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Le blog de l'entreprise Mingjiada fournit des puces mémoire SK Hynix et SAMSUNG DDR4 SDRAM ETT

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Mingjiada fournit des puces mémoire SK Hynix et SAMSUNG DDR4 SDRAM ETT
Dernières nouvelles de l'entreprise Mingjiada fournit des puces mémoire SK Hynix et SAMSUNG DDR4 SDRAM ETT

Mingjiada fournit des puces mémoire SK Hynix et SAMSUNG DDR4 SDRAM ETT

 

La Commission a examiné les informations fournies par les autorités chinoises.Il fournit une large gamme de puces de mémoire DDR4 SDRAM ETT, couvrant les deux grandes marques: Samsung et SK Hynix.

 

Les principaux modèles et spécifications de puces mémoire DDR4 ETT actuellement disponibles chez Mingjiada Electronics sont les suivants:
SK Hynix DDR4 SDRAM

La puce de mémoire H5AN4G8NBJR-VKC de 4 Gb DDR4 SDRAM, utilisant un paquet FBGA de 78 balles, avec une organisation 512Mx8, prenant en charge un débit de transfert de données de 2666 Mbps et une tension de fonctionnement de 1,2 V.
H5AN4G6NBJR-UHC: mémoire dynamique synchrone à accès aléatoire (SDRAM) DDR4 à haute densité et à faible consommation, fabriquée à l'aide de procédés de semi-conducteurs avancés,Cette puce offre 4 Go de capacité de stockage dans un paquet FBGA-96 compact.
une puce de mémoire DDR4 SDRAM H5AN4G6NBJR-VKC de 4 Gb (c'est-à-dire 512 Mo), fabriquée à l'aide d'une technologie CMOS synchrone à haute vitesse,principalement destinés à des applications de mémoire principale nécessitant une forte densité de stockage et une largeur de bande élevée.
H5AN8G6NDJR-XNC 8Gb DDR4-3200 matrices de mémoire, avec une organisation 512M×16, prenant en charge un débit de transfert de données maximum de 3200Mbps, basé sur une conception basse tension de 1,2 V, dans un paquet FBGA-96 (13×7,5 mm)
une résistance à l'usure élevée de l'unité d'alimentation à haute vitesse de l'unité d'alimentation à haute vitesse de l'unité d'alimentation à haute vitesse de l'unité d'alimentation à haute vitesse de l'unité d'alimentation à haute vitesse de l'unité d'alimentation à haute vitesse de l'unité d'alimentation à haute vitesse de l'unité d'alimentation,avec une organisation interne de 1 G × 8 bits (8 bits de largeur) et utilisant une architecture de pré-remplacement de 8 bits pour obtenir un transfert de données à large bande passante.
Mémoire H5AN8G8NCJR-XNC 8Gb DDR4 SDRAM, dans un package FBGA de 78 balles, fonctionnant à 1,2 V, prenant en charge un débit de données maximum de 3200 Mbps (DDR4-3200), avec une organisation 1G × 8 bits.
Module de mémoire H5ANAG6NCJR-XNC de 16 Gb DDR4 SDRAM d'une capacité de 16 Gb, organisé en 1 G × 16, utilisant un package BGA-96 conforme à la norme RoHS.d'une vitesse d'horloge maximale de 1600 MHz.
La puce de mémoire H5ANAG8NCJR-XNC de 16 Go (2 Go) DDR4 SDRAM, fonctionnant à une tension standard DDR4 (généralement 1,2 V), fabriquée à l'aide du procédé 1z nm (D1Z) de SK Hynix, dans un pack FBGA de 78 balles.

 

SDRAM de type SAMSUNG DDR4
Puce de mémoire SDRAM DDR4 de 8 Gb K4A8G085WC-BCTD, fonctionnant à 1,2 V, dans un boîtier 78-FBGA, avec une plage de température de fonctionnement de 0 à 85 °C
K4A4G165WF-BCTD ¢ Puce mémoire SDRAM 4 Gb DDR4 haute performance avec une fréquence d'horloge maximale de 1,066 GHz.
K4A4G165WE-BCRC 4 Gb (512 MB) DDR4 SDRAM, avec une architecture 256M × 16 bits et un paquet FBGA de 96 balles, fonctionnant à une tension standard de 1.2 V et prenant en charge un débit de transfert de données maximum de DDR4-2400 (2400 Mbps).
K4A4G165WF-BCWE 4Gb (512MB) puce de mémoire DDR4 SDRAM, dotée d'une architecture 256M × 16 bits et d'un paquet FBGA de 96 balles, fonctionnant à une tension standard de 1.2V et prenant en charge un débit de transfert de données maximum de DDR4-3200 (3200 Mbps).
La puce de mémoire K4A8G165WB-BCRC de 8 Gb DDR4, utilisant un paquet FBGA de 96 balles, avec une vitesse nominale de 2400 Mbps et une tension de fonctionnement de 1,2 V.
K4A8G165WC-BCTD 8Gb (1GB) puce mémoire DDR4 SDRAM, dotée d'une architecture 512M × 16 bits et d'un paquet FBGA de 96 balles, fonctionnant à une tension standard de 1,2 V.Cette puce appartient à la série de produits C-Die de Samsung et prend en charge un débit de transfert de données maximum de DDR4-2666 (2666 Mbps).

 

Ces puces de mémoire sont largement utilisées dans les serveurs, les centres de données, les communications réseau, le contrôle industriel et l'électronique automobile.Mingjiada Electronics offre à la fois des échantillons de petits lots et des services de fourniture en vracPour un devis précis, veuillez indiquer la marque de la puce, la capacité, la largeur du bit, la vitesse, le type de colis et la quantité d'achat.
URL de l'entreprise:Les informations fournies par les autorités compétentes sont les suivantes:

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Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Mr. Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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