Le blog de l'entreprise Mingjiada Fournit de la F-RAM (mémoire ferroélectrique) Infineon, Fournit de la mémoire F-RAM série, mémoire F-RAM parallèle

Mingjiada Supply Infineon F-RAM Ferroelectric RAM, Supply Serial F-RAM Memory, Parallel F-RAM Memory

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — un fournisseur de longue date de la gamme complète de produits mémoire Infineon, y compris la mémoire ferroélectrique série (F-RAM) et la mémoire ferroélectrique parallèle (F-RAM). Ces dispositifs combinent les capacités de lecture/écriture à haute vitesse de la RAM avec la non-volatilité de la ROM ; leurs principaux avantages résident dans l'écriture à haute vitesse, la consommation d'énergie ultra-faible et une endurance de lecture/écriture pratiquement illimitée. Mingjiada Electronics maintient un stock de modèles courants et prend en charge les échantillons en petits lots ainsi que les commandes en gros volumes ; soutenu par un système logistique efficace, nous assurons une livraison rapide des produits.

F-RAM (mémoire vive ferroélectrique ou FeRAM) est une mémoire autonome non volatile qui capture et conserve instantanément les données critiques en cas de panne de courant. Elle est idéale pour les applications d'enregistrement de données critiques, telles que les contrôleurs logiques programmables (PLC) haute performance nécessitant une fiabilité, un contrôle et un débit élevés, ou les dispositifs de surveillance des patients conçus pour améliorer la qualité de vie.

Mingjiada Electronics fournit les dispositifs mémoire ferroélectrique F-RAM série Infineon suivants :
FM25V02A-G: RAM ferroélectrique série (F-RAM) de 256 Kbit (32K × 8) avec une interface SPI fonctionnant jusqu'à 40 MHz.

FM25V05-G: F-RAM série de 512 Kbit (64K × 8) avec un stockage non volatil très durable, fonctionnant de 2,0 V à 3,6 V, avec une plage de température de –40°C à +85°C, un débit de bus SPI jusqu'à 40 MHz et la prise en charge des modes 0 et 3.

FM25V10-G: Mémoire F-RAM série de 1 Mbit (128K × 8) avec une interface SPI, fonctionnant de 2,0 V à 3,6 V, prenant en charge une fréquence d'horloge SPI jusqu'à 40 MHz, avec écriture NoDelay™ pour un stockage de données instantané.

FM25V20A-DG: Mémoire F-RAM série de 2 Mbit (256K × 8), utilisant une technologie ferroélectrique avancée, avec une tension de fonctionnement de 2,0 V à 3,6 V et une plage de température de –40°C à +85°C. Prend en charge une interface SPI avec une vitesse maximale de 40 MHz et une écriture à la vitesse du bus NoDelay™.

FM25V20A-DGQ: Mémoire F-RAM série de 2 Mbit (256K × 8) avec capacité de température étendue, fonctionnant de 2,0 V à 3,6 V, dotée d'une capacité d'écriture rapide NoDelay™ et d'un débit SPI jusqu'à 33 MHz (Modes 0/3), adaptée aux applications de stockage non volatil fréquentes et à haute vitesse dans les secteurs industriel et médical.

FM25V20A-G: Mémoire F-RAM série de 2 Mbit (256 K × 8), fonctionnant de 2,0 V à 3,6 V, avec une plage de température de –40 °C à +85 °C ; dispose d'une interface SPI maximale de 40 MHz pour une écriture rapide et sans délai, adaptée aux applications nécessitant une écriture fréquente ou rapide, telles que le contrôle industriel et l'acquisition de données.

FM1808B-SG: RAM ferroélectrique parallèle (F-RAM) de 256 Kbit (32 K × 8) dans un boîtier SOIC à 28 broches, compatible SRAM et EEPROM. Tension de fonctionnement : 4,5 V à 5,5 V ; plage de température : –40°C à +85°C.

FM18W08-SG: Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 256 Kbit (32 K × 8) en largeur d'octet, fonctionnant de 2,7 V à 5,5 V et dans une plage de température de –40°C à +85°C, adaptée aux applications d'écriture à haute fréquence et de haute fiabilité telles que l'industrie, l'instrumentation et l'enregistrement de données.

Les solutions mémoire F-RAM d'Infineon offrent une gamme de fonctionnalités, notamment :
L'écriture NoDelay™ écrit les données dans les cellules mémoire à la vitesse du bus sans aucun temps de configuration
Les produits mémoire ferroélectrique sont extrêmement durables, avec plus de 100 billions de cycles d'écriture, ce qui les rend plus durables que la mémoire à grille flottante.
Consommation d'énergie ultra-faible, utilisant 200 fois moins d'énergie que l'EEPROM et 3 000 fois moins que la mémoire flash NOR.
Résistant aux radiations, insensible aux erreurs logicielles induites par les radiations qui provoquent des basculements de bits.

Pour plus d'informations sur les produits mémoire ferroélectrique F-RAM [Infineon] ou pour vous renseigner sur les prix des échantillons, veuillez visiter le site Web de Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) pour plus de détails sur l'approvisionnement.