Le blog de l'entreprise Sur NXH020P120MNF1PG Les modules à demi-pont MOSFET au carbure de silicium

En marcheNXH020P120MNF1PGModules à demi-ponte au carbure de silicium MOSFET

Description du produitNXH020P120MNF1PG

NXH020P120MNF1PGest un module SiC MOSFET contenant un demi-pont SiC MOSFET de 20 mohm 1200V et un thermistore NTC dans un module F1.

Les spécifications deNXH020P120MNF1PG

Technologie: SiC

Mode de montage: Appuyez sur Adaptation

Emballage ou boîtier: Module

Polarité du transistor: N-canal

Vds - Voltage de rupture de la source de vidange: 1.2 kV

Id - Courant de vidange continu: 51 A

Rds On - Résistance à la source de drainage: 30 mOhms

Vgs - Tension de la source de sortie: - 15 V, + 25 V

Vgs th - tension de seuil de la porte-source: 1.8 V

Température de fonctionnement minimale: - Quarante degrés.

Température de fonctionnement maximale: + 150 °C

Pd - Dissipation de puissance: Unité d'entraînement

Temps d'automne: 8.4 ns

Heure de montée: 8.8 ns

Temps de retard typique: 8.4 ns

Temps de retard typique pour l'arrêt: 105 ns

Temps de retard typique d'allumage: 44 ns

Caractéristique deNXH020P120MNF1PG

20 m/1200 V SiC MOSFET demi-pont

Le thermistore

Options avec matériau d'interface thermique (TIM) pré-appliqué et sans TIM pré-appliqué

Des épingles press-fit

Produit final deNXH020P120MNF1PG

Chargeur de véhicule électrique

Système de stockage d'énergie

Invertisseur solaire à trois phases

L'alimentation électrique est ininterrompue

Applications deNXH020P120MNF1PG

Invertisseur solaire

Les sources d'alimentation électrique

Stations de recharge pour véhicules électriques

Puissance industrielle

Diagramme schématique deNXH020P120MNF1PG