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Le blog de l'entreprise Transistors MOSFET de puissance N-Channel ST STW48NM60N 600V, 44A MDmesh II

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Transistors MOSFET de puissance N-Channel ST STW48NM60N 600V, 44A MDmesh II
Dernières nouvelles de l'entreprise Transistors MOSFET de puissance N-Channel ST STW48NM60N 600V, 44A MDmesh II

ST d'origineSTW48NM60N Transistors MOSFET de puissance à canal N MDmesh II 600V, 44A

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — Fournisseur à long terme de ST (STW48NM60N) Transistors MOSFET de puissance à canal N MDmesh™ II 600V. Vous trouverez ci-dessous les détails du produit pour le STW48NM60N :
 
En tant que fournisseur renommé de composants électroniques, Mingjiada Electronics fournit à ses clients le STW48NM60N transistor MOSFET de puissance haute performance fabriqué par STMicroelectronics. Ce MOSFET à canal N utilise la technologie avancée MDmesh™ II, offrant des performances de commutation exceptionnelles et de faibles pertes de conduction. Il joue un rôle essentiel dans la gestion de l'alimentation, l'automatisation industrielle et les applications d'énergie renouvelable.
 
Aperçu du produit
Le STW48NM60N est un MOSFET de puissance à canal N haute performance de STMicroelectronics, fabriqué à l'aide de la technologie avancée MDmesh™ II. Ce MOSFET est logé dans un boîtier TO-247-3, adapté au montage traversant.
Le STW48NM60N, fourni par Mingjiada Electronics, est spécialement conçu pour les applications haute tension et fort courant. Il offre des caractéristiques de commutation exceptionnelles et une faible résistance à l'état passant, ce qui réduit considérablement les pertes de puissance et améliore l'efficacité du système.
 
Spécifications
Pour fournir une compréhension complète des caractéristiques techniques du STW48NM60N, le tableau suivant présente ses principales spécifications :
Caractéristiques de tension :
Tension drain-source (Vdss) : 600 V
Tension grille-source (Vgs) : ±25 V maximum
Tension de seuil (Vgs(th)) : 2–4 V à 250 µA
Caractéristiques de courant : Courant de drain continu (Id) : 44 A à 25 °C (Tc)
Courant de drain pulsé : 48 A
Caractéristiques de résistance :
Résistance à l'état passant (Rds(on)) : 70 mΩ à 20 A, 10 V
Résistance à l'état passant typique : 55 mΩ à 10 V
Caractéristiques de capacité : Charge de grille (Qg) : 124 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) : 4285 pF à 50 V
Caractéristiques de puissance :
Dissipation de puissance maximale : 255 W
Dissipation de puissance maximale : 330 W (Tc)
Autres caractéristiques
Température de jonction de fonctionnement : -55 °C à +150 °C
Type de boîtier : TO-247-3 Montage traversant
 
STW48NM60N Caractéristiques du produit
Performances de commutation supérieures : Le STW48NM60N présente des vitesses de commutation rapides avec un temps de montée de seulement 18 ns et un temps de descente de 25,5 ns. Cela le rend très adapté aux applications de commutation haute fréquence, réduisant considérablement les pertes de commutation et améliorant l'efficacité du système.
Faible résistance à l'état passant : Le STW48NM60N présente une résistance à l'état passant typique de seulement 0,055 Ω[@citation:6], avec une valeur maximale de 0,07 Ω[@citation:1]. Cette faible résistance à l'état passant garantit une dissipation de puissance minimale pendant la transmission à courant élevé, réduisant ainsi les exigences de gestion thermique.
Conception à haute fiabilité : Le STW48NM60N subit des tests d'avalanche à 100 %, garantissant des performances et une fiabilité élevées et durables dans des environnements de fonctionnement difficiles. Sa large plage de températures de fonctionnement (-55 °C à +150 °C) permet une adaptation à diverses conditions exigeantes.
Faible charge de grille : Le STW48NM60N présente une charge de grille (Qg) de seulement 124 nC (@ 10 V), ce qui indique de faibles pertes d'entraînement. Cela permet un fonctionnement efficace à l'aide de pilotes plus petits et plus rentables, réduisant ainsi les coûts du système.
 
Domaines d'application
Le STW48NM60N trouve une application étendue dans de multiples secteurs en raison de ses caractéristiques de haute performance :
Alimentations à découpage (SMPS) : Le STW48NM60N convient aux alimentations à découpage haute tension (SMPS), y compris les alimentations industrielles, les alimentations de télécommunications et les systèmes d'alimentation sans interruption (UPS). Sa faible résistance à l'état passant réduit considérablement la génération de chaleur et la dissipation de puissance pendant la conversion de puissance, améliorant ainsi l'efficacité de l'alimentation.
Systèmes d'onduleur : Le STW48NM60N est exceptionnellement bien adapté aux applications d'onduleur, y compris les onduleurs solaires, les onduleurs de charge de véhicules électriques et les onduleurs d'énergie éolienne. Sa tension nominale élevée (600 V) et sa capacité de transport de courant substantielle (44 A) lui permettent de résister à des charges de courant de forte puissance.
Systèmes de gestion de l'alimentation : Le STW48NM60N est fréquemment utilisé dans les systèmes de gestion de l'alimentation, offrant une efficacité plus élevée et une consommation d'énergie plus faible grâce à un transfert de courant efficace et une faible résistance à l'état passant.
Véhicules électriques et hybrides : Dans les véhicules électriques et hybrides, le STW48NM60N convient aux systèmes de gestion de batterie et au contrôle de commande de moteur. Sa tension nominale élevée et sa capacité de gestion de courant élevée le rendent exceptionnellement bien adapté à ces applications.
Systèmes d'alimentation industriels : Le STW48NM60N peut être utilisé dans diverses applications d'alimentation industrielles, y compris les systèmes d'automatisation industrielle, les entraînements de moteurs et les systèmes de conversion de puissance.
 
STW48NM60N est un MOSFET de puissance à canal N haute performance utilisant la technologie MDmesh™ II, offrant des avantages tels qu'une tension nominale élevée, une faible résistance à l'état passant, une vitesse de commutation rapide et une faible charge de grille. Que ce soit dans les alimentations à découpage, les systèmes d'onduleur, les systèmes de gestion de l'alimentation ou les applications de véhicules électriques, le STW48NM60N offre des performances fiables et des capacités de gestion de l'alimentation efficaces.
 
Informations sur l'approvisionnement
Mingjiada Electronics propose le STW48NM60N transistor MOSFET de puissance de STMicroelectronics en stock. Des puces authentiques sont disponibles dans notre inventaire actuel pour répondre aux exigences immédiates des clients. Plusieurs canaux de commande sont fournis : les clients peuvent demander des devis via notre site Web ou nous contacter par téléphone ou par e-mail.
URL de l'entreprise : https://www.integrated-ic.com/
Temps de bar : 2025-09-18 14:53:31 >> Liste de nouvelles
Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Mr. Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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