Le blog de l'entreprise On UJ3C120080K3S Transistor MOSFET à puissances de carbure de silicium à canal N de 1200V

ON UJ3C120080K3S Transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium à canal N 1200V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., en tant que distributeur indépendant de composants électroniques de renommée mondiale, offre une disponibilité immédiate du UJ3C120080K3S transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium à canal N 1200V de ON Semiconductor. Doté d'une configuration source commune-grille commune unique et de performances de commutation exceptionnelles, il constitue une solution idéale pour les systèmes de conversion de puissance modernes.

【Principales caractéristiques et innovations techniques du UJ3C120080K3S】

Le UJ3C120080K3S est un MOSFET haute performance utilisant la technologie avancée du carbure de silicium, offrant plusieurs caractéristiques techniques notables. Logé dans un boîtier TO-247-3, ce dispositif démontre des performances exceptionnelles dans les applications haute tension et haute puissance.

L'avantage le plus important du UJ3C120080K3S réside dans sa capacité de tenue en haute tension de 1200V, combinée à une résistance à l'état passant exceptionnellement faible de seulement 80mΩ. Cela réduit considérablement les pertes par conduction dans les applications haute tension, améliorant ainsi l'efficacité globale du système.

En ce qui concerne les performances de commutation, le UJ3C120080K3S prend en charge un fonctionnement à haute fréquence avec un courant de drain continu allant jusqu'à 33A, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications exigeant une densité de puissance élevée.

Le UJ3C120080K3S utilise une configuration source commune-grille commune innovante, intégrant un JFET SiC avancé avec un MOSFET en silicium spécialement optimisé dans un seul boîtier. Cette conception combine ingénieusement les points forts des deux technologies : permettant un fonctionnement normalement bloqué et des caractéristiques de commande de grille simples tout en conservant l'efficacité, la vitesse et la capacité à haute température inhérentes au matériau SiC.

Par rapport aux MOSFET ou IGBT conventionnels à base de silicium, ce MOSFET SiC présente de multiples avantages significatifs. Sa très faible résistance à l'état passant, allant de 80mΩ à 100mΩ, réduit efficacement les pertes par conduction.

Le UJ3C120080K3S prend en charge des fréquences de commutation plus élevées, permettant aux concepteurs de réduire la taille des composants magnétiques et des dispositifs passifs au sein du système, obtenant ainsi une plus grande densité de puissance.

Le UJ3C120080K3S intègre en outre des fonctions de protection ESD et de grille, offrant une fiabilité accrue. Sa large plage de température de jonction de fonctionnement, de -55°C à +175°C, le rend adapté aux environnements à haute température. De plus, il présente des performances exceptionnelles de la diode de corps (chute de tension directe <2V) et d'excellentes caractéristiques de récupération inverse.

Un autre avantage significatif de la technologie du carbure de silicium est sa charge de récupération inverse (Qrr) exceptionnellement faible de seulement 10nC, ce qui permet de réduire les pertes de commutation et d'améliorer la réponse en fréquence du système.

【Paramètres de performance clés détaillés du UJ3C120080K3S】

Capacité haute tension : tension drain-source nominale (Vdss) de 1200V, adaptée aux applications haute tension telles que les systèmes industriels triphasés et les onduleurs photovoltaïques

Capacité de courant élevée : courant de drain continu (Id) jusqu'à 33A à 25°C

Faibles pertes à l'état passant : résistance drain-source à l'état passant maximale de seulement 80mΩ à 100mΩ (testée à 20A, 12V)

Caractéristiques de commutation rapides : temps de montée et temps de descente de 14ns chacun, délai d'activation typique de 22ns, délai de désactivation de 61ns

Charge de grille optimisée : charge de grille (Qg) de seulement 51nC@15V minimise les pertes de commande

Ces paramètres constituent collectivement le fondement des performances exceptionnelles du UJ3C120080K3S, permettant un fonctionnement exceptionnel dans les applications de conversion de puissance à haut rendement. Par rapport aux MOSFET à super-jonction à base de silicium de spécifications équivalentes, il réduit les pertes de commutation jusqu'à 80 %, améliorant considérablement l'efficacité du système.

【UJ3C120080K3S Couverture d'application étendue】

Dans le secteur des véhicules à énergie nouvelle, ce dispositif peut être utilisé dans les chargeurs embarqués, les entraînements de moteurs et les convertisseurs CC-CC, contribuant à une autonomie et une efficacité de charge accrues des véhicules électriques.

Les applications de production d'énergie photovoltaïque et de réseau intelligent bénéficient également des hautes performances de ce MOSFET en carbure de silicium. Dans les onduleurs photovoltaïques et les systèmes de stockage d'énergie, le UJ3C120080K3S améliore l'efficacité de la conversion d'énergie, tout en assurant un fonctionnement stable et fiable dans les équipements de transmission et de distribution d'énergie.

Pour les applications d'alimentation industrielle, le UJ3C120080K3S convient à la conversion de puissance et au contrôle moteur à haut rendement, répondant aux exigences strictes de l'automatisation industrielle en matière de densité de puissance et d'efficacité énergétique. Même dans le secteur du transport ferroviaire, ce dispositif peut être déployé dans les onduleurs de traction et les systèmes d'alimentation auxiliaires pour répondre aux exigences de haute fiabilité.

Par rapport aux dispositifs d'alimentation traditionnels à base de silicium, le UJ3C120080K3S réduit considérablement la taille et le poids du système dans ces applications tout en améliorant l'efficacité énergétique globale, offrant des avantages concurrentiels pour les produits finaux.