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Acquisition de puces LM53602AQPWPRQ1 Acquisition de puces LM53602-Q1 Régulateurs à découpage DC DC Description du produit de LM53602AQPWPRQ1 LM53602AQPWPRQ1 est un circuit intégré de régulateur à découpage abaisseur, positif réglable, 3,3 V, 1 sortie, 2 A, 16-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largeur) plot ... Lire la suite
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Module 5G SIM8262A-M2 Le module M.2 sous-6G 5G prend en charge la 5G NR Description du produitSIM8262A-M2 est un nouveau module multibande 5G NR/LTE-FDD/LTE-TDD/HSPA+ qui prend en charge R16 5G NSA/SA.Le module SIM8262A-M2 a une forte capacité d'extension avec de nombreuses interfaces, notamment ... Lire la suite
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Puce IC EP3C25F324C8N EP3C25 Réseau prédiffusé programmable sur le terrain FBGA324 Description du produit de EP3C25F324C8N EP3C25F324C8N Prend en charge les normes d'E/S telles que LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL, PCI, PCI-X, LVPECL, bus LVDS (BLVDS), LVDS, mini-LVDS, RSDS et PPDS.EP3C25F324C8N Prend en ... Lire la suite
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Module d'acquisition 5G SIM8262E-M2 Module de communication multibande 5G Description du produitLe SIM8262E-M2 est le module multibande 5G NR/LTE-FDD/LTE-TDD/HSPA+ qui prend en charge R16 5G NSA/SA. Le SIM8262E-M2 adopte le facteur de forme M2. Avantages du produitInterface M.2 standardCommunication ... Lire la suite
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TPS79333DBVRQ1 Régulateurs linéaires à très faible bruit, PSRR élevé, RF rapide 200 mA à faible chute de tension La description Le TPS79333DBVRQ1 est un régulateur de tension linéaire à faible chute de tension (LDO) qui présente un rapport de rejet d'alimentation (PSRR) élevé, un bruit ultra-faible, ... Lire la suite
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AcquisitionPuce IC MKV10Z128VLH7 MKV10Z128 75MHz Microcontrôleur IC Types d'acquisitions Nous achetons les divers composants électroniques et le surplus de CI, y compris (mais sans s'y limiter) : les CI 5G, les nouveaux CI énergétiques, les CI Internet des objets, les CI Bluetooth, les CI Internet ... Lire la suite
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Réseau prédiffusé programmable de champ LCMXO2-4000HC-4BG256C LCMXO2-4000 FPGA IC LFBGA256 Description de produit LCMXO2-4000HC-4BG256C est conçu sur un processus non-volatile de puissance faible de 65 nanomètre. L'architecture de dispositif a plusieurs caractéristiques telles que la basse ... Lire la suite
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