Le blog de l'entreprise [Mingjiada] Fourniture de MOSFET automobile Infineon, appareils discrets IGBT et transistors MOSFET

La société Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. a été créée à Shenzhen., en tant que distributeur indépendant agréé de composants électroniques pour des marques de renommée mondiale, se concentre depuis longtemps sur la fourniture de composants électroniques de haute qualité.Mingjiada fournit non seulement une large gamme de produits de composants électroniques, mais se spécialise également dans les MOSFET de qualité automobile, les dispositifs discrets IGBT et les transistors MOSFET sous la marque Infineon.Ces produits ont un large éventail d'applications dans l'électronique automobile, contrôle industriel, communications et autres domaines, et sont très populaires sur le marché.

MOSFETs de qualité automobile Infineon

Le portefeuille de MOSFET de puissance automobile d'Infineon couvre des appareils Si et SiC avancés dans des emballages robustes pour des performances excellentes et une fiabilité exceptionnelle.Ces MOSFET fonctionnent à des tensions allant de 24V à 800VLes MOSFET de qualité automobile d'Infineon fournis comprennent, mais ne sont pas limités aux modèles suivants:

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:OptiMOSTM: N-canal 120V 70A (Tc) 125W (Tc) PG-TO252-3, certifié AEC Q101 pour les convertisseurs CC-DC haute tension et la charge intégrée (OBC) dans les véhicules électriques.

Pour les espèces de la zone IUC60N04S6N050OptiMOSTM: MOSFET à canal N de 60 V pour les applications automobiles avec une faible résistance et une capacité de courant élevée.

Dispositifs discrets IGBT Infineon

Les dispositifs IGBT discrets d'Infineon sont bien connus pour leur haute efficacité et fiabilité et sont utilisés dans un large éventail d'applications telles que les entraînements et les commandes de moteurs industriels.Les appareils IGBT discrets fournis par Infineon comprennent::

Le nombre total de véhicules à moteur est de:: dispositif IGBT discret 650V 50A avec diode antiparallèle dans le boîtier TO-247 pour les applications à grande vitesse.

IGD03N120S7: 1200V 3A TRENCHSTOPTM IGBT7 S7 dispositif discret à faible VCEsat dans un ensemble TO-252 pour des pertes de conduction très faibles dans des applications ciblées.

Transistors Infineon MOSFET

Les transistors MOSFET d'Infineon sont largement reconnus sur le marché pour leurs performances élevées et leur faible consommation d'énergie.

Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes soient respectées.StrongIRFETTM: MOSFET à alimentation N à canal simple de 40 V dans un ensemble PQFN 5x6 pour des applications telles que les moteurs à courant continu, les systèmes de gestion de la batterie, les onduleurs et les convertisseurs à courant continu.

AIMCQ120R160M1T, qui ne peut pas être détecté: MOSFET à alimentation par canal N de 120 V pour les applications à haute puissance avec une faible résistance et une capacité de courant élevée.

Mingjiada dispose d'une équipe expérimentée de vente, de R&D et de gestion, et fournit une logistique professionnelle et une équipe de service à la clientèle pour assurer la fourniture d'un service de haute qualité et rapide.L'entreprise s'est toujours attachée au service aux clients., bénéficier aux clients' but, pour la majorité des clients et amis de fournir des services de commande à guichet unique, vous pouvez rechercher de qualité militaire, de qualité industrielle, des communications,hors des sentiers battus, des composants de haute technologie froids.

URL de l'entreprise:Les informations fournies par les autorités compétentes sont les suivantes: