les spécifications de déploiement de réseau millimétrique 5G nationales et mondiales dominantes. sans perte d'adaptation de bande de fréquence et utilisation extrêmement élevée du spectre.

 

2. Architecture quad-canal à polarisation double avec une forte évolutivité de réseau

AWMF-0165 est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques. emploie une architecture 4x2 à polarisation double, comportant huit ports d'antenne et deux ports de polarisation partagés. Il peut s'interfacer simultanément avec quatre ensembles d'unités d'antennes à polarisation double, prenant en charge le traitement parallèle des signaux polarisés horizontalement et verticalement. Cela résout complètement le problème de la capacité de multiplexage de polarisation insuffisante associée à la formation de faisceau à polarisation unique. La puce intègre une unité de traitement de signal quad-core, prenant en charge le contrôle de faisceau indépendant pour les quatre éléments rayonnants. En chaînant plusieurs puces, des systèmes d'antennes à réseau phasé à grande échelle peuvent être construits pour s'adapter de manière flexible aux exigences des équipements de communication avec des niveaux de gain et des plages de couverture variables.

 

3. Transmission et réception intégrées en semi-duplex, architecture système minimaliste

AWMF-0165 est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques. prend en charge un mode de fonctionnement de commutation de transmission/réception (Tx/Rx) en semi-duplex, permettant à une seule puce de gérer les fonctions de formation de faisceau de transmission et de réception de signaux, éliminant ainsi le besoin de puces de formation de faisceau dédiées séparées pour la transmission et la réception. Un seul réseau d'antennes peut effectuer la transmission et la réception de signaux sur une base de division temporelle, simplifiant considérablement la chaîne RF front-end, réduisant le nombre de composants et abaissant la consommation d'énergie et les exigences d'espace de l'appareil, ce qui le rend idéal pour les conceptions compactes d'antennes actives millimétriques.

 

4. Conception sans calibration, haute stabilité de production de masse

AWMF-0165 est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques. intègre la technologie propriétaire Zero-Cal® sans calibration de Qorvo. Il est calibré en usine pour une phase et un gain précis, éliminant le besoin de débogage utilisateur secondaire ou de circuits de calibration externes, résolvant ainsi complètement les points faibles associés aux puces de formation de faisceau millimétriques traditionnelles - à savoir, la calibration par lots fastidieuse et la faible cohérence. Les déviations de phase et de gain entre les canaux de la puce sont extrêmement faibles, garantissant une grande précision de pointage du faisceau et une excellente cohérence de production de masse, ce qui améliore considérablement l'efficacité de la production d'équipements et la stabilité du réseau.

 

5. Mise à niveau des performances de la puce de troisième génération avec des spécifications RF exceptionnelles

Comparé aux produits de deuxième génération de la même série, le est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques. présente des mises à niveau complètes des performances RF de base, offrant une puissance de sortie linéaire plus élevée et un chiffre de bruit de réception plus faible, améliorant efficacement la portée de transmission des signaux millimétriques et la résistance aux interférences. De plus, la configuration des broches et le protocole de contrôle numérique de la puce sont compatibles avec toute la gamme des dispositifs de formation de faisceau millimétriques de troisième génération de Qorvo, garantissant une forte réutilisabilité de la plateforme et permettant une itération et une mise à niveau rapides des solutions de produits.

 

 

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III. Spécifications techniques clés du est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques.

- Bande de fréquences de fonctionnement : 24,25 GHz – 27,5 GHz (bande standard n258 3GPP)

- Configuration de l'architecture : Quad-core avec quatre éléments rayonnants, polarisation double (horizontale + verticale), architecture 4x2 canaux

- Mode de fonctionnement : Commutation par division temporelle Tx/Rx en semi-duplex ; compatibilité antenne unique pour la transmission et la réception

- Fonctions principales : Prend en charge le contrôle de phase de haute précision, la compensation de gain dynamique et le balayage de faisceau rapide

- Technologie de calibration : Mécanisme intégré sans calibration Zero-Cal® ; aucune calibration externe requise

- Processus de fabrication : Processus CMOS à base de silicium commercial ; haute intégration, faible coût et haute cohérence

- Compatibilité : Plateforme de puce millimétrique de troisième génération ; entièrement compatible avec les appareils de la même série en termes de brochage et de contrôle numérique

 

IV. Caractéristiques clés de la conception architecturale du est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques.Le AWMF-0165 emploie une architecture monocanal hautement intégrée, intégrant tous les composants requis pour la formation de faisceau - y compris les déphaseurs, les amplificateurs de gain, les commutateurs d'émission/réception, la logique de contrôle et les modules de calibration - au sein d'une seule puce, éliminant le besoin de circuits auxiliaires périphériques. Huit ports d'antenne indépendants correspondent précisément à la disposition du réseau d'antennes à polarisation double, tandis que deux ports de polarisation communs permettent le traitement synchrone des signaux à polarisation double, garantissant une isolation de canal élevée et une interférence de polarisation minimale.

De plus, la puce

 

AWMF-0165 est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques.V. Principaux scénarios d'application du

 

AWMF-0165 est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques.

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AWMF-0165 est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques.2. Terminaux millimétriques et terminaux industriels

 

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AWMF-0165 est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques.3. Systèmes de communication millimétrique point à point

 

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AWMF-0165 est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques.VI. Résumé du

 

AWMF-0165 est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques.

AWMF-0165 est une puce de formation de faisceau à polarisation double à base de silicium optimisée pour la bande millimétrique 5G n258. Tirant parti des processus CMOS à haute intégration, d'une architecture quad-canal à polarisation double, d'une conception sans calibration et de performances RF supérieures, il résout efficacement les problèmes associés aux dispositifs de formation de faisceau millimétriques traditionnels, tels que la faible intégration, le débogage complexe, les coûts élevés et la faible cohérence. Ses avantages clés - fonctionnalité émetteur-récepteur intégrée, balayage de faisceau rapide et haute compatibilité - en font un composant clé des systèmes de communication à réseau phasé millimétrique 5G. Équilibrant viabilité commerciale et avantages de performance, il offre un support étendu pour la recherche, le développement et la production de masse de divers dispositifs de communication sans fil millimétriques.

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