Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. fournit les NavitasLe nombre de personnes concernées est le suivant:, un circuit intégré de puissance à demi-pont GaNFastTM doté de la technologie GaNSenseTM.
Je suis...Le nombre de personnes concernées est le suivant:Vue d'ensemble du produit
LeLe nombre de personnes concernées est le suivant:est un circuit intégré de puissance à demi-pontage à 650 V qui implémente la technologie GaNFastTM+GaNSenseTM dual-core de Navitas. Il appartient à la famille de produits à demi-pontage NV624X et,par rapport au NV6245C (double FET 275mΩ)Il est doté d'une résistance d'allumage combinée de 160mΩ sur deux FET GaN et fonctionne dans une plage de puissance de 65 ‰ 400W.circuits d'échantillonnage et d'autoprotection sans perte requis pour une topologie intégrée à demi-pontIl remplace la solution fragmentée des MOSFETs discrets traditionnels + conducteurs + résistances d'échantillonnage + composants de protection périphérique,servant de bloc de construction de puissance standardisé pour les alimentations à recharge rapideLe dispositif est logé dans un boîtier de 6×8 mm à 32 broches surmonté thermiquement par PQFN,d'une largeur de l'ordre de 1 mm ou plus mais n'excédant pas 1 mmIl fonctionne dans une plage de température de -55°C à +150°C, offre une protection ESD à puce complète de 2 kV et prend en charge une large plage de tension d'alimentation VCC de 10 ‰ 24 V,répondant aux exigences strictes en matière de sécurité et de contrôle de la température des appareils électroniques grand public, les petits appareils ménagers et les équipements industriels à faible consommation.
II. Le secteur privéLe nombre de personnes concernées est le suivant:Architecture du noyau: noyau à demi-pont intégré monolithique GaNFastTM
GaNFastTM, le procédé de fabrication de galettes de nitrure de gallium mature de Nanowei, constitue le fondement duLe nombre de personnes concernées est le suivant:Il utilise une conception monolithique intégrant les circuits GaN et le pilote dans un seul ensemble, éliminant ainsi à la source les problèmes d'oscillation des portes,défauts de commutation et fausses déclenchements causés par l'inductivité parasitaire de la boucle de sortie dans des solutions discrètes:
LeLe nombre de personnes concernées est le suivant:intègre deux commutateurs GaN à haute performance de 650 V: une seule puce intègre à la fois des FET GaNFastTM au nitrure de gallium à côté haut et à côté bas, avec une résistance de combustion combinée de 160 mΩ,d'une tension nominale de 650 V et d'une tension de résistance transitoire maximale de 800 VComparé aux MOSFET en silicium de la même spécification, les pertes de commutation sont réduites de plus de 60%, ce qui prend en charge des fréquences de commutation ultra-hautes allant jusqu'à 2 MHz.Cela facilite la miniaturisation des composants magnétiques tels que les transformateurs de puissance et les inducteurs, réduisant la taille globale de l'unité d'alimentation de plus de 30%;
Intégration native des pilotes haut et bas et des circuits de démarrage:L'intégration sur la puce de modules de régulation de la tension de décalage et de démarrage à haute tension supprime le besoin de diodes de démarrage à haute tension externes et de condensateurs associés; seules les entrées de niveau logique numérique sont requises à l'extérieur (compatibles avec les signaux de contrôleurs standard de 3,3 V), les développeurs n'ont pas besoin de déboguer le temps d'entraînement côté haut et côté bas;La simple connexion du signal PWM du contrôleur principal permet directement le fonctionnement du demi-pont, réduisant le BOM du matériel de plus de 60% et l'empreinte des PCB de 61%;
Adaptation optimisée de la topologie de commutation douce: un réglage du processus a été effectué pour les topologies de commutation douce courantes telles que LLC résonnant, AHB active clamping et totem-pole PFC,Réduction significative des pics de commutation et des interférences dv/dt, ce qui réduit les coûts de réparation des EMI. Cela en fait la solution préférée pour les alimentations de charge rapide à haute puissance USB-PD 3.1 de 120 ‰ 240 W et les téléviseurs LCD.
III. Les États membresLe nombre de personnes concernées est le suivant:Technologie révolutionnaire: GaNSenseTM Sensor sans perte et protection autonome ultra-rapide
GaNSenseTM représente le principal différenciateurLe nombre de personnes concernées est le suivant:Il se détache de l'architecture de détection de courant traditionnelle basée sur des résistances d'échantillonnage, réalisant deux capacités clés:détection de courant sans perte sur puce et protection autonome contre les pannes au niveau des nanosecondesIl s'agit également d'une technologie clé pour le fonctionnement intelligent des circuits intégrés de puissance à large bande:
1Sensor de courant sans perte sur puce
Abandonnant la conception traditionnelle des résistances d'échantillonnage de puissance en série (Rcs), cette technologie utilise les caractéristiques de canal de la plaque GaN pour détecter le courant in situ.Avec zéro perte d'échantillonnage et aucune production de chaleur par les résistances d'échantillonnage, il améliore non seulement l'efficacité de la source d'alimentation à pleine charge de 0,5% à 1,2% mais élimine également la nécessité d'utiliser des résistances d'échantillonnage à haute puissance sur le PCB, simplifiant ainsi la conception de la gestion thermique;Le signal d'échantillonnage peut être acheminé directement vers la MCU pour le contrôle en boucle fermée du courant constant et la surveillance de la puissance, ce qui le rend largement applicable aux scénarios de commande à puissance constante à charge rapide et à limitation du courant du moteur.
2. 30ns Protection autonome ultra-rapide (pas besoin d'intervention du MCU)
GaNSenseTM intègre une logique de détection de défaut sur puce, avec sur courant (OCP), sur température (OTP),protection contre les courts-circuits et verrouillage sous tension (UVLO), tous gérés par un système à boucle fermée matériellement entièrement autonome: Lorsqu'un court-circuit ou une panne de transmission est détecté, les deux interrupteurs GaN sont immédiatement éteints dans un délai de 30 ns.Cela représente une amélioration de près de 200 fois par rapport à la vitesse d'arrêt de 5 ‰ 10 μs des solutions discrètes, permettant une protection d'auto-verrouillage sans attendre une commande d'arrêt de la puce de commande principale, éliminant ainsi le risque de destruction du dispositif au niveau matériel;La puce est dotée d'une détection de température globale intégrée; si la température de jonction dépasse le seuil, elle réduit automatiquement la puissance ou bloque la sortie, ce qui améliore considérablement la fiabilité dans des conditions de fonctionnement difficiles,ce qui le rend particulièrement adapté aux applications à haut risque telles que l'arrêt du moteur et les courts-circuits d'alimentation.
IV. Paramètres électriques clés duLe nombre de personnes concernées est le suivant:
Voltage nominal: 650 V (pix de 800 V)
Résistance totale à l'allumage des FET doubles: 160 mΩ
Puissance de fonctionnement recommandée: 65 W ∼ 400 W
Fréquence de commutation de fonctionnement: 0·2MHz
La tension d'alimentation (VCC) est de 10V24V.
Température de fonctionnement: de 55°C à + 150°C
Taille de l'emballage: 6×8 mm PQFN-32 (double coussin à dissipateur de chaleur)
Rating de protection: protection ESD de 2 kV, protection quadruple OCP/OTP/bypass/UVLO
V. Scénarios d'application généralisésLe nombre de personnes concernées est le suivant:
Les sources d'alimentation à charge rapide USB-C haute puissance (100 ∼ 240 W): Conviennent aux chargeurs GaN multi-ports PD 3.1 240 W, utilisant les topologies AHB/LLC.Utilisation des caractéristiques de haute fréquence pour réduire la taille du transformateur, permettant une recharge rapide compacte et de grande puissance;
Conducteurs BLDC pour appareils ménagers (100 400 W): mélangeurs, compresseurs de réfrigérateur à onduleur, ventilateurs de climatisation intérieure et pompes à eau.Configurations à demi-ponte à bras unique à inverseur triphasé, ou plusieurs puces NV6247C combinées pour former un onduleur à pont complet en trois phases.
Les fournisseurs d'alimentation industriels et audiovisuels: alimentation intégrée de 200 W et plus pour les téléviseurs/moniteurs LCD, les circuits de pré-augmentation PFC à totem-pole et les alimentations de commutation pour les petits équipements de commande industriels;
Énergies auxiliaires pour le stockage d'énergie: pré-stades d'inverseurs CC-CC de faible puissance pour le stockage d'énergie portable et modules d'alimentation auxiliaires pour les centrales électriques extérieures.
VI. Résumé de laLe nombre de personnes concernées est le suivant:Les principaux avantages
Développement matériel minimal: un seul circuit intégré remplace plus de 10 composants discrets, ce qui raccourcit le cycle de R&D de l'alimentation, permettant une mise en page unique pour la production de masse.et réduire les coûts d'approvisionnement et d'assemblage des composants;
Efficacité énergétique maximale: en combinant les faibles pertes de commutation de GaNFast® avec l'échantillonnage sans perte de GaNSense®, le système atteint un rendement de pleine charge supérieur à 94%,offrant une économie d'énergie supérieure de plus de 5% par rapport aux solutions à base de silicium;
Fiabilité exceptionnelle du système: l'autoprotection basée sur le matériel de 30 ns combinée à une architecture d'oscillation sans passerelle réduit considérablement les taux de défaillance post-vente,le rendant adapté aux périphériques automobiles exigeants et aux petits appareils industriels nécessitant un fonctionnement continu à long terme;
Miniaturisation: le fonctionnement à haute fréquence de 2 MHz réduit considérablement la taille des composants magnétiques, ce qui facilite des conceptions minces et compactes pour les chargeurs et les contrôleurs de moteur,s'aligner sur la tendance à la miniaturisation dans l'électronique grand public.
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